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晶體

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晶體資訊

什么是靜電感應(yīng)晶體管

什么是靜電感應(yīng)晶體管 靜電感應(yīng)晶體管 源漏電流受柵極上的外加垂直電場控制的垂直溝道場效應(yīng)晶體

2010-03-05 標(biāo)簽:晶體 1398 0

波導(dǎo)檢波器是射頻微波設(shè)備中最常使用的元器件

波導(dǎo)檢波器是射頻微波設(shè)備中最常使用的元器件,通常與耦合器連接使作為獨(dú)立的監(jiān)測設(shè)備部件,具備穩(wěn)定性、安全可靠、噪聲低、頻段寬等特點(diǎn)。波導(dǎo)檢波器主要用在信號...

2022-02-09 標(biāo)簽:射頻探測器晶體 1393 0

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人工長晶工藝石英介紹水熱法生長流程1晶種切割Seedcutting2晶種裝架Settingofseedcrystals3石英石清洗Cleaningofq...

2023-04-28 標(biāo)簽:晶體石英 1380 0

中微公司Prismo系列MOCVD平臺成功實(shí)現(xiàn)高晶體質(zhì)量的GaN薄膜外延

10月,為期四天的第五屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議于蘇州召開。此次會議聚集了來自科研院所、高校與行業(yè)領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)近700位專家、學(xué)者,一同探討寬禁帶半導(dǎo)體...

2023-10-31 標(biāo)簽:集成電路晶體GaN 1377 0

晶體、諧振器和振蕩器是否可以旋轉(zhuǎn)

雙引線晶體或諧振器可以在電路中旋轉(zhuǎn),因?yàn)樗鼪]有極性。

2022-06-09 標(biāo)簽:振蕩器晶體諧振器 1375 0

日本研發(fā)出氧化鎵的低成本制法

這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法”,通過在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料,在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延(HV...

2023-10-12 標(biāo)簽:晶體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1374 0

電磁型繼電保護(hù)和晶體管繼電保護(hù)是怎樣起動的?

電磁型繼電保護(hù)和晶體管繼電保護(hù)是怎樣起動的? 在電磁型繼電保護(hù)裝置中,繼電器線圈通電后,通過銜鐵帶支觸點(diǎn)接通或斷開回路

2009-11-20 標(biāo)簽:晶體繼電保護(hù)電磁 1370 0

Marvell聯(lián)手臺積電,推出首款2納米生產(chǎn)平臺

據(jù)報(bào)道,Marvell研發(fā)負(fù)責(zé)人桑狄普·巴拉蒂(Sandeep Bharathi)表示,隨著 AI 負(fù)載量的不斷增加,對性能、功耗、面積以及晶體密度的要...

2024-03-10 標(biāo)簽:晶體MarvellAI 1363 0

摩爾定律或被打破,全球電晶體體積縮減2021年將停止

根據(jù)最新國際半導(dǎo)體科技藍(lán)圖(International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS)7月稍早的...

2016-07-27 標(biāo)簽:摩爾定律晶體 1358 0

利用高分辨率透射電鏡在UO2雙晶中觀察到了兩種特殊的GBs

研究發(fā)現(xiàn)對鈾原子在GB的分布是由鈾-氧相互作用造成的。CRG和Yakub勢的這種優(yōu)勢與之前的研究一致,這兩個(gè)勢給出了關(guān)于UO2中GBs能量的最佳結(jié)果。雖...

2022-07-12 標(biāo)簽:晶體透射電鏡 1353 0

淺談濾波器

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2023-11-29 標(biāo)簽:濾波器晶體網(wǎng)絡(luò) 1347 0

協(xié)同鈍化和梯度維度鈣鈦礦類材料實(shí)現(xiàn)高效近紅外發(fā)光二極管

這項(xiàng)工作不僅揭示了甲脒鉛基鹵化物鈣鈦礦體系中多維度鈣鈦礦的存在,而且發(fā)現(xiàn)了一種鎘基新型零維類鈣鈦礦材料;為解析鉛鹵鈣鈦礦發(fā)光器件的能量傳輸機(jī)制和研制高效...

2022-12-14 標(biāo)簽:led晶體近紅外 1346 0

晶體振蕩器電路圖1

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2009-03-25 標(biāo)簽:晶體 1341 0

濟(jì)南大學(xué)在8英寸鈮酸鋰晶體生長技術(shù)方面取得重要突破

近年來,基于鈮酸鋰單晶薄膜的集成光電子器件可實(shí)現(xiàn)單通100G以上超高帶寬的高速光調(diào)制,已經(jīng)成為國際上的研究熱點(diǎn)和開發(fā)的重點(diǎn)領(lǐng)域。鈮酸鋰是整個(gè)光通信世界的...

2023-10-22 標(biāo)簽:晶體集成器件電子芯片 1336 0

Nature:?新型碳基晶體研究取得重要進(jìn)展

氮化鋰在550℃的環(huán)境壓力下催化了C60分子之間的共價(jià)鍵,從而產(chǎn)生長程有序多孔碳晶體。LOPC保持了原始C60晶體的顆粒狀形態(tài)。圖1b顯示了(1)C60...

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離子調(diào)控鎳基鈣鈦礦氧化物結(jié)構(gòu)和性能領(lǐng)域取得新進(jìn)展

為了更好地理解鎳基鈣鈦礦氧化物質(zhì)子化過程,西湖大學(xué)工學(xué)院陸啟陽團(tuán)隊(duì)使用水溶液電化學(xué)方法研究鎳基鈣鈦礦氧化物的質(zhì)子化過程,發(fā)現(xiàn)鎳基鈣鈦礦氧化物晶格在質(zhì)子化...

2022-11-21 標(biāo)簽:晶體晶格 1285 0

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玨芯微電子獲5億融資,推進(jìn)航天高可靠性制冷紅外探測器二期項(xiàng)目

成立于2019年的浙江玨芯微電子有限公司位于浙江省麗水市,其主營業(yè)務(wù)囊括化合物半導(dǎo)體晶體及外延材料、集成電路設(shè)計(jì)、器件工藝、高真空封裝以及精密制冷設(shè)備等...

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國產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

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碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),碳化硅器件的成本構(gòu)成中,襯底、外延...

2023-06-26 標(biāo)簽:晶體半導(dǎo)體材料碳化硅 1265 0

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【研究背景】 近年來,電動汽車、儲能電網(wǎng)和消費(fèi)電子等領(lǐng)域?qū)Ω吣芰棵芏?、長壽命鋰電池的需求不斷增加,推動了超高鎳單晶層狀氧化物作為下一代鋰電正極材料的研究...

2024-12-10 標(biāo)簽:晶體正極材料鋰電 1263 0

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    IOT
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    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    CD4046
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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
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    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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    靜電防護(hù)
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    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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