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開關(guān)損耗

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開關(guān)損耗技術(shù)

IGBT的開關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...

2025-04-22 標(biāo)簽：IGBT 變流器雜散電感 829 0

安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 ...

2025-02-21 標(biāo)簽：MOSFET 安森美分立器件 1015 0

影響MOSFET開關(guān)損耗的因素

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的開關(guān)...

2024-09-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體開關(guān)損耗 1619 0

一文讀懂MOSFET開關(guān)損耗介紹

MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過通道...

2024-06-13 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管開關(guān)損耗 2232 0

如何使用示波器測(cè)量電源開關(guān)損耗

電源開關(guān)損耗是電子電路中一個(gè)重要的性能指標(biāo)，它反映了開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。準(zhǔn)確測(cè)量電源開關(guān)損耗對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...

2024-05-27 標(biāo)簽：示波器電源開關(guān)開關(guān)損耗 1816 0

使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對(duì)開關(guān)損耗影響的評(píng)估

過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標(biāo)簽：安森美 SiC 熱仿真 2275 0

mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...

2023-12-11 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)限流電阻開關(guān)損耗 1150 0

功率MOSFET管應(yīng)用問題匯總

問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散...

2023-12-03 標(biāo)簽：負(fù)載開關(guān)功率MOSFET管 MOSFET管 1544 0

如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成；開關(guān)...

2023-11-15 標(biāo)簽：MOSFET 變換器寄生電容 789 0

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。

2023-08-25 標(biāo)簽：二極管 MOSFET IGBT 1194 0

開關(guān)損耗帖子

MOS管損耗理論計(jì)算公式推導(dǎo)及LTspice仿真驗(yàn)證

標(biāo)簽：MOS管仿真 LTspice 986 0

開關(guān)電源技術(shù)開關(guān)損耗和吸收+熱設(shè)計(jì)-交大課件

標(biāo)簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗 362 0

MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

標(biāo)簽：開關(guān)損耗 MOSFET開關(guān) 260 0

MOS開關(guān)損耗，計(jì)算值和datasheet給定值差異很大是什么原因？

標(biāo)簽：MOS datasheet 開關(guān)損耗 311 2

集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗分析

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準(zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗的幾個(gè)方式

標(biāo)簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗 3780 2

寫一個(gè)全橋軟開關(guān)的知識(shí)

標(biāo)簽：電源開關(guān)軟開關(guān)開關(guān)損耗 1824 0

開關(guān)損耗包括哪幾種

標(biāo)簽：開關(guān)電源開關(guān)管開關(guān)損耗 2196 0

MOS管開關(guān)電源損耗

標(biāo)簽：MOS管電源開關(guān)開關(guān)損耗 1845 0

開關(guān)電源內(nèi)部的損耗有哪些？通常會(huì)在什么情況下出現(xiàn)？

標(biāo)簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗電阻損耗 1401 3

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并網(wǎng)逆變器學(xué)習(xí)筆記5---三電平DPWM立即下載

類別：電子資料 2023-03-03 標(biāo)簽：逆變器 DPWM 開關(guān)損耗 669 0

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IGBT導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗立即下載

類別：電子資料 2023-02-23 標(biāo)簽：IGBT 開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 903 0

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類別：電子資料 2023-02-22 標(biāo)簽：IGBT 開關(guān)損耗 532 0

開關(guān)損耗原理分析立即下載

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類別：電子資料 2021-04-16 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)損耗 1341 1

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類別：電源技術(shù) 2016-11-05 標(biāo)簽：軟開關(guān)無源無損開關(guān)損耗 809 0

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類別：電源技術(shù) 2016-05-11 標(biāo)簽：開關(guān)損耗同步整流管驅(qū)動(dòng)損耗 1378 0

開關(guān)損耗資訊

芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗

在功率器件的世界里，開關(guān)損耗是一個(gè)繞不開的關(guān)鍵話題。

2025-05-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 343 0

差分探頭在測(cè)量開關(guān)損耗中的應(yīng)用

開關(guān)損耗是電力電子設(shè)備中的一個(gè)重要性能指標(biāo)，它直接影響到設(shè)備的效率和熱管理。差分探頭作為一種高精度的測(cè)量工具，在開關(guān)損耗的測(cè)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將介...

2024-08-09 標(biāo)簽：差分探頭開關(guān)損耗 567 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 開關(guān)損耗 795 0

利用示波器探頭進(jìn)行開關(guān)損耗測(cè)試

如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時(shí)在On或Of...

2022-06-20 標(biāo)簽：MOSFET 示波器探頭 2355 0

深度剖析半導(dǎo)體熱阻數(shù)據(jù)

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2022-04-21 標(biāo)簽：電子設(shè)備半導(dǎo)體器件開關(guān)損耗 4043 0

開關(guān)損耗測(cè)量中的注意事項(xiàng)及影響因素解析

功率損耗是開關(guān)器件性能評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是工程師在選配時(shí)重點(diǎn)關(guān)注的一項(xiàng)高級(jí)功能。雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程...

2021-12-15 標(biāo)簽：示波器探頭開關(guān)損耗 925 0

怎樣準(zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗

一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。...

2019-06-26 標(biāo)簽：開關(guān)損耗 1004 0

175W Slim-TV SPS解決方案（安富利）

Avnet Design Service電源實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出薄板電視SPS電源解決方案。滿負(fù)荷工作條件下，電源模塊輸出總功率達(dá)175 W。解決方案提供多種組...

2012-08-01 標(biāo)簽：電源安富利電源模塊 1974 0

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

為了使MOSFET整個(gè)開關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現(xiàn)其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或...

2012-04-12 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)損耗 6.3萬 1

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