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      標(biāo)簽　>　雜散電感

      雜散電感

      +關(guān)注0人關(guān)注

      　　雜散電感是指由電路中的導(dǎo)體如：連接導(dǎo)線、元件引線、元件本體等呈現(xiàn)出來(lái)的等效電感 。

      文章：29個(gè) 瀏覽：6418次 帖子：0個(gè)

      雜散電感技術(shù)

      IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中夾具雜散電感的影響

      IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中夾具雜散電感的影響

      在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的layout...

      2025-06-04 標(biāo)簽：IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試 520 0

      雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響(2)

      雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響(2)

      為驗(yàn)證對(duì)主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門(mén)極驅(qū)動(dòng)情況下的實(shí)際情況，我們?nèi)藶閷?duì)Lp 大小進(jìn)行了干預(yù)，其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間...

      2025-04-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT雜散電感 500 0

      雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響(1)

      雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響(1)

      IGBT的開(kāi)關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...

      2025-04-22 標(biāo)簽：IGBT變流器雜散電感 823 0

      影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

      影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

      并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量，因此需要盡量對(duì)稱(chēng)；

      2024-05-10 標(biāo)簽：二極管IGBT雜散電感 1979 0

      基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

      基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

      功率模塊從硅IGBT技術(shù)過(guò)渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而，從硅IGBT時(shí)代留下來(lái)的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化，因?yàn)樗鼈?..

      2024-05-08 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率模塊 1435 0

      IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

      IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

      IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法（LS1，LS2為雜散參數(shù)）

      2024-04-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器IGBT電源電壓 2452 0

      納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611在電控系統(tǒng)中的運(yùn)用介紹

      納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6611在電控系統(tǒng)中的運(yùn)用介紹

      主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車(chē)的重要組成部分，本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā)，介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能，并重點(diǎn)介紹納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動(dòng)NSI6...

      2024-03-18 標(biāo)簽：功率管電控系統(tǒng)雜散電感 4795 0

      一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響

      一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響

      IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

      2024-03-08 標(biāo)簽：IGBT功率模塊碳化硅 2421 0

      如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置？

      如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置？

      利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。

      2023-11-24 標(biāo)簽：二極管示波器IGBT 2022 0

      IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析

      IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析

      通過(guò)雙脈沖測(cè)試，可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。

      2023-11-24 標(biāo)簽：IGBT直流母線脈沖測(cè)試 1.4萬(wàn) 0

      IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

      IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

      通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的，而實(shí)際應(yīng)用中的外部...

      2023-11-24 標(biāo)簽：示波器IGBT續(xù)流二極管 5122 0

      如何實(shí)現(xiàn)純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)三相線濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)？

      如何實(shí)現(xiàn)純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)三相線濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)？

      電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的主要干擾源是功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，目前車(chē)用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH，同時(shí)由于電路中雜散電感等寄生參數(shù)的存在

      2023-11-09 標(biāo)簽：IGBT電磁兼容性雜散電感 2843 0

      聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車(chē)規(guī)模塊

      聊一聊英飛凌DSC(雙面水冷)的車(chē)規(guī)模塊

      新能源汽車(chē)向著高功率密度和高可靠性的方向發(fā)展，為了滿足這方面的需求，功率模塊無(wú)論從電氣性能（Si基和WBG材料的芯片）還是封裝（低雜散電感，先進(jìn)的互連技...

      2023-10-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)逆變器 2096 0

      IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

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      在IGBT模塊的使用過(guò)程中，關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓，特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高

      2023-10-10 標(biāo)簽：IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 2003 0

      車(chē)規(guī)模塊系列：賽米控SKiN技術(shù)介紹

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      芯片互連技術(shù)包括兩大類(lèi)，有綁定線和無(wú)綁定線兩大類(lèi)。其中，有綁定線的，我們?cè)偈煜げ贿^(guò)了，也是技術(shù)最為成熟的一類(lèi)

      2023-10-10 標(biāo)簽：散熱器IGBTSiC 2246 0

      碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

      碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

      碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

      2023-09-27 標(biāo)簽：BGASiC芯片封裝 975 0

      IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些？

      IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些？

      IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴(lài)于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。

      2023-08-04 標(biāo)簽：分壓器IGBT短路 2718 0

      碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢？

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      碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

      2023-08-03 標(biāo)簽：振蕩器電磁干擾BGA封裝 649 0

      igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)

      igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)

      在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下，允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。

      2023-07-21 標(biāo)簽：二極管連接器IGBT 6876 0

      新能源電機(jī)絕緣系統(tǒng)關(guān)鍵參數(shù)-PDIV（一）

      新能源電機(jī)絕緣系統(tǒng)關(guān)鍵參數(shù)-PDIV（一）

      直奔主題，下圖為典型的雙電極電壓（極性從正極到負(fù)極交替變化的電壓）沖擊圖。

      2023-07-18 標(biāo)簽：二極管MOSFETSiC 3135 0

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        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
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        無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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        ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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        　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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      • DCDC電源
        DCDC電源
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        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
      • LT8705
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