使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對(duì)開(kāi)關(guān)損耗影響的評(píng)估

過(guò)去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標(biāo)簽：安森美SiC熱仿真 2281 0

一文讀懂MOSFET開(kāi)關(guān)損耗介紹

MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線(xiàn)性模式和開(kāi)關(guān)模式。在線(xiàn)性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過(guò)通道，但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過(guò)通道...

2024-06-13 標(biāo)簽：MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)損耗 2238 0

終端區(qū)域?qū)﹂_(kāi)關(guān)損耗的物理分析

盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在高功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的一個(gè)相關(guān)因素，因?yàn)楦邘对诟邷亍㈦妷?..

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET開(kāi)關(guān)損耗 1611 0

功率MOSFET管應(yīng)用問(wèn)題匯總

問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散...

2023-12-03 標(biāo)簽：負(fù)載開(kāi)關(guān)功率MOSFET管MOSFET管 1554 0

影響電源效率提升的主要損耗

效率一直以來(lái)都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn)，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來(lái)，第三代GaN半導(dǎo)...

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET服務(wù)器GaN 1527 0

DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗

上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗：見(jiàn)文識(shí)意，開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)損耗 1398 0

通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法

MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線(xiàn)路中。需要盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1390 0

全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。

2023-02-08 標(biāo)簽：IGBTSiC功率模塊 1300 0

開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中時(shí)間偏移對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響分析

開(kāi)關(guān)器件的功率損耗是開(kāi)關(guān)器件評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是許多示波器選配的高級(jí)分析功能。事實(shí)上，雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗程度測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，...

2018-02-07 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)損耗 1228 0

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。

2023-08-25 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT 1200 0

關(guān)于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題探討

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開(kāi)關(guān)（高邊＋低邊）是對(duì)VIN和GND電壓進(jìn)行切換（ON/OFF），該過(guò)渡時(shí)間的功率乘以開(kāi)關(guān)頻率后的值即開(kāi)關(guān)損耗。

2020-04-06 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)損耗 1168 0

mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...

2023-12-11 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)限流電阻開(kāi)關(guān)損耗 1153 0

探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其1

上一篇文章介紹了輸入電壓升高時(shí)損耗增加的部分、注意事項(xiàng)及相應(yīng)的對(duì)策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)事項(xiàng)之一。探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET輸出電流開(kāi)關(guān)損耗 1049 0

安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 ...

2025-02-21 標(biāo)簽：MOSFET安森美分立器件 1021 0