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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)
什么是柵極驅(qū)動(dòng),說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動(dòng),柵極用PWM方波驅(qū)動(dòng),但是會形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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如何設(shè)計(jì)MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻
本文詳細(xì)介紹了MOS管的電路模型、開關(guān)過程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲等對MOS管驅(qū)動(dòng)波形的影響,及根據(jù)這些參數(shù)對驅(qū)動(dòng)波形的影響進(jìn)行的驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)...
2018-11-05 標(biāo)簽:MOS管柵極驅(qū)動(dòng)張飛電子 2.4萬 0
推薦電容值必須根據(jù)使用的器件和應(yīng)用條件來選擇。如果電容過小,自舉電容在上管開通時(shí)下降紋波過大,降低電容的使用壽命,開關(guān)管損耗變高,開關(guān)可靠性也變低;如果...
超級結(jié)MOSFET開關(guān)速度和導(dǎo)通損耗問題
利用仿真技術(shù)驗(yàn)證了由于源極LSource生成反電動(dòng)勢VLS,通過MOSFET的電壓并不等于全部的驅(qū)動(dòng)電壓VDRV。MOSFET導(dǎo)通時(shí)3引腳封裝的反電動(dòng)勢...
2018-03-30 標(biāo)簽:MOSFET封裝柵極驅(qū)動(dòng) 1.2萬 0
一種獨(dú)特但簡單的柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路
在脈沖雷達(dá)應(yīng)用中,從發(fā)射到接收操作的過渡期間需要快速開啟/關(guān)閉高功率放大器 (HPA)。典型的轉(zhuǎn)換時(shí)間目標(biāo)可
2018-03-05 標(biāo)簽:adi柵極驅(qū)動(dòng) 1.1萬 0
mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。
直流電源轉(zhuǎn)換芯片LM5176設(shè)計(jì)參考點(diǎn)
CS:電流檢測放大器輸入的正極 17.PGOOD:power-good開漏輸出引腳,當(dāng)FB引腳電壓值超出參考電壓一定范圍時(shí),此引腳拉低。
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型要求,如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片
柵極驅(qū)動(dòng)芯片可根據(jù)功能分為多種類型,如單路、雙路、多路等。因此,在選型時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。
2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 6031 0
三角波調(diào)制可控制器RT引腳的電流,實(shí)現(xiàn)PWM振蕩器的抖動(dòng)。串聯(lián)的電阻器用于設(shè)置調(diào)制抖動(dòng)百分比。低頻三角波通過耦合電容器改變在電阻器電壓。
基于UCC21225A隔離雙路柵極驅(qū)動(dòng)和參考設(shè)計(jì)
TI公司的ucc21225A是隔離雙路柵極驅(qū)動(dòng)器,具有源電流4A和沉峰值電流6A,封裝為5-mm x 5-mm LGA-13.可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)5MHz的功率...
2019-08-04 標(biāo)簽:晶體管柵極驅(qū)動(dòng) 5080 0
全新高集成三相電機(jī)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片
TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 PMSM 伺服或 BLDC 電機(jī)。支持高達(dá) 100 A 電機(jī)電流的外部MOS...
2022-03-23 標(biāo)簽:芯片三相電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng) 5025 0
柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用領(lǐng)域介紹及如何優(yōu)化驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)?
熟練掌握高壓MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
2018-08-16 標(biāo)簽:pcb驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng) 4918 0
高頻逆變器后級電路圖一: 中C1,C2分別是Q1,Q2的GD結(jié)電容,左邊上下兩個(gè)波形分別是Q1,Q2的柵極驅(qū)動(dòng)波形。我們先從t1-t2死區(qū)時(shí)刻開始分...
2022-08-15 標(biāo)簽:示波器逆變器柵極驅(qū)動(dòng) 4817 0
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動(dòng)器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動(dòng)器電壓或者實(shí)測,或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng) 4383 0
恩智浦GD3160高級柵極驅(qū)動(dòng)確保功率轉(zhuǎn)換器安全、高效運(yùn)行
RoadPak SiC MOSFET 1.2kV模塊完美滿足上述要求,其采用半橋配置,每側(cè)可并聯(lián)多達(dá)10個(gè)SiC MOSFET芯片,支持大電流。
2022-08-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器恩智浦柵極驅(qū)動(dòng) 4282 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的GS(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:電阻MOS管場效應(yīng)晶體管 3790 0
ACPL-302J智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器技術(shù)分析
新型ACPL-302J是一款智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器,可改善隔離式電源并簡化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。
2021-05-24 標(biāo)簽:光耦合器DC-DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng) 3751 0
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...
2021-01-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 3425 0
IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 3265 0
1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動(dòng)器可靠、安全地驅(qū)動(dòng) 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGB...
2021-06-26 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)光纖接口 2942 0
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類驅(qū)動(dòng)器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...
2021-04-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件氮化鎵 2740 0
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