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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)
什么是柵極驅(qū)動(dòng),說(shuō)白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動(dòng),柵極用PWM方波驅(qū)動(dòng),但是會(huì)形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會(huì)形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開(kāi)關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
推薦電容值必須根據(jù)使用的器件和應(yīng)用條件來(lái)選擇。如果電容過(guò)小,自舉電容在上管開(kāi)通時(shí)下降紋波過(guò)大,降低電容的使用壽命,開(kāi)關(guān)管損耗變高,開(kāi)關(guān)可靠性也變低;如果...
MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
驅(qū)動(dòng)電路和以兩個(gè)輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動(dòng)電路和它的浮動(dòng)偏置可以通過(guò)低壓電路實(shí)現(xiàn),因?yàn)檩斎腚妷翰粫?huì)作用到這些電路上。
2023-12-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 1742 0
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng) 1137 0
直流電源轉(zhuǎn)換芯片LM5176設(shè)計(jì)參考點(diǎn)
CS:電流檢測(cè)放大器輸入的正極 17.PGOOD:power-good開(kāi)漏輸出引腳,當(dāng)FB引腳電壓值超出參考電壓一定范圍時(shí),此引腳拉低。
IGBT模塊/IPM的安全運(yùn)行設(shè)計(jì)方案
由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時(shí)有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路可以對(duì)超出IGBT 安全工作區(qū)的運(yùn)行模式加以保護(hù)以免...
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片
柵極驅(qū)動(dòng)芯片可根據(jù)功能分為多種類型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。
2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 6031 0
如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度提高SiC牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì),這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù),例如效率(影響電動(dòng)汽車行駛里程)和 SiC過(guò)沖(影響可靠性)。
2023-07-04 標(biāo)簽:SiC柵極驅(qū)動(dòng)牽引逆變器 979 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用設(shè)計(jì)
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間...
2023-06-25 標(biāo)簽:MOSFET電阻器柵極驅(qū)動(dòng) 977 0
IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
前面我們也聊到過(guò)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺(jué)人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 3265 0
集成Cortex-M0內(nèi)核的車規(guī)級(jí)MCU概述
LCA037BT(K)32EU8 是集成 Cortex-M0 內(nèi)核的車規(guī)級(jí) MCU,面向電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域,集成了三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)模塊
2023-03-03 標(biāo)簽:mcuCortex-M0柵極驅(qū)動(dòng) 1186 0
mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)電路案例分析
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-01-02 標(biāo)簽:MOSFET齊納二極管柵極驅(qū)動(dòng) 1475 0
PFC拓?fù)淅霉鐼OSFET的模塊化柵極驅(qū)動(dòng)方法
本文介紹了一種多級(jí)圖騰柱PFC拓?fù)?,該拓?fù)淅霉鐼OSFET的簡(jiǎn)單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動(dòng)方法,實(shí)現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比,通...
2022-10-19 標(biāo)簽:MOSFETPFC柵極驅(qū)動(dòng) 1762 0
淺談柵極驅(qū)動(dòng)器和電源環(huán)路的布線
并聯(lián)MOSFET可實(shí)現(xiàn)高功率設(shè)計(jì)(如交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器),并且可以在多個(gè)級(jí)別完成。在為并聯(lián)MOSFET實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器時(shí),其柵極不應(yīng)直接連接在一起,而應(yīng)將柵極電...
2022-10-19 標(biāo)簽:電容器柵極驅(qū)動(dòng) 1859 0
高頻逆變器后級(jí)電路圖一: 中C1,C2分別是Q1,Q2的GD結(jié)電容,左邊上下兩個(gè)波形分別是Q1,Q2的柵極驅(qū)動(dòng)波形。我們先從t1-t2死區(qū)時(shí)刻開(kāi)始分...
2022-08-15 標(biāo)簽:示波器逆變器柵極驅(qū)動(dòng) 4817 0
恩智浦GD3160高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)確保功率轉(zhuǎn)換器安全、高效運(yùn)行
RoadPak SiC MOSFET 1.2kV模塊完美滿足上述要求,其采用半橋配置,每側(cè)可并聯(lián)多達(dá)10個(gè)SiC MOSFET芯片,支持大電流。
2022-08-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器恩智浦柵極驅(qū)動(dòng) 4282 0
全新高集成三相電機(jī)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片
TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 PMSM 伺服或 BLDC 電機(jī)。支持高達(dá) 100 A 電機(jī)電流的外部MOS...
2022-03-23 標(biāo)簽:芯片三相電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng) 5025 0
1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動(dòng)器可靠、安全地驅(qū)動(dòng) 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGB...
2021-06-26 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)光纖接口 2942 0
獨(dú)特的柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用支持高功率放大器快速開(kāi)啟/關(guān)閉
通過(guò)漏極控制開(kāi)關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個(gè)串聯(lián)FET開(kāi)啟輸入HPA的高電壓??刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。
2021-06-02 標(biāo)簽:功率放大器RF柵極驅(qū)動(dòng) 1552 0
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