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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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硅(Si)的深度蝕刻對(duì)于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下,通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時(shí)間的氫氧化鉀蝕刻,證明了通過(guò)蝕刻375微米厚...
晶圓切片簡(jiǎn)述與關(guān)鍵工藝參數(shù)
先進(jìn)封裝(advanced packaging)的后端工藝(back-end)之一,將晶圓或組件進(jìn)行劃片或開(kāi)槽,以利后續(xù)制程或功能性測(cè)試。
晶圓級(jí)封裝技術(shù)可定義為:直接在晶圓上進(jìn)行大部分或全部的封裝、測(cè)試程序,然后再進(jìn)行安裝焊球并切割,從而產(chǎn)出一顆顆的IC成品單元。
本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法,以及更具體地涉及使用NF在低溫下預(yù)清洗晶片,在使用硅晶片制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程中,在硅晶片的硅表面上可能會(huì)形成污染物...
設(shè)計(jì)一顆IC芯片時(shí)究竟有哪些步驟
昨天的文章中金譽(yù)半導(dǎo)體就提到了,芯片制作的第一個(gè)步驟就是制定芯片方案設(shè)計(jì),只有把芯片的內(nèi)部制造方案設(shè)計(jì)出來(lái)后,才能根據(jù)這個(gè)方案一步步完成。目前有很多專業(yè)...
2022-06-15 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科半導(dǎo)體晶圓 7642 1
淺談晶圓代工廠制程節(jié)點(diǎn)和應(yīng)用
當(dāng)MCU需求激增時(shí),8英寸晶圓往往會(huì)生產(chǎn)更多的MCU,而不是價(jià)格較低的MOSFET。另一方面,PMIC和DDIC的需求穩(wěn)定,因此晶圓代工廠商總是為PMI...
車(chē)輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量實(shí)驗(yàn)
我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車(chē)輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量。數(shù)據(jù)表明,當(dāng)使用貨車(chē)輪圖案時(shí),存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng),這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限...
在使用低溫卡盤(pán)的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率...
化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面的粘附...
封裝技術(shù)在負(fù)載開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用
從智能手機(jī)到汽車(chē),消費(fèi)者要求將更多功能封裝到越來(lái)越小的產(chǎn)品中。為了幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),TI 優(yōu)化了其半導(dǎo)體器件(包括用于子系統(tǒng)控制和電源時(shí)序的負(fù)載開(kāi)關(guān))的...
2022-04-27 標(biāo)簽:ti晶圓負(fù)載開(kāi)關(guān) 1938 0
半導(dǎo)體裝置為了達(dá)成附加值高的系統(tǒng)LSI,需要高集成化,高速化,這其中新的布線材料,絕緣膜是不可缺少的。其中,具有低電阻的Cu,作為布線材料受到關(guān)注?;瘜W(xué)...
單晶硅, 作為IC、LSI的電子材料, 用于微小機(jī)械部件的材料,也就是說(shuō),作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。其理由是, 除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外,還...
許多晶圓清洗技術(shù)都在競(jìng)爭(zhēng)高效太陽(yáng)能電池處理的使用。有些是從集成電路制造中借鑒而來(lái)的,在本工作中,對(duì)上述技術(shù)進(jìn)行了定性比較,并在清潔效率和作為預(yù)擴(kuò)散清潔的...
通過(guò)臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實(shí)驗(yàn)
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的,一般使用硫酸和過(guò)氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是,這些廢液的處理是極其困難的,與...
CMP裝置被應(yīng)用于納米級(jí)晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實(shí)去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物,CMP后的...
硅片在大口徑化的同時(shí),要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格,因此超精密磨削技術(shù)得以開(kāi)發(fā),實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化,無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC...
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