氧化鎵

+關(guān)注5人關(guān)注

文章：83個(gè) 瀏覽：10609次帖子：1個(gè)

氧化鎵技術(shù)

氧化鎵應(yīng)用范圍從實(shí)現(xiàn)可用到可靠的組件，最后再到可插入可持續(xù)市場(chǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等各個(gè)方面。但Ga2O3還是存在一個(gè)重要的直接缺點(diǎn)：它的導(dǎo)熱率很低（10-30 W...

2019-01-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9萬 0

西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院周弘副教授總結(jié)了目前氧化鎵半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展?fàn)顩r。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長(zhǎng)、高性能二極管以及場(chǎng)效應(yīng)晶體...

2019-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氧化鎵 1.7萬 0

一文讀懂氧化鎵（第四代半導(dǎo)體）

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時(shí)，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體氧化鎵 1.2萬 0

陶緒堂：氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)

β-Ga2O3晶體因其卓越的材料性能，在深紫外光電探測(cè)以及超高壓功率器件方面優(yōu)勢(shì)非常明顯。β-Ga2O3禁帶寬度為4.9eV，吸收截止邊位于250 nm...

2019-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氧化鎵 1.0萬 0

技術(shù)突破：中國(guó)電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

由圖可以看出，β-Ga2O3的主要優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度，但也存在著不足，主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低，特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過，相對(duì)來說，這些缺點(diǎn)對(duì)功...

2019-03-01 標(biāo)簽：晶圓功率器件氧化鎵 7761 0

高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

氧化鎵（Ga2O3）是一種新興寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度為4.9 eV），具有熱穩(wěn)定性好、禁帶寬度大、紫外吸收系數(shù)大、材料易加工等優(yōu)點(diǎn)，是日盲紫外探測(cè)理想的...

2023-03-28 標(biāo)簽：探測(cè)器紫外氧化鎵 6246 0

第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料——氮化鎵

第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料

2023-02-23 標(biāo)簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 5001 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

2023-03-08 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵 4695 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國(guó)的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4314 0

使用導(dǎo)模法生長(zhǎng)4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

晶體生長(zhǎng)使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應(yīng)加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。

2022-11-23 標(biāo)簽：二極管晶體氧化鎵 4076 0

氧化鎵器件介紹與仿真

本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)...

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 3676 0

四代半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀，氧化鎵新進(jìn)展介紹

半導(dǎo)體內(nèi)部的價(jià)電子通常被共價(jià)鍵束縛，無法自由移動(dòng)，自然也就無法參與導(dǎo)電。所有價(jià)電子所處的能帶區(qū)域被稱為價(jià)帶，價(jià)電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發(fā)時(shí)

2023-03-29 標(biāo)簽：晶體硅氧化鎵 2850 0

一文解析氧化鎵襯底的長(zhǎng)晶與外延工藝

氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制造P型半導(dǎo)體。近期斯坦福、復(fù)旦等團(tuán)隊(duì)已在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)了氧化鎵P型器件，預(yù)計(jì)將逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

2023-02-27 標(biāo)簽：氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 2825 0

氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)，在功率電子和微波射頻器件方面具有重要的研究?jī)r(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。

2023-07-27 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2590 0

中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，為之后設(shè)計(jì)高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考，對(duì)β-Ga2O3雙極型器...

2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 2502 0

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究

一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測(cè)器。日盲紫外探測(cè)器對(duì)可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測(cè)、太陽輻射測(cè)量、航天科學(xué)、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...

2023-08-04 標(biāo)簽：太陽能電池探測(cè)器 MOCVD 2301 0

Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達(dá)4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料

2023-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體信號(hào)處理光譜儀 2050 0

浪涌與雪崩高魯棒性氧化鎵功率二極管

反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導(dǎo)體功率器件在高電場(chǎng)和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動(dòng)力學(xué)的基本特征，也是所有元器件在電動(dòng)汽車、軌道交通、電網(wǎng)和新能...

2023-07-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率二極管半導(dǎo)體 1936 0

探討氧化鎵基肖特基勢(shì)壘二極管的研究結(jié)果

重點(diǎn)從器件工藝、結(jié)構(gòu)和邊緣終端技術(shù)等角度評(píng)述了優(yōu)化 Ga2O3基 SBD 性能的方法，并對(duì) Ga2O3基 SBD 的進(jìn)一步發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。

2023-04-08 標(biāo)簽：二極管氧化鎵 1646 0

氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。

2023-08-17 標(biāo)簽：接觸器半導(dǎo)體芯片 DFT算法 1536 0

12 下一頁

相關(guān)話題

換一批

智慧城市

智慧城市

+關(guān)注

智慧城市就是運(yùn)用信息和通信技術(shù)手段感測(cè)、分析、整合城市運(yùn)行核心系統(tǒng)的各項(xiàng)關(guān)鍵信息，從而對(duì)包括民生、環(huán)保、公共安全、城市服務(wù)、工商業(yè)活動(dòng)在內(nèi)的各種需求做出智能響應(yīng)。
Pt100

Pt100

+關(guān)注

pt100是鉑熱電阻，它的阻值會(huì)隨著溫度的變化而改變。PT后的100即表示它在0℃時(shí)阻值為100歐姆，在100℃時(shí)它的阻值約為138.5歐姆。
TE Connectivity

TE Connectivity

+關(guān)注

TE Connectivity Ltd(泰科電子)公司設(shè)計(jì)和制造的50多萬種產(chǎn)品，連接和保護(hù)了我們?nèi)粘Ｊ褂玫母鞣N產(chǎn)品中的電力和數(shù)據(jù)流動(dòng)。
可變?cè)鲆娣糯笃?

可變?cè)鲆娣糯笃?

+關(guān)注
電子管

電子管

+關(guān)注

電子管，是一種最早期的電信號(hào)放大器件。被封閉在玻璃容器（一般為玻璃管）中的陰極電子發(fā)射部分、控制柵極、加速柵極、陽極（屏極）引線被焊在管基上。利用電場(chǎng)對(duì)真空中的控制柵極注入電子調(diào)制信號(hào)，并在陽極獲得對(duì)信號(hào)放大或反饋振蕩后的不同參數(shù)信號(hào)數(shù)據(jù)。
OLED顯示屏

OLED顯示屏

+關(guān)注

本文詳細(xì)介紹了OLED顯示屏發(fā)光原理機(jī)OLED 和 LCD 什么區(qū)別，對(duì)于技術(shù)人員有所幫助！
創(chuàng)意

創(chuàng)意

+關(guān)注
BT136

BT136

+關(guān)注

BT136是電子元器件型號(hào)的一種，為雙向可控硅。而可控硅又是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。
光耦型號(hào)

光耦型號(hào)

+關(guān)注
自鎖電路

自鎖電路

+關(guān)注
DesignSpark

DesignSpark

+關(guān)注
74ls175

74ls175

+關(guān)注
匯頂科技

匯頂科技

+關(guān)注

匯頂科技（603160.SH）是一家基于芯片設(shè)計(jì)和軟件開發(fā)的整體應(yīng)用解決方案提供商，目前主要面向智能終端、物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子領(lǐng)域提供領(lǐng)先的半導(dǎo)體軟硬件解決方案。產(chǎn)品和解決方案已經(jīng)廣泛應(yīng)用于華為、OPPO、vivo、小米、Samsung、Google、Amazon、Dell、HP、LG、一加、Nokia、ASUS等國(guó)際國(guó)內(nèi)知名品牌
LED燈珠

LED燈珠

+關(guān)注

LED英文為（light emitting diode），LED燈珠就是發(fā)光二極管的英文縮寫簡(jiǎn)稱LED，這是一個(gè)通俗的稱呼。LED燈珠廣泛用于燈飾照明、LED大屏幕顯示、交通燈、裝飾、電腦、電子玩具禮品、交換機(jī)、電話機(jī)、廣告、城市光彩工程等諸多生產(chǎn)領(lǐng)域
POV

POV

+關(guān)注
頻率合成

頻率合成

+關(guān)注
三軸陀螺儀

三軸陀螺儀

+關(guān)注
電阻屏

電阻屏

+關(guān)注

電阻式觸摸屏是一種傳感器，它將矩形區(qū)域中觸摸點(diǎn)（X，Y）的物理位置轉(zhuǎn)換為代表X坐標(biāo)和Y坐標(biāo)的電壓。很多LCD模塊都采用了電阻式觸摸屏，這種屏幕可以用四線、五線、七線或八線來產(chǎn)生屏幕偏置電壓，同時(shí)讀回觸摸點(diǎn)的電壓。
LF398

LF398

+關(guān)注
限流電阻

限流電阻

+關(guān)注

　　限流電阻是由電阻串聯(lián)于電路中，用以限制所在支路電流的大小，以防電流過大燒壞所串聯(lián)的元器件。同時(shí)限流電阻也能起分壓作用。
??微控制器

??微控制器

+關(guān)注
MAX31855

MAX31855

+關(guān)注

MAX31855冷端補(bǔ)償熱電偶至數(shù)字輸出轉(zhuǎn)換器，高精度熱電偶數(shù)字轉(zhuǎn)換器IC，有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低系統(tǒng)成本。
硅基

硅基

+關(guān)注

硅基智能成立于2017年8月，總部位于中國(guó)南京，是一家以服務(wù)智能化和知識(shí)智能化為核心的人工智能創(chuàng)新企業(yè)。
ONU

ONU

+關(guān)注
高阻態(tài)

高阻態(tài)

+關(guān)注
鈉離子電池

鈉離子電池

+關(guān)注

鈉離子電池是一種二次電池（充電電池），主要依靠鈉離子在正極和負(fù)極之間移動(dòng)來工作，與鋰離子電池工作原理相似。鈉離子電池使用的電極材料主要是鈉鹽，相較于鋰鹽而言儲(chǔ)量更豐富，價(jià)格更低廉。由于鈉離子比鋰離子更大，所以當(dāng)對(duì)重量和能量密度要求不高時(shí)，鈉離子電池是一種劃算的替代品。
滑動(dòng)變阻器

滑動(dòng)變阻器

+關(guān)注

　　滑動(dòng)變阻器是電路元件，它可以通過來改變自身的電阻，從而起到控制電路的作用。
DIP4

DIP4

+關(guān)注
TRIAC調(diào)光

TRIAC調(diào)光

+關(guān)注
LED搖搖棒

LED搖搖棒

+關(guān)注

換一批

電機(jī)控制	DSP	氮化鎵	功率放大器	ChatGPT	自動(dòng)駕駛	TI	瑞薩電子
BLDC	PLC	碳化硅	二極管	OpenAI	元宇宙	安森美	ADI
無刷電機(jī)	FOC	IGBT	逆變器	文心一言	5G	英飛凌	羅姆
直流電機(jī)	PID	MOSFET	傳感器	人工智能	物聯(lián)網(wǎng)	NXP	賽靈思
步進(jìn)電機(jī)	SPWM	充電樁	IPM	機(jī)器視覺	無人機(jī)	三菱電機(jī)	ST
伺服電機(jī)	SVPWM	光伏發(fā)電	UPS	AR	智能電網(wǎng)	國(guó)民技術(shù)	Microchip

瑞薩	沁恒股份	全志	國(guó)民技術(shù)	瑞芯微	兆易創(chuàng)新	芯?？萍?/a>	Altium
德州儀器	Vishay	Micron	Skyworks	AMS	TAIYOYUDEN	納芯微	HARTING
adi	Cypress	Littelfuse	Avago	FTDI	Cirrus LogIC	Intersil	Qualcomm
st	Murata	Panasonic	Altera	Bourns	矽力杰	Samtec	揚(yáng)興科技
microchip	TDK	Rohm	Silicon Labs	圣邦微電子	安費(fèi)諾工業(yè)	ixys	Isocom Compo
安森美	DIODES	Nidec	Intel	EPSON	樂鑫	Realtek	ERNI電子
TE Connectivity	Toshiba	OMRON	Sensirion	Broadcom	Semtech	旺宏	英飛凌
Nexperia	Lattice	KEMET	順絡(luò)電子	霍尼韋爾	pulse	ISSI	NXP
Xilinx	廣瀨電機(jī)	金升陽	君耀電子	聚洵	Liteon	新潔能	Maxim
MPS	億光	Exar	菲尼克斯	CUI	WIZnet	Molex	Yageo
Samsung	風(fēng)華高科	WINBOND	長(zhǎng)晶科技	晶導(dǎo)微電子	上海貝嶺	KOA	Echelon
Coilcraft	LRC	trinamic

放大器	運(yùn)算放大器	差動(dòng)放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變?cè)鲆娣糯笃?	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線性穩(wěn)壓器	LDO	開關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
振蕩器	諧振器	濾波器	電容器	電感器	電阻器	二極管	晶體管
變送器	傳感器	解析器	編碼器	陀螺儀	加速計(jì)	溫度傳感器	壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器	步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器	TWS	BLDC	無刷直流驅(qū)動(dòng)器	濕度傳感器	光學(xué)傳感器	圖像傳感器
數(shù)字隔離器	ESD 保護(hù)	收發(fā)器	橋接器	多路復(fù)用器	氮化鎵	PFC	數(shù)字電源

開關(guān)電源	步進(jìn)電機(jī)	無線充電	LabVIEW	EMC	PLC	OLED	單片機(jī)
5G	m2m	DSP	MCU	ASIC	CPU	ROM	DRAM
NB-IoT	LoRa	Zigbee	NFC	藍(lán)牙	RFID	Wi-Fi	SIGFOX
Type-C	USB	以太網(wǎng)	仿真器	RISC	RAM	寄存器	GPU
語音識(shí)別	萬用表	CPLD	耦合	電路仿真	電容濾波	保護(hù)電路	看門狗
CAN	CSI	DSI	DVI	Ethernet	HDMI	I2C	RS-485
SDI	nas	DMA	HomeKit	閾值電壓	UART	機(jī)器學(xué)習(xí)	TensorFlow

Arduino	BeagleBone	樹莓派	STM32	MSP430	EFM32	ARM mbed	EDA
示波器	LPC	imx8	PSoC	Altium Designer	Allegro	Mentor	Pads
OrCAD	Cadence	AutoCAD	華秋DFM	Keil	MATLAB	MPLAB	Quartus

一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

搜索歷史

氧化鎵

氧化鎵技術(shù)

相關(guān)標(biāo)簽

相關(guān)話題

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(5人)

C++	Java	Python	JavaScript	node.js	RISC-V	verilog	Tensorflow
Android	iOS	linux	RTOS	FreeRTOS	LiteOS	RT-THread	uCOS
DuerOS	Brillo	Windows11	HarmonyOS

林超文PCB設(shè)計(jì)：PADS教程，PADS視頻教程	鄭振宇老師：Altium Designer教程，Altium Designer視頻教程
張飛實(shí)戰(zhàn)電子視頻教程	朱有鵬老師：海思HI3518e教程，HI3518e視頻教程
李增老師：信號(hào)完整性教程，高速電路仿真教程	華為鴻蒙系統(tǒng)教程，HarmonyOS視頻教程
賽盛：EMC設(shè)計(jì)教程，EMC視頻教程	杜洋老師：STM32教程，STM32視頻教程
唐佐林：c語言基礎(chǔ)教程，c語言基礎(chǔ)視頻教程	張飛：BUCK電源教程，BUCK電源視頻教程
正點(diǎn)原子：FPGA教程，F(xiàn)PGA視頻教程	韋東山老師：嵌入式教程，嵌入式視頻教程
張先鳳老師：C語言基礎(chǔ)視頻教程	許孝剛老師：Modbus通訊視頻教程
王振濤老師：NB-IoT開發(fā)視頻教程	Mill老師：FPGA教程，Zynq視頻教程
C語言視頻教程	RK3566芯片資料合集
朱有鵬老師：U-Boot源碼分析視頻教程	開源硬件專題