完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 柵極電壓
文章:62個(gè) 瀏覽:12970次 帖子:0個(gè)
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和良好的線性特性,在現(xiàn)代電子電路中扮演著重要角色。然而,由于制造缺陷、環(huán)境因素或設(shè)計(jì)不當(dāng),MOS管電路可能會(huì)出現(xiàn)故障。 M...
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件,...
2024-09-29 標(biāo)簽:電流VDMOS半導(dǎo)體器件 1722 0
HSPICE共源放大電路仿真分析涉及多個(gè)方面,包括電路的設(shè)計(jì)、仿真設(shè)置、仿真結(jié)果解讀等。以下是一個(gè)基于HSPICE進(jìn)行共源放大電路仿真分析的概述: 一、...
電子管簾柵極電壓大小對(duì)音質(zhì)有關(guān)嗎
電子管(真空管)是一種電子器件,它利用電子在真空或惰性氣體中的運(yùn)動(dòng)來控制電流。電子管在20世紀(jì)初至20世紀(jì)中期廣泛用于無線電、電視和音響設(shè)備中。盡管現(xiàn)代...
五極管,也稱為五極真空管或五極電子管,是一種在電子學(xué)和無線電工程中使用的電子管。它由五個(gè)電極組成:陰極(cathode)、控制柵極(control gr...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個(gè)關(guān)鍵參...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用過程中,吸收電容是一種常見的輔助元件,用于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等...
2024-08-01 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體器件導(dǎo)電性 1446 0
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,保護(hù)板是一種重要的組件,它能夠保護(hù)電池在過充、過放、過流、短路等情況下不受損害。保護(hù)板通常由一些電子元件組成,如MOSFET...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的工作區(qū)主要涉及其在不同工作狀態(tài)下的安全運(yùn)行區(qū)域,這些區(qū)域定義了IGBT在特定條件下的電壓、電流及功率限制,以確保其穩(wěn)定運(yùn)...
類別:電源技術(shù) 2023-12-29 標(biāo)簽:筆記本電源管理供電系統(tǒng) 490 0
首鼎/SHOUDING 低壓充電源IC SDA09T規(guī)格書立即下載
類別:電源技術(shù) 2023-12-27 標(biāo)簽:PWM負(fù)載開關(guān)柵極電壓 185 0
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高輸入阻抗、低功耗和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS管電子設(shè)備場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1736 0
MOS管在LED驅(qū)動(dòng)電源中的應(yīng)用
隨著LED技術(shù)的快速發(fā)展,LED照明因其高亮度、低能耗和長壽命等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為照明市場(chǎng)的主流選擇。LED驅(qū)動(dòng)電源作為LED照明系統(tǒng)的核心部件,其性能直接...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管LED驅(qū)動(dòng)電源柵極電壓 2015 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅(qū)動(dòng)簡單等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,由于其...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 1483 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,直流電機(jī)因其高效、可控和可靠的特性而被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品中。MOS管因其高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻成為控制直流電機(jī)的理想選擇。...
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和易于集成等優(yōu)點(diǎn),在電子電路中扮演著重要角色。然而,為了確保MOS管在實(shí)際應(yīng)用中的性能,必須進(jìn)行一系列的性能測(cè)試。這些測(cè)試...
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系?
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系? IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓、...
日本團(tuán)隊(duì)公布金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展
早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結(jié)構(gòu),其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端(C-Si-O 終端),當(dāng)柵極電壓...
2024-01-02 標(biāo)簽:MOSFETMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1395 0
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓? 大部分情況下,場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓(G極)不會(huì)大于漏極電壓(D極)。這是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的工作原...
2023-11-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管柵極電壓 2534 0
為什么MOS管和BJT管的三端不能任意作為輸入和輸出?? 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)中最基礎(chǔ)的電子器件。而MOS管和BJT管是晶體管的兩種主要類型。它們被廣泛應(yīng)...
2023-09-21 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管BJT管 2178 0
為什么放大管的Vgs-Vth一般設(shè)定在0.2V左右?
為什么放大管的Vgs-Vth一般設(shè)定在0.2V左右? 放大管的Vgs-Vth一般設(shè)定在0.2V左右? 放大管是電子設(shè)備中非常重要的一種元器件,它可以將低...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |