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標(biāo)簽 > 開(kāi)關(guān)損耗
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如何準(zhǔn)確的測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗
一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗,對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。...
2019-06-27 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗 2762 0
入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例
對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢(shì),包括更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密...
2018-07-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開(kāi)關(guān)損耗 9894 0
開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中時(shí)間偏移對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響分析
開(kāi)關(guān)器件的功率損耗是開(kāi)關(guān)器件評(píng)估的重要環(huán)節(jié),也是許多示波器選配的高級(jí)分析功能。事實(shí)上,雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗程度測(cè)量環(huán)境,對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲,...
2018-02-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)損耗 1228 0
基于CMM下開(kāi)關(guān)損耗和反激開(kāi)關(guān)損耗分析以及公式計(jì)算
1、CCM 模式開(kāi)關(guān)損耗 CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2018-01-13 標(biāo)簽:cmm開(kāi)關(guān)損耗 9946 0
開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試在電源調(diào)試中重要作用
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗...
2017-11-10 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電源管理開(kāi)關(guān)損耗 6841 0
開(kāi)關(guān)電源調(diào)試一般設(shè)計(jì)要求與要求
1.變壓器飽和變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開(kāi)機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動(dòng)態(tài)負(fù)載,高溫等情
2017-09-24 標(biāo)簽:變壓器電源管理開(kāi)關(guān)損耗 1.1萬(wàn) 0
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