氧化鎵

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氧化鎵技術(shù)

氧化鎵應(yīng)用范圍從實(shí)現(xiàn)可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續(xù)市場(chǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等各個(gè)方面。但Ga2O3還是存在一個(gè)重要的直接缺點(diǎn)：它的導(dǎo)熱率很低（10-30 W...

2019-01-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9萬(wàn) 0

超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料與器件專(zhuān)刊

西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院周弘副教授總結(jié)了目前氧化鎵半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展?fàn)顩r。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長(zhǎng)、高性能二極管以及場(chǎng)效應(yīng)晶體...

2019-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氧化鎵 1.7萬(wàn) 0

一文讀懂氧化鎵（第四代半導(dǎo)體）

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時(shí)，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體氧化鎵 1.2萬(wàn) 0

陶緒堂：氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)

β-Ga2O3晶體因其卓越的材料性能，在深紫外光電探測(cè)以及超高壓功率器件方面優(yōu)勢(shì)非常明顯。β-Ga2O3禁帶寬度為4.9eV，吸收截止邊位于250 nm...

2019-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氧化鎵 1.0萬(wàn) 0

技術(shù)突破：中國(guó)電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

由圖可以看出，β-Ga2O3的主要優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度，但也存在著不足，主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低，特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過(guò)，相對(duì)來(lái)說(shuō)，這些缺點(diǎn)對(duì)功...

2019-03-01 標(biāo)簽：晶圓功率器件氧化鎵 7763 0

高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

氧化鎵（Ga2O3）是一種新興寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度為4.9 eV），具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數(shù)大、材料易加工等優(yōu)點(diǎn)，是日盲紫外探測(cè)理想的...

2023-03-28 標(biāo)簽：探測(cè)器紫外氧化鎵 6251 0

第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料——氮化鎵

第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料

2023-02-23 標(biāo)簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 5013 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

2023-03-08 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵 4710 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國(guó)的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4322 0

使用導(dǎo)模法生長(zhǎng)4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

晶體生長(zhǎng)使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應(yīng)加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥金坩堝周?chē)胖醚趸喿鳛楸夭牧稀?/p>

2022-11-23 標(biāo)簽：二極管晶體氧化鎵 4077 0

氧化鎵帖子

8英寸！第四代半導(dǎo)體再突破，我國(guó)氧化鎵研究取得系列進(jìn)展，產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步

標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝氧化鎵 1610 0

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什么是第四代半導(dǎo)體？

第四代半導(dǎo)體我們其實(shí)叫超禁帶半導(dǎo)體，它分兩個(gè)方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價(jià)電子產(chǎn)生本征激發(fā)所需要的最小能量）在零點(diǎn)幾電子伏特（eV），比超窄...

2022-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氧化鎵 1.8萬(wàn) 0

氧化鎵制造功率元件，比SiC更出色？

　　與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)...

2012-04-18 標(biāo)簽：SiC 功率元件氧化鎵 9346 0

志在替代第三代半導(dǎo)體材料，氧化鎵目前有沒(méi)有這個(gè)實(shí)力？

韓國(guó)政府在近日宣稱(chēng)將加大非硅功率半導(dǎo)體在本土的發(fā)展，用于電動(dòng)汽車(chē)和其他對(duì)功效和耐用性要求較高的技術(shù)。該計(jì)劃將支持5種以上的半導(dǎo)體在2025年實(shí)現(xiàn)本土商業(yè)...

2021-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵 8526 0

中國(guó)領(lǐng)跑第四代半導(dǎo)體材料，氧化鎵專(zhuān)利居全球首位

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）半導(dǎo)體材料的突破一直是推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的一大助力，為了滿(mǎn)足日益多元化的芯片需求，半導(dǎo)體材料從以硅、鍺為代表的第一代半導(dǎo)體...

2023-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氧化鎵第四代半導(dǎo)體 8120 0

第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵的優(yōu)勢(shì)與發(fā)展進(jìn)程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年GaN和SiC等第三代半導(dǎo)體器件的商用化進(jìn)展還不錯(cuò)，GaN器件在快充上開(kāi)始大規(guī)模應(yīng)用，SiC器件也在汽車(chē)上嶄露頭角。...

2022-01-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氧化鎵 4882 0

4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能分析

本文通過(guò)導(dǎo)模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過(guò)勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線分析確認(rèn)晶體結(jié)晶質(zhì)量較高。采用濕法刻蝕的方法，研究了晶體...

2022-11-24 標(biāo)簽：晶體單晶氧化鎵 4091 0

中國(guó)第四代半導(dǎo)體技術(shù)獲重大突破:金剛石與氧化鎵實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合

2025年2月13日凌晨，中國(guó)科技界迎來(lái)一則重磅消息：吉林大學(xué)劉冰冰教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合中山大學(xué)朱升財(cái)教授，在國(guó)際頂級(jí)期刊《Nature Materials》上...

2025-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金剛石氧化鎵 3043 0

氧化鎵產(chǎn)業(yè)化更進(jìn)一步，本土初創(chuàng)企業(yè)成果涌現(xiàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）氧化鎵被認(rèn)為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導(dǎo)體材料，而對(duì)于氧化鎵的重要性，去年8月美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局的文件中披露，將對(duì)...

2023-11-06 標(biāo)簽：氧化鎵 2638 0

國(guó)內(nèi)氧化鎵半導(dǎo)體又有新進(jìn)展，距離量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材料之一。氧化鎵具有多種同分異構(gòu)體，其中β-Ga...

2022-12-28 標(biāo)簽：氧化鎵 2345 0

基于晶圓級(jí)高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)高于GaN，不僅可在更高場(chǎng)強(qiáng)、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實(shí)現(xiàn)在高...

2023-11-15 標(biāo)簽：晶圓 SiC 射頻器件 2252 0

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