氧化鎵器件介紹與仿真

本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導(dǎo)...

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 3318 0

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶圓蝕刻 875 0

Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料

2023-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體信號處理光譜儀 1821 0

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進入了加速階段。

2023-08-24 標(biāo)簽：處理器功率二極管導(dǎo)通電阻 1324 0

氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。

2023-08-17 標(biāo)簽：接觸器半導(dǎo)體芯片DFT算法 1432 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點。

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管MOSFET電阻器 1018 0

氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率半導(dǎo)體 1018 0

氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。

2023-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電探測器氧化鎵 1189 0

基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-07 標(biāo)簽：探測器晶體管光電探測器 1150 0

氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽：探測器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管 1211 0

我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破！

2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國在超寬...

2025-03-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片封裝氧化鎵 801 0

氧化鎵襯底表面粗糙度和三維形貌，優(yōu)可測白光干涉儀檢測時長縮短至秒級！

傳統(tǒng)AFM檢測氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右，優(yōu)可測白光干涉儀檢測方案僅需3秒，百倍提升檢測效率！

2025-02-08 標(biāo)簽：表面粗糙度氧化鎵白光干涉儀 365 0

鎵仁半導(dǎo)體成功實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進行工藝優(yōu)化，采用...

2025-02-14 標(biāo)簽：導(dǎo)電氧化鎵 292 0

關(guān)于超寬禁帶氧化鎵晶相異質(zhì)結(jié)的新研究

? ? 【研究 梗概 】 在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日， 沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUS...

2025-01-22 標(biāo)簽：異質(zhì)結(jié)氧化鎵 352 0

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

偏振光探測與成像技術(shù)在遙感成像、機器視覺、復(fù)雜背景目標(biāo)識別等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，近年來在天體物理和海底地震波探測等方面也展現(xiàn)出豐富的信息獲取能力。在不同...

2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體探測器氧化鎵 592 0

ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協(xié)同設(shè)計實現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

原創(chuàng)：Xoitec 異質(zhì)集成XOI技術(shù) 來源：上海微系統(tǒng)所，集成電路材料實驗室，異質(zhì)集成XOI課題組 1 工作簡介 超寬禁帶氧化鎵是實現(xiàn)超高壓、大功率、...

2024-11-13 標(biāo)簽：MOSFET封裝氧化鎵 947 0

異質(zhì)集成氧化鎵：下一代高性能功率半導(dǎo)體器件的新基石

來源:悅智網(wǎng) ，作者羅拯東、韓根全等 功率半導(dǎo)體器件作為高效電能控制和轉(zhuǎn)換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術(shù)的“幕后英雄”持續(xù)推動人類社會...

2024-10-21 標(biāo)簽：氧化鎵功率半導(dǎo)體器件異質(zhì)集成 665 0