日本研發(fā)出氧化鎵的低成本制法

這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延（HV...

2023-10-12 標(biāo)簽：晶體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1362 0

IDM龍頭降價！晶圓代工大廠最新解讀

近日，北京鎵和半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵和半導(dǎo)體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領(lǐng)投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。

2023-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓IDM 1313 0

北京鎵和首次發(fā)布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數(shù)并實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)

近日，“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會”在濟(jì)南召開。大會技術(shù)委員會委員北京鎵和半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人、董事長、南京郵電大學(xué)唐為華教授率領(lǐng)鎵和...

2023-10-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體探測器氧化鎵 1296 0

晶旭半導(dǎo)體獲睿悅控股集團(tuán)億元戰(zhàn)略投資

據(jù)睿悅投資官微消息，2月2日，深圳市睿悅投資控股集團(tuán)有限公司（以下簡稱“睿悅控股集團(tuán)”）與福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導(dǎo)體”）的戰(zhàn)略投資...

2024-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵 1217 0

國產(chǎn)氧化鎵研究，取得新進(jìn)展

如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點(diǎn)。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)。

2022-12-21 標(biāo)簽：肖特基二極管氧化鎵 1088 0

三菱電機(jī)斥資9000億加速研發(fā)氧化鎵

三菱電機(jī)總裁Kei Urushima表示，聯(lián)合開發(fā)將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術(shù)，然后將其返還給Coherent"...

2024-04-07 標(biāo)簽：三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體碳化硅 1043 0

面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)介紹

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽：MOSFETSBDSiC 995 0

第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展：4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月，鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法...

2025-02-17 標(biāo)簽：氧化鎵 982 0

碳化硅：最近比較煩！

碳化硅材料能夠把器件體積做的越來越小，性能越來越好，所以近年來電動汽車廠商都對它青睞有加，使其成為HEV電力驅(qū)動裝置中的理想器件，可以顯著減小電力電子驅(qū)...

2023-03-30 標(biāo)簽：功率器件碳化硅氧化鎵 872 0

我國實(shí)現(xiàn)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化新突破

氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造，成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，被稱為第四代半導(dǎo)體材料。

2024-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氧化鎵 857 0

西安郵電大學(xué)在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進(jìn)展

氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。

2023-03-13 標(biāo)簽：功率器件硅片外延片 782 0

蘇州邁姆思與杭州鎵仁簽訂先進(jìn)半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域戰(zhàn)略合作協(xié)議

來源：蘇州納米城 近日，蘇州納米城企業(yè)—蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“邁姆思 ”）與杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁”）于杭州簽訂戰(zhàn)略合...

2024-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氧化鎵 731 0

氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀和應(yīng)用前景

在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。泰克中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀...

2025-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵泰克科技 554 0