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標簽 > 晶格
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金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進展。本文主要從關于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩...
InAs/GaSb II類超晶格長波焦平面陣列臺面ICP刻蝕技術研究
基于GaSb材料,包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設計成各種新型材料和器件,尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨特的II型能帶結(jié)構,可以...
中南大學周江教授Angewandte Chemie廢富鎳正極直接升級為富鋰單晶正極的通用熔鹽法!
為了獲得進一步的認識,實時記錄晶體結(jié)構的演變對于研究單晶和富鋰產(chǎn)物的形成機制至關重要。圖2a顯示了在空氣氣氛中從30℃到800℃合成過程中原位x射線衍射...
本文通過FDTD Solutions建立Ⅱ類超晶格紅外焦平面陣列器件仿真模型,通過改變多層膜中的膜系厚度得到透射和反射光譜,經(jīng)由仿真結(jié)果選擇合適的膜系及...
具有極低晶格熱導率的半導體在熱電材料和熱障涂層等與熱能轉(zhuǎn)換和管理相關的應用領域非常受歡迎。雖然晶體結(jié)構和化學鍵在形成傳熱行為中起著至關重要的作用,但利用...
2022-10-09 標簽:數(shù)據(jù)庫晶格熱電材料 1638 0
基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環(huán)衍生結(jié)構的自旋卡諾電子學器件設計
為了減小界面處的晶格形變,提高電子透射性能,我們基于STGNR和5-STGNR納米帶,設計了全新的自旋卡諾電子學器件。采用非平衡態(tài)格林函數(shù)結(jié)合密度泛函理...
層狀鈣鈦礦La4NiLiO8中氧空位/間隙能夠有效抑制表面晶格中高活性氧釋放,從而提高了電池安全性能,緩解了超高鎳層狀氧化物正極材料LiNi0.9Co0...
CO2輔助生成富含晶界的Cu催化劑實現(xiàn)高效CO-CO偶聯(lián)
結(jié)構表征揭示,在CO2的輔助下,La2CuO4鈣鈦礦氧化物中的La位點能夠從晶格中脫出溶解,誘導了晶格中Cu位點的還原和重排,最終形成富含晶界的多晶銅納...
孿晶誘導細晶強化,相互交錯的孿晶界將母晶分割成若干細小的晶粒,誘發(fā)Hall-Petch效應的同時也會阻礙位錯的運動,位錯在晶界處塞積引發(fā)應力集中又可能為...
研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測器件成果的基礎上(ACS Nano,2021,15:16654),經(jīng)過不斷探索,通過插入合適的寬帶隙材料...
曹原導師最新《Nat. Nanotech》:在魔角石墨烯中實現(xiàn)開關超導性
低溫傳輸測量證明了高質(zhì)量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時的預期特征。在圖1b中,四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎混合室溫度為40 mK時使...
硅基復合襯底上分子束外延HgTe/CdTe超晶格結(jié)構材料工藝研究
碲鎘汞材料具有截止波長在紅外波段內(nèi)可調(diào)節(jié)、光學吸收系數(shù)高、量子效率高等特點,是重要的紅外探測器應用材料之一。近年來分子束外延生長碲鎘汞技術的快速發(fā)展,使...
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