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SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 461 0
SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 434 0
SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 391 0
SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 408 0
SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 354 0
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 440 0
SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 390 0
SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 453 0
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 394 0
SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 431 0
SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正...
2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 463 0
SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 406 0
SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反...
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵且符合RoHS...
MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)你會(huì)看了嗎?
三、熱阻Thermalresistance熱阻描述了物質(zhì)的熱傳導(dǎo)特性,該參數(shù)直接影響器件的散熱效率和穩(wěn)定性。熱阻越小,意味著器件的散熱能力越強(qiáng)。針對(duì)這份...
2024-05-10 標(biāo)簽:MOSFETMOS數(shù)據(jù)手冊(cè) 2997 0
電子管(電子真空管)是一種使用真空環(huán)境中的電子流值控制電流的器件。電子管廣泛用于早期的電子技術(shù)中,如電視機(jī)、無(wú)線電接收機(jī)、放大器等。要正確識(shí)別電子管的管...
2023-12-26 標(biāo)簽:電子技術(shù)管腳數(shù)據(jù)手冊(cè) 4871 0
MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來(lái)看一看,MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。
本篇將詳細(xì)介紹如何使用RA6T2 16位ADC在混合模式(Hybrid mode)下應(yīng)用采樣保持功能進(jìn)行AD采樣,以及后臺(tái)功能(background)的...
2023-08-28 標(biāo)簽:adc數(shù)據(jù)手冊(cè)hybrid 1059 0
功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)技術(shù)解析
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè) 1388 0
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