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標(biāo)簽 > 雜散電感
雜散電感是指由電路中的導(dǎo)體如:連接導(dǎo)線、元件引線、元件本體等呈現(xiàn)出來的等效電感 。
變流器雜散電感會(huì)使IGBT的集、射極之間產(chǎn)生較高的電壓尖峰,從而造成較大的電磁干擾,甚至導(dǎo)致絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)損壞。若能測(cè)量變流器雜散電感,則可在一定程度上預(yù)估該電壓尖峰,并設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)木彌_電路。
雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(1)
IGBT的開關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合,都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...
雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(2)
為驗(yàn)證對(duì)主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動(dòng)情況下的實(shí)際情況,我們?nèi)藶閷?duì)Lp 大小進(jìn)行了干預(yù),其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間...
基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)
功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..
IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹
IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))
2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電源電壓 2195 0
納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611在電控系統(tǒng)中的運(yùn)用介紹
主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車的重要組成部分,本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā),介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能,并重點(diǎn)介紹納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6...
2024-03-18 標(biāo)簽:功率管電控系統(tǒng)雜散電感 4329 0
一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...
瞻芯電子推出一款車規(guī)級(jí)1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日,瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC...
安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布 解決補(bǔ)能焦慮
實(shí)際上,近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn),多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車型上市。
2024-04-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美逆變器 893 0
本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù):寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試...
熾芯微電開業(yè)!專注于碳化硅塑封功率模塊封測(cè)研發(fā)
1月19日,熾芯微電子科技(蘇州)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“熾芯微電”)在恒泰智造·蘇州納米城Ⅴ區(qū)開業(yè)。
閉合導(dǎo)線測(cè)量步驟詳解? 閉合導(dǎo)線測(cè)量是一種常用的電路參數(shù)測(cè)量方法,它可以用來測(cè)量電阻、電感和電容等電路元件的參數(shù)。閉合導(dǎo)線測(cè)量的原理是利用電流-電壓特性...
賽晶科技發(fā)布一種車規(guī)級(jí)HEEV封裝SiC模塊
賽晶科技表示,為電動(dòng)汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊,導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ(@25℃),可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng),并滿足電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)...
2023-09-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器電阻器 799 0
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