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拉電流

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拉電流技術(shù)

UCC27511A 具有 5V UVLO、分離輸出、5V IN 處理能力的 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27511A 器件是一款緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器，可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅(qū)動(dòng)器（緩沖電路）解決方案。UCC27511A 器件是一款單通道低...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT pnp 218 0

UCC21220A 3.0kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21220 和 UCC21220A 器件是基本和功能隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它們?cè)O(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) PFC、...

2025-05-19 標(biāo)簽：PFC 拉電流灌電流 231 0

UCC21732-Q1 汽車類 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21732-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 150 0

UCC21710-Q1 汽車級(jí) 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 490 0

UCC21750 5.7kVrms ±10A，單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21750 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為工作電壓高達(dá) 2121 V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)功...

2025-05-17 標(biāo)簽：IGBT 隔離技術(shù)拉電流 474 0

UCC21750-Q1 汽車5.7kVrms，±10A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21750-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 307 0

UCC21739-Q1 汽車級(jí) 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 345 0

UCC21710 5.7kVrms ±10A，單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，帶 OC 檢測(cè)，用于 IGBT/SiC 的內(nèi)部箝位數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動(dòng)態(tài)性能...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 232 0

UCC21759-Q1 汽車級(jí)3.0kVrms，±10A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 250 0

UCC23313-Q1 具有 8V/12V UVLO 的汽車級(jí) 3.75kVrms、4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23313-Q1 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 拉電流和 5.3...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 256 0

UCC27284 具有 5V UVLO 和使能的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27284 是一款堅(jiān)固耐用的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，最大開關(guān)節(jié)點(diǎn) （HS）額定電壓為 100 V。它允許在基于半橋或同步降壓配置的拓?fù)?..

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓 246 0

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級(jí) 10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21737-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 218 0

UCC21755-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)和隔離感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 233 0

UCC21756-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)和 iso 的汽車級(jí) ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21756-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 拉電流灌電流 180 0

UCC21551-Q1 汽車級(jí) 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 258 0

UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21717-Q1 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 拉電流灌電流 243 0

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護(hù)的汽車類 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21738-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為工作電壓高達(dá) 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 短路保護(hù)拉電流 193 0

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MO...

2025-05-16 標(biāo)簽：可編程 IGBT 晶體管 220 0

UCC23525 具有12V UVLO的 5A/5A、5.7kVRMS、增強(qiáng)型單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23525驅(qū)動(dòng)器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流...

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器光耦合器 304 0

UCC21331 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，帶使能邏輯和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21331 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSF...

2025-05-15 標(biāo)簽：可編程晶體管 UVLO 221 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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