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標簽 > 柵極驅(qū)動
什么是柵極驅(qū)動,說白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動,柵極用PWM方波驅(qū)動,但是會形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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igbt柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動條件對IGBT的...
并聯(lián)MOSFET可實現(xiàn)高功率設(shè)計(如交錯式升壓轉(zhuǎn)換器),并且可以在多個級別完成。在為并聯(lián)MOSFET實現(xiàn)驅(qū)動器時,其柵極不應(yīng)直接連接在一起,而應(yīng)將柵極電...
本文介紹了一種多級圖騰柱PFC拓撲,該拓撲利用硅MOSFET的簡單性和成熟度以及一種新穎的模塊化柵極驅(qū)動方法,實現(xiàn)了與使用寬帶隙半導(dǎo)體的傳統(tǒng)電路相比,通...
MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設(shè)計指南
驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實現(xiàn),因為輸入電壓不會作用到這些電路上。
獨特的柵極驅(qū)動應(yīng)用支持高功率放大器快速開啟/關(guān)閉
通過漏極控制開關(guān)HPA的典型配置如圖1所示。一個串聯(lián)FET開啟輸入HPA的高電壓??刂齐娐沸枰獙⑦壿嬰娖矫}沖轉(zhuǎn)換為更高電壓以使串聯(lián)FET導(dǎo)通。
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
光電隔離柵極驅(qū)動器的CMTI額定值僅為35 V/ns至50 V/ns,這限制了功率FET的切換速度。這導(dǎo)致功率FET的功耗更高、效率更低、尺寸更大、系統(tǒng)...
簡化汽車車身電機控制器設(shè)計,快速實現(xiàn)輕量化
本文中,我們將討論可幫助應(yīng)對這些設(shè)計挑戰(zhàn)、集成到電機驅(qū)動集成電路中的特定模擬功能。
2020-12-14 標簽:德州儀器場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動 1448 0
適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢,為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設(shè)計的柵...
柵極驅(qū)動芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量...
2024-09-18 標簽:芯片電流場效應(yīng)晶體管 1209 0
集成Cortex-M0內(nèi)核的車規(guī)級MCU概述
LCA037BT(K)32EU8 是集成 Cortex-M0 內(nèi)核的車規(guī)級 MCU,面向電機控制等應(yīng)用領(lǐng)域,集成了三相半橋柵極驅(qū)動模塊
MOSFET柵極驅(qū)動電路應(yīng)用設(shè)計
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間...
如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度提高SiC牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點介紹實時可變柵極驅(qū)動強度的技術(shù)優(yōu)勢,這項新功能可讓設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù),例如效率(影響電動汽車行駛里程)和 SiC過沖(影響可靠性)。
柵極驅(qū)動芯片選型時考慮低功耗的原因主要有以下幾點: 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動芯片能夠顯著降低整個系統(tǒng)的待機功耗,這對于需要長時間運行的電子設(shè)...
KP8562X 在 BLDC 驅(qū)動中的應(yīng)用介紹
無刷直流電機 (BLDC) 具有壽命長、靜音、高動態(tài)響應(yīng)等諸多優(yōu)點,在各類應(yīng)用中的使用已越來越普遍。常用的 BLDC 驅(qū)動多由控制單元、三顆半橋柵極驅(qū)動...
柵極驅(qū)動IC虛焊是否會導(dǎo)致燒毀,這個問題涉及到多個因素,包括虛焊的嚴重程度、工作環(huán)境條件以及柵極驅(qū)動IC本身的特性等。以下是對這一問題的分析: 一、虛焊...
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
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