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標簽 > 晶格
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與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似,通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用...
源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度,它是通過外延生長技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料,利用硅和碳晶格常數(shù)...
導(dǎo)體的電阻與長度和橫截面積的關(guān)系是什么
電阻是導(dǎo)體對電流流動的阻礙程度的量度,它與導(dǎo)體的長度和橫截面積有著密切的關(guān)系。在一個理想的導(dǎo)體中,電流的流動是由電子在電場中的漂移而形成的。而導(dǎo)體的長度...
熱敏電阻(NTC)是一種能夠根據(jù)溫度變化而改變電阻值的元件。在溫度上升時,熱敏電阻的電阻值會相應(yīng)地下降。其工作原理基于熱敏材料的特性,下面將詳細介紹熱敏...
2024-02-02 標簽:熱敏電阻晶格冷卻系統(tǒng) 3752 0
LED 是復(fù)雜的固態(tài)器件。圖 1 顯示了典型器件的橫截面,顯示了構(gòu)成封裝 LED 的各種結(jié)構(gòu)。為簡單起見,我們將組件分為 3 個區(qū)域。首先,包含 p/n...
石墨烯發(fā)熱原理及其功能 石墨烯是一種由碳原子組成的單層二維晶格結(jié)構(gòu)材料。它的發(fā)現(xiàn)不僅引起了科學(xué)界的廣泛關(guān)注,還在眾多領(lǐng)域展示出了許多引人矚目的新功能。其...
NTC(Negative Temperature Coefficient)熱敏電阻是一種根據(jù)溫度變化而改變阻值的電子元件。它的電阻值隨著溫度的升高而減小...
氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu): 氮化鎵...
孿晶誘導(dǎo)細晶強化,相互交錯的孿晶界將母晶分割成若干細小的晶粒,誘發(fā)Hall-Petch效應(yīng)的同時也會阻礙位錯的運動,位錯在晶界處塞積引發(fā)應(yīng)力集中又可能為...
當一種組元A加到另一種組元B中形成的固體其結(jié)構(gòu)仍保留為組元B的結(jié)構(gòu)時,這種固體稱為固溶體。B組元稱為溶劑,A組元稱為溶質(zhì)。組元A、B可以是元素,可以是化合物。
當與電子器件相結(jié)合時,紅外光可以在分子水平上使傳感、成像及信號傳輸設(shè)備實現(xiàn)小型化和加快速度。為了充分利用紅外光的優(yōu)勢,用于紅外光學(xué)和光電應(yīng)用的材料需要達...
硅基復(fù)合襯底上分子束外延HgTe/CdTe超晶格結(jié)構(gòu)材料工藝研究
碲鎘汞材料具有截止波長在紅外波段內(nèi)可調(diào)節(jié)、光學(xué)吸收系數(shù)高、量子效率高等特點,是重要的紅外探測器應(yīng)用材料之一。近年來分子束外延生長碲鎘汞技術(shù)的快速發(fā)展,使...
基于II類超晶格的帶間級聯(lián)探測器首次由俄亥俄州立大學(xué)的楊瑞青教授提出,并已成功應(yīng)用于紅外光電探測中,其工作原理如圖1所示。當光照射在器件上,吸收區(qū)中的電...
基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環(huán)衍生結(jié)構(gòu)的自旋卡諾電子學(xué)器件設(shè)計
為了減小界面處的晶格形變,提高電子透射性能,我們基于STGNR和5-STGNR納米帶,設(shè)計了全新的自旋卡諾電子學(xué)器件。采用非平衡態(tài)格林函數(shù)結(jié)合密度泛函理...
新開發(fā)的原子工程技術(shù)為高k電介質(zhì)中的鐵電行為提供了令人興奮的機遇,高k電介質(zhì)是與硅相比具有高介電常數(shù)的材料。這還可以為更先進且具有更廣泛功能或特性的CM...
石墨烯作為一種由單層碳原子構(gòu)成的二維材料,憑借其卓越的電子性質(zhì)引起了廣泛關(guān)注??茖W(xué)家一直在積極研究石墨烯的邊界態(tài),這些邊界態(tài)展現(xiàn)了獨特的能帶結(jié)構(gòu)、拓撲性...
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