柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極技術(shù)

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

2025-04-02 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 312 0

柵極技術(shù)的工作原理和制造工藝

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。

2025-03-27 標(biāo)簽：集成電路晶體管制造工藝 334 0

一文詳解寄生參數(shù)對柵極震蕩的影響

在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計(jì)者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預(yù)期電氣參數(shù)。...

2025-03-14 標(biāo)簽：電阻電感柵極 1865 0

晶體管柵極結(jié)構(gòu)形成

柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例...

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片晶體管柵極 655 0

FinFET制造工藝的具體步驟

本文介紹了FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）制造過程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

2025-01-20 標(biāo)簽：晶圓晶體管柵極 1999 0

用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運(yùn)行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，尤其是那些部署在偏遠(yuǎn)地區(qū)并由電池...

2025-01-25 標(biāo)簽：MOSFET 定時(shí)器柵極 433 0

既然MOSFET柵-源阻抗非常大，為什么設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)MOS電路的柵極電流還要大？1200字說清楚

三極管是流控型器件，通過電流控制三極管的工作區(qū)，而MOSFET與之相對是壓控型器件，柵-源阻抗非常大，我們一般認(rèn)為MOSFET柵-源工作電流可以忽略，那...

2025-01-02 標(biāo)簽：三極管電流 MOSFET 3884 0

MOSFET柵極和源極的下拉電阻有什么作用

MOSFET柵極與源極之間加一個(gè)電阻?這個(gè)電阻有什么作用?

2024-12-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管柵極 3367 0

MOS管的閾值電壓是什么

MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)，對MOS...

2024-10-29 標(biāo)簽：MOS管柵極閾值電壓 4253 0

VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開啟，電流在溝道內(nèi)...

2024-10-08 標(biāo)簽：二極管 VDMOS 柵極 1517 0

五極管的簾柵極相當(dāng)于陽極還是陰極

五極管的簾柵極既不等同于陽極，也不等同于陰極，它是五極管特有的一個(gè)電極，具有獨(dú)特的功能和作用。五極管主要由屏極、抑制柵極、控制柵極、簾柵極和陰極五個(gè)電...

2024-09-24 標(biāo)簽：穩(wěn)壓電源五極管電極 672 0

電子管柵極電流和燈絲電壓的關(guān)系

電子管是一種早期的電子器件，它利用熱發(fā)射電子來控制電流的流動(dòng)。電子管主要由陰極、柵極、屏極和板極組成。在電子管中，柵極電流和燈絲電壓是兩個(gè)重要的參數(shù)，它...

2024-09-24 標(biāo)簽：電流電壓柵極 1781 0

結(jié)型場效應(yīng)晶體管的工作原理和特性

結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其工作原理和特...

2024-10-07 標(biāo)簽：JFET 柵極場效應(yīng)晶體管 1797 0

柵極和源極之間的穩(wěn)壓二極管的作用

在電子學(xué)中，穩(wěn)壓二極管是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它能夠?qū)㈦妷悍€(wěn)定在一個(gè)特定的水平。這種器件通常用于電源管理、信號(hào)處理和保護(hù)電路中。在討論穩(wěn)壓二極管的作用時(shí)...

2024-09-18 標(biāo)簽：穩(wěn)壓二極管柵極源極 1299 0

Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度

來源：C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度（LER）指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化，即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...

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逆變器柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的生成和傳輸

逆變器帶載柵極波型的原因是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的因素。逆變器的工作原理和結(jié)構(gòu) 逆變器是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于...

2024-08-14 標(biāo)簽：電子設(shè)備逆變器柵極 668 0

逆變器帶載柵極波型的原因

逆變器帶載柵極波型的原因是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的因素。逆變器的工作原理和結(jié)構(gòu) 逆變器是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備。它的主要功...

2024-08-14 標(biāo)簽：電子設(shè)備逆變器柵極 533 0

igbt功率管柵極和集電極并聯(lián)電容的作用

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGB...

2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT 柵極集電極 3021 0

MOS管什么情況下會(huì)短路

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）在多種情況...

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半導(dǎo)體器件電荷載流的控制：柵極技術(shù)解析

在電子工程的世界里，柵極是個(gè)魔法般的存在，它就像電路的指揮官，靠著一個(gè)個(gè)小小的動(dòng)作就能控制電荷的流動(dòng)，讓整個(gè)電子系統(tǒng)跳動(dòng)起來

2024-03-14 標(biāo)簽：柵極電荷半導(dǎo)體器件 1027 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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柵極

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