完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 開關(guān)損耗
文章:55個(gè) 瀏覽:13694次 帖子:15個(gè)
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管DCM 1.6萬 0
目前電力電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)都是小型化,同時(shí)對(duì)裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。 設(shè)備向著高頻化的方向發(fā)展,這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...
2023-04-11 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電路濾波器 1.5萬 0
開關(guān)電源調(diào)試一般設(shè)計(jì)要求與要求
1.變壓器飽和變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動(dòng)態(tài)負(fù)載,高溫等情
2017-09-24 標(biāo)簽:變壓器電源管理開關(guān)損耗 1.1萬 0
基于CMM下開關(guān)損耗和反激開關(guān)損耗分析以及公式計(jì)算
1、CCM 模式開關(guān)損耗 CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2018-01-13 標(biāo)簽:cmm開關(guān)損耗 9946 0
入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例
對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢(shì),包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...
2018-07-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 9894 0
通過AI嵌入實(shí)現(xiàn)EV范圍提高多達(dá)12%
Pre-Switch通過將AI嵌入到FPGA中來解決這一挑戰(zhàn),該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時(shí)序,如圖1所示為S1和S2。
2021-03-16 標(biāo)簽:fpgaAI開關(guān)損耗 9748 0
在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時(shí)候,由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有很長(zhǎng)一段時(shí)間處于低電平,諧振電流只能流過MOS管的體二極管。一旦諧振電流...
開關(guān)損耗測(cè)試在電源調(diào)試中重要作用
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗...
2017-11-10 標(biāo)簽:開關(guān)電源電源管理開關(guān)損耗 6841 0
一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗,對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 標(biāo)簽:開關(guān)電源開關(guān)損耗 6526 0
有源鉗位反激轉(zhuǎn)換器如何比傳統(tǒng)QRF運(yùn)行得更快
QRF 功率轉(zhuǎn)換器是 150W 或更低輸出功率范圍內(nèi)的低功率離線應(yīng)用的熱門選擇,原因有很多
2022-08-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 6068 0
提升電源效率帶LLC的PFC常規(guī)模擬控制設(shè)計(jì)解決方案
最近幾十年,電源的效率要求發(fā)展迅猛,與曾經(jīng)教科書中描述的要求大相徑庭,實(shí)現(xiàn)既定額定條件下的高效率只是設(shè)計(jì)的第一步,而真正完全合格且具有競(jìng)爭(zhēng)力的電源設(shè)計(jì)必...
2020-12-18 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)EMI濾波器LLC 6024 0
IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因與PiN二極管的正向恢復(fù)特性
大家好,這期我們?cè)倭囊幌翴GBT的開關(guān)損耗,我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分,由于兩者都為正,這樣就會(huì)釋放功...
2022-04-19 標(biāo)簽:二極管IGBT開關(guān)損耗 5452 0
詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4840 0
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測(cè)試對(duì)影響...
引言:上節(jié)(傳送門:DC-DC-21:如何選擇DC-DC的開關(guān)頻率-1簡(jiǎn)述了DC-DC的工作頻率定義和基本的頻率影響因素,本節(jié)簡(jiǎn)述開關(guān)頻率的另一個(gè)選擇考...
2023-07-04 標(biāo)簽:PCBDC-DC開關(guān)頻率 3426 0
近幾年主流芯片制造廠商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開關(guān)損耗等權(quán)衡...
通態(tài)損耗Ps。大體來講,通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即:Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 2959 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |