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氧化鎵

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氧化鎵技術(shù)

氧化鎵（Ga2O3）溝槽二極管的相關(guān)研究進(jìn)展

Ga2O3技術(shù)成熟的一個(gè)主要障礙是器件過(guò)熱。對(duì)于Ga2O3溝槽器件，盡管與[010]溝槽側(cè)壁相比，[100]溝槽側(cè)壁的熱導(dǎo)率（kT[010]）更高，但具...

2023-06-21 標(biāo)簽：二極管氧化鎵 1482 0

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進(jìn)入了加速階段。

2023-08-24 標(biāo)簽：處理器功率二極管導(dǎo)通電阻 1419 0

利用機(jī)器學(xué)習(xí)結(jié)合實(shí)驗(yàn)揭示非晶氧化鎵原子結(jié)構(gòu)與熱輸運(yùn)的關(guān)系

非晶(無(wú)定形)材料指原子排列缺乏長(zhǎng)程周期性的固體材料，普遍存在于自然界中，也是工業(yè)生產(chǎn)及日常生活中使用最為廣泛的一類材料。非晶氧化鎵具有超寬的禁帶寬度和...

2023-06-27 標(biāo)簽：熱管理原子機(jī)器學(xué)習(xí) 1415 0

氧化鎵材料生長(zhǎng)與陣列探測(cè)器研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽：探測(cè)器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管 1322 0

在氧化鎵基日盲雪崩探測(cè)器研究領(lǐng)域取得新突破！

研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測(cè)器件成果的基礎(chǔ)上（ACS Nano，2021，15：16654），經(jīng)過(guò)不斷探索，通過(guò)插入合適的寬帶隙材料...

2023-02-10 標(biāo)簽：晶格光電探測(cè)器氧化鎵 1321 0

氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。

2023-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電探測(cè)器氧化鎵 1308 0

基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測(cè)器的研究

2023-08-07 標(biāo)簽：探測(cè)器晶體管光電探測(cè)器 1266 0

氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率半導(dǎo)體 1132 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 1117 0

談?wù)劅衢T的氧化鎵

高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺(tái)，...

2022-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氧化鎵 1110 0

北郵在氧化鎵基日盲雪崩探測(cè)器研究領(lǐng)域取得新突破

研究組在前期Ga?O?/ITO n-n型雪崩探測(cè)器件成果的基礎(chǔ)上（ACS Nano，2021，15：16654），經(jīng)過(guò)不斷探索，通過(guò)插入合適的寬帶隙材料...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電探測(cè)器氧化鎵 1036 0

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶圓蝕刻 1000 0

氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿?，越?lái)越得到...

2023-05-24 標(biāo)簽：石墨烯氧化鎵氮化硼 994 0

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。

2023-04-14 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC GaN 746 0

氧化鎵功率器件的研究新發(fā)展總結(jié)

相比于目前常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長(zhǎng)成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。

2023-03-13 標(biāo)簽：功率二極管功率器件功率晶體管 626 0

氧化鎵射頻器件研究進(jìn)展

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高，而且具有極高的巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值，在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...

2025-06-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 射頻器件 621 0

功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外研究總結(jié)

對(duì) Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來(lái)的應(yīng)用與發(fā)展前景。

2023-03-30 標(biāo)簽：功率器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 543 0

氧化鎵技術(shù)研究再獲新突破

Ga2O3與硅(Si)相比具有耐壓高、功耗低、大尺寸單晶比較容易制作等特點(diǎn)。因此，作為搭載于電動(dòng)汽車等的功率半導(dǎo)體材料的候補(bǔ)材料而備受矚目。

2023-02-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氧化鎵 450 0

商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制

　　商務(wù)部海關(guān)總署公告2023年第23號(hào) 關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 445 0

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