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      標(biāo)簽　>　開關(guān)損耗

      開關(guān)損耗

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      文章：55個(gè) 瀏覽：13694次 帖子：15個(gè)

      開關(guān)損耗技術(shù)

      通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳將開關(guān)損耗降低約35%

      通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳將開關(guān)損耗降低約35%

      －接下來，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引...

      2023-02-16 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器引腳開關(guān)損耗 945 0

      MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例

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      MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...

      2023-04-10 標(biāo)簽：ledMOSFET晶圓 878 0

      通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-有無驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異及其效果

      通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-有無驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異及其效果

      本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可以提高導(dǎo)通速度。

      2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器引腳 861 0

      通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-電路板布線布局相關(guān)的注意事項(xiàng)

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      本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?由于具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時(shí)需要注意。

      2023-02-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電路板布線 852 0

      雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(1)

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      IGBT的開關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...

      2025-04-22 標(biāo)簽：IGBT變流器雜散電感 837 0

      如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

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      2023-11-15 標(biāo)簽：MOSFET變換器寄生電容 789 0

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