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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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半導(dǎo)體封裝的發(fā)展趨勢(shì)、結(jié)構(gòu)及類型
經(jīng)過(guò)半導(dǎo)體制造(FAB)工序制備的電路圖形化晶圓容易受溫度變化、電擊、化學(xué)和物理性外部損傷等各種因素的影響。為了彌補(bǔ)這些弱點(diǎn),將芯片與晶圓分離后再進(jìn)行包...
根據(jù)這些信息,我們可以嘗試提取和評(píng)估每季度的 EUV 晶圓產(chǎn)量。首先,由于有些季度沒(méi)有報(bào)告產(chǎn)出,我們將使用四次多項(xiàng)式擬合進(jìn)行插值。使用四次多項(xiàng)式作為最佳...
什么是晶圓翹曲?為什么會(huì)出現(xiàn)晶圓翹曲?晶圓翹曲怎么辦?
在某個(gè)封裝工藝中,使用了具有不同熱膨脹系數(shù)的封裝材料。封裝過(guò)程中,晶圓被放置在封裝基板上,后進(jìn)行加熱和冷卻步驟以完成封裝。
半導(dǎo)體封裝工藝有哪些 半導(dǎo)體封裝類型及其應(yīng)用
圖1為半導(dǎo)體封裝方法的不同分類,大致可以分為兩種:傳統(tǒng)封裝和晶圓級(jí)(Wafer-Level)封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片,然后對(duì)芯片進(jìn)行封裝;而晶...
無(wú)可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場(chǎng)中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的...
金剛石基GaN問(wèn)世 化合物半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入第三波材料技術(shù)浪潮
材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...
2023-07-19 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1089 0
半導(dǎo)體芯片封裝測(cè)試工藝流程 封裝工藝的主要流程是什么
半導(dǎo)體:生產(chǎn)過(guò)程主要可分為(晶圓制造 Wafer Fabrication) 、(封裝工序 Packaging)、(測(cè)試工序 Test) 幾個(gè)步驟。
在一個(gè)晶圓上,通常有幾百個(gè)至數(shù)千個(gè)芯片連在一起。它們之間留有80um至150um的間隙,此間隙被稱之為劃片街區(qū)(Saw Street)。
2023-07-17 標(biāo)簽:激光器晶圓芯片設(shè)計(jì) 5699 0
先進(jìn)封裝技術(shù)匯總:晶圓級(jí)芯片封裝&倒裝芯片封裝
What's C4 Flip Chip? ▼C4 is: Controlled Collapsed Chip Connection受控折疊芯...
一個(gè)晶圓被分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工藝
一個(gè)晶圓要經(jīng)歷三次的變化過(guò)程,才能成為一個(gè)真正的半導(dǎo)體芯片:首先,是將塊兒狀的鑄錠切成晶圓;在第二道工序中,通過(guò)前道工序要在晶圓的正面雕刻晶體管;最后,...
與高電壓或電流接觸會(huì)引起電擊、燒傷、肌肉和神經(jīng)損傷、心臟麻痹以及死亡。大約1mA的電流通過(guò)心臟就可能致命。統(tǒng)計(jì)資料顯示接觸到250V交流電壓的死亡率為3...
盤(pán)點(diǎn)先進(jìn)封裝基本術(shù)語(yǔ)
先進(jìn)封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時(shí)代的一大技術(shù)亮點(diǎn)。當(dāng)芯片在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上的微縮越來(lái)越困難、也越來(lái)越昂貴之際,工程師們將多個(gè)芯片...
封裝設(shè)計(jì)人員需要裝配級(jí)LVS進(jìn)行HDAP驗(yàn)證
領(lǐng)先的晶圓代工廠組裝和封測(cè)代工廠 (OSAT) 已經(jīng)在為其客戶提供高密度先進(jìn)封裝(HDAP) 服務(wù)了。晶圓代工廠/OSAT 目前提供的常見(jiàn)方法包括 2....
2023-07-11 標(biāo)簽:晶圓IC設(shè)計(jì)封裝 734 0
在前道加工領(lǐng)域:CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械...
摻雜物的種類、結(jié)深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過(guò)離子注入機(jī)的質(zhì)譜儀決定,摻雜物濃度由離子束電流與注入時(shí)間的乘積決定。四點(diǎn)探針...
晶圓級(jí)封裝的關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)
射頻前端(RFFE,Radio Frequency Front-End)模組國(guó)內(nèi)外手機(jī)終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器(PA,Power Amplifie...
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