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標簽 > 柵極電壓
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LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
該 LMG1205 設(shè)計用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè)增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用...
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和良好的線性特性,在現(xiàn)代電子電路中扮演著重要角色。然而,由于制造缺陷、環(huán)境因素或設(shè)計不當,MOS管電路可能會出現(xiàn)故障。 M...
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件,...
HSPICE共源放大電路仿真分析涉及多個方面,包括電路的設(shè)計、仿真設(shè)置、仿真結(jié)果解讀等。以下是一個基于HSPICE進行共源放大電路仿真分析的概述: 一、...
電子管(真空管)是一種電子器件,它利用電子在真空或惰性氣體中的運動來控制電流。電子管在20世紀初至20世紀中期廣泛用于無線電、電視和音響設(shè)備中。盡管現(xiàn)代...
五極管,也稱為五極真空管或五極電子管,是一種在電子學和無線電工程中使用的電子管。它由五個電極組成:陰極(cathode)、控制柵極(control gr...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個關(guān)鍵參...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用過程中,吸收電容是一種常見的輔助元件,用于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可...
場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等...
2024-08-01 標簽:場效應(yīng)晶體管半導體器件導電性 1739 0
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,保護板是一種重要的組件,它能夠保護電池在過充、過放、過流、短路等情況下不受損害。保護板通常由一些電子元件組成,如MOSFET...
具有柵極電壓整形和放電功能的9通道電平移位器TPS65192數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-07 335 0
類別:電源技術(shù) 2023-12-29 標簽:筆記本電源管理供電系統(tǒng) 560 0
首鼎/SHOUDING 低壓充電源IC SDA09T規(guī)格書立即下載
類別:電源技術(shù) 2023-12-27 標簽:PWM負載開關(guān)柵極電壓 211 0
MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管)因其高輸入阻抗、低功耗和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
2024-11-15 標簽:MOS管電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管 2000 0
隨著LED技術(shù)的快速發(fā)展,LED照明因其高亮度、低能耗和長壽命等優(yōu)點,逐漸成為照明市場的主流選擇。LED驅(qū)動電源作為LED照明系統(tǒng)的核心部件,其性能直接...
2024-11-05 標簽:MOS管LED驅(qū)動電源柵極電壓 2484 0
MOS管(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅(qū)動簡單等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,由于其...
2024-11-05 標簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電子電路 1730 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,直流電機因其高效、可控和可靠的特性而被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費產(chǎn)品中。MOS管因其高速開關(guān)特性和低導通電阻成為控制直流電機的理想選擇。...
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和易于集成等優(yōu)點,在電子電路中扮演著重要角色。然而,為了確保MOS管在實際應(yīng)用中的性能,必須進行一系列的性能測試。這些測試...
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系?
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系? IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉(zhuǎn)換為高電壓、...
早稻田大學和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結(jié)構(gòu),其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端(C-Si-O 終端),當柵極電壓...
2024-01-02 標簽:MOSFETMOS場效應(yīng)晶體管 1486 0
N溝道場效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?
N溝道場效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓? 大部分情況下,場效應(yīng)管的柵極電壓(G極)不會大于漏極電壓(D極)。這是因為場效應(yīng)管的工作原...
2023-11-23 標簽:場效應(yīng)管柵極電壓 2666 0
為什么MOS管和BJT管的三端不能任意作為輸入和輸出?? 晶體管是現(xiàn)代電子學中最基礎(chǔ)的電子器件。而MOS管和BJT管是晶體管的兩種主要類型。它們被廣泛應(yīng)...
2023-09-21 標簽:MOS管場效應(yīng)晶體管BJT管 2330 0
為什么放大管的Vgs-Vth一般設(shè)定在0.2V左右?
為什么放大管的Vgs-Vth一般設(shè)定在0.2V左右? 放大管的Vgs-Vth一般設(shè)定在0.2V左右? 放大管是電子設(shè)備中非常重要的一種元器件,它可以將低...
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