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SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

麥辣雞腿堡 ? 來源:派恩杰半導(dǎo)體 ? 2025-02-25 15:44 ? 次閱讀

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),無鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作等特性,有助于提升系統(tǒng)效率,降低散熱需求,在并聯(lián)使用時也不會出現(xiàn)熱失控問題??蓱?yīng)用于消費類開關(guān)模式電源(SMPS)、功率因數(shù)校正(PFC)或DC/DC 階段的升壓二極管以及 AC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

碳化硅(SiC)屬于第三代半導(dǎo)體,派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)Si肖特基二極管具有更高的耐壓等級和更低的漏電流,大大提升了系統(tǒng)效率,特別適合在高壓高頻條件下工作。同時解決了Si二極管的耐壓極限問題和反向恢復(fù)損耗較大的問題,碳化硅二極管成本相對較低,已經(jīng)廣泛使用。派恩杰提供多種多樣封裝形式去適應(yīng)不同應(yīng)用場景。

*附件:SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf

特征

  • 符合AECQ-101
  • 100%UIS測試
  • 極小的反向恢復(fù)損耗
  • 優(yōu)異的高溫特性

優(yōu)勢

  • 優(yōu)異的性能
  • 減小系統(tǒng)體積
  • 提升整體效率
  • 減小散熱面積
  • 車規(guī)級器件
  • 降低系統(tǒng)成本
  • 降低電磁干擾

應(yīng)用領(lǐng)域

熱特性

image.png

典型性能

image.png

封裝外形

image.png

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