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柵極驅(qū)動器

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　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 柵極驅(qū)動器選型

柵極驅(qū)動器技術(shù)

UCC5390-Q1 汽車級 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC M...

2025-05-17 標(biāo)簽：電源 MOSFET SiC 406 0

UCC21710-Q1 汽車級 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 490 0

UCC21750 5.7kVrms ±10A，單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21750 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為工作電壓高達(dá) 2121 V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)功...

2025-05-17 標(biāo)簽：IGBT 隔離技術(shù)拉電流 474 0

UCC21750-Q1 汽車5.7kVrms，±10A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21750-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 307 0

UCC21320-Q1 汽車級 3.75kVrms、4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21320-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、I...

2025-05-17 標(biāo)簽：驅(qū)動器電源電壓柵極驅(qū)動器 230 0

UCC21739-Q1 汽車級 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 345 0

UCC5350-Q1 汽車類 ±5A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5350-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC...

2025-05-17 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管峰值電流 361 0

UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21540-Q1 器件是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A...

2025-05-17 標(biāo)簽：可編程晶體管 GaN 308 0

UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 2 級關(guān)斷功能，用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊

UCC21732 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)功能...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT CMT 305 0

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SPI接口 292 0

UCC21710 5.7kVrms ±10A，單通道隔離式柵極驅(qū)動器，帶 OC 檢測，用于 IGBT/SiC 的內(nèi)部箝位數(shù)據(jù)手冊

UCC21710 是一款電隔離式單通道柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動態(tài)性能...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 239 0

UCC23514 5kVrms 4A/5A，單通道光學(xué)兼容隔離柵極驅(qū)動器，帶有鉗位和分割輸出選項(xiàng)數(shù)據(jù)手冊

UCC23514 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET FET SiC 249 0

UCC21759-Q1 汽車級3.0kVrms，±10A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 250 0

UCC21540A-Q1 汽車5.7kVrms，4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器，具有5V UVLO和3.3mm通道間距數(shù)據(jù)手冊

2025-05-16 標(biāo)簽：晶體管 UVLO GaN 257 0

UCC21542 5.7kVrms，4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流，可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器晶體管 250 0

UCC23313-Q1 具有 8V/12V UVLO 的汽車級 3.75kVrms、4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23313-Q1 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 4.5A 拉電流和 5.3...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 257 0

UCC23513-Q1 汽車級 5.7kVrms，4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23513-Q1 驅(qū)動器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動器，具有 4.5A 的拉電流和...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 電源電壓 FET 208 0

UCC27624 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27624 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27624具有 5A 的典...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)IGBT 224 0

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級 10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21737-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 219 0

UCC21755-Q1 具有主動保護(hù)和隔離感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 233 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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柵極驅(qū)動器

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