柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極技術(shù)

三極管和MOS管的功能區(qū)別

MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別?這兩種元件本身就可以看作一個(gè)基本單元，一個(gè)獨(dú)立的器件，就算拆開外殼，用肉眼也找不出什么差別，從工作原理上理解又謷牙詰...

2023-03-29 標(biāo)簽：三極管原理圖 led燈 974 0

MOS管的米勒效應(yīng)：感性負(fù)載

在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的，對各階段做了定量分析，相信看過的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。

2023-03-26 標(biāo)簽：電路負(fù)載 MOS管 4410 0

MOSFET特性參數(shù)詳解

任何情況下都不允許超過的最大值。

2023-03-20 標(biāo)簽：MOSFET 封裝參數(shù) 2173 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管，可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。

2023-03-15 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電路設(shè)計(jì) 700 0

為什么MOSFET柵極前要放一個(gè)100Ω電阻？

為了穩(wěn)定性，必須在 MOSFET 柵極前面放一個(gè) 100 Ω 電阻嗎？

2023-03-13 標(biāo)簽：放大器電阻 MOSFET 1397 0

場效應(yīng)管的作用

　　場效應(yīng)管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場效應(yīng)管的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場...

2023-02-27 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)管晶體管 4644 0

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

　　MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MO...

2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 MOS管柵極 1.5萬 0

真空三極管如何工作的？淺談?wù)婵杖龢O管的由來

大多數(shù)人開始使用半導(dǎo)體，并使用所謂的晶體組合作為整流器。

2023-02-21 標(biāo)簽：三極管晶體管柵極 3693 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說明

最近看到一個(gè)東芝的MOSFET的文檔，看了下，還不錯(cuò)，就把內(nèi)容復(fù)制出來了，分享給大家看下。

2023-02-20 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管柵極 3031 0

MOSFET三種放大電路類型的區(qū)分

MOSFET有三個(gè)極，柵極、源級(jí)和漏極，由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種，共源級(jí)放大電路，共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中，共源級(jí)放大電路用的...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 放大電路跟隨器 3084 0

IGBT對柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求

IGBT的驅(qū)動(dòng)電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用，IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題之一是驅(qū)動(dòng)電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動(dòng)電路的...

2023-02-16 標(biāo)簽：IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路 3213 0

PMOS管和NMOS管的區(qū)別

　　MOS管的管腳：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)。

2023-02-16 標(biāo)簽：MOS管 MOS 柵極 7694 0

NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)介紹

咱們前幾期講的一直是NMOS，導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...

2023-02-16 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 NMOS 1.2萬 0

簡單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

　　功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻 MOSFET 場效應(yīng)管 2505 0

為什么MOSFET柵極與源極之間要加一個(gè)電阻？

為MOSFET提供一個(gè)供電，經(jīng)過電阻分壓從而得到分壓值，也即所謂的提供一個(gè)偏置電壓。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻 ESD MOSFET 4496 0

超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù)對開關(guān)特性有什么影響

新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)...

2023-02-16 標(biāo)簽：柵極功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)電阻 1161 0

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 封裝柵極 2436 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 1285 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極-源極間電壓的動(dòng)作

上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示L...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 860 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作

上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOS...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 791 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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