最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對(duì)用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。
2021-12-13 11:15:52
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探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 09:35:41631 
我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
為了研制在電性能、安全性和成本價(jià)格等三方面均能較好地滿足電動(dòng)汽車(chē)需求的鋰離子電池，選擇了在氧化鈷鋰中摻雜氧化鎳錳鈷鋰三元材料的方法，研制了新的50Ah動(dòng)力型鋰離子電池。通過(guò)對(duì)研制電池進(jìn)行電性能
2011-03-04 14:30:54
對(duì)LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有較多的研究；固體電解質(zhì)膜方面以對(duì)LIPON膜的研究為主；陽(yáng)極膜方面以對(duì)鋰金屬替代物的研究為主，比如錫和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循環(huán)交通的提高。在薄膜鋰電池結(jié)構(gòu)方面，三維結(jié)構(gòu)將是今后研究的一個(gè)重要方向。
2011-03-11 15:44:52
由于透明導(dǎo)電薄膜具有優(yōu)異的光電性能，因而被廣泛地應(yīng)用于各種光電器件中。
2019-09-27 09:01:18
透明導(dǎo)電膜(transparent conductive film，簡(jiǎn)稱(chēng)TCF)目前最主要的應(yīng)用是ITO膜，還有其他AZO等。
2019-09-17 09:12:28
透明導(dǎo)電膜玻璃是指在平板玻璃表面通過(guò)物理或化學(xué)鍍膜方法均勻的鍍上一層透明的導(dǎo)電氧化物薄膜而形成的組件。對(duì)于薄膜太陽(yáng)能電池來(lái)說(shuō)，由于中間半導(dǎo)體層幾乎沒(méi)有橫向導(dǎo)電性能，因此必須使用透明導(dǎo)電膜玻璃有效收集
2019-10-29 09:00:52
襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。中科院半導(dǎo)體所張翔帶來(lái)了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報(bào)告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
ITO是一種寬能帶薄膜材料，其帶隙為3．5-4．3ev。紫外光區(qū)產(chǎn)生禁帶的勵(lì)起吸收閾值為3．75ev，相當(dāng)于330nm的波長(zhǎng)，因此紫外光區(qū)ITO薄膜的光穿透率極低。
2019-09-11 11:29:55
方形，通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過(guò)
2019-08-01 07:24:28
地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)。為確保透明，我們可以調(diào)整這種設(shè)計(jì)，將這些不透明金屬改變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫，它廣泛應(yīng)用于透明
2020-11-27 16:30:52
真空紫外輻射材料加工的研究報(bào)道急劇增加,本文將簡(jiǎn)要介紹DBD準(zhǔn)分子紫外光源的特點(diǎn)及其在材料加工中的研究和應(yīng)用,包括無(wú)機(jī)薄膜制備、半導(dǎo)體材料氧化、材料表面清洗、過(guò)渡金屬化合物還原、高分子合成和聚合物表面
2010-05-06 08:56:18
員領(lǐng)導(dǎo)的存儲(chǔ)器研究小組提出了一種通過(guò)增強(qiáng)功能層薄膜中的局域電場(chǎng)來(lái)控制導(dǎo)電細(xì)絲的生長(zhǎng)位置和方向的方法。通過(guò)控制導(dǎo)電細(xì)絲的生長(zhǎng)過(guò)程，從本質(zhì)上減小導(dǎo)電細(xì)絲生長(zhǎng)的隨機(jī)性，從而減小ReRAM器件轉(zhuǎn)變參數(shù)離散性
2010-12-29 15:13:32
`斯利通（155 2784 6441）3535氧化鋁陶瓷支架高可用UV紫外燈珠領(lǐng)域混合陶瓷基板基板 基材名稱(chēng)：陶瓷載板基材材料厚度：1.0mm導(dǎo)電層：Cu，Ni，Au金屬層厚度：300μm表面準(zhǔn)備：浸金陶瓷電路板供應(yīng)商：斯利通金屬單面/雙面：雙面 鍍銅通孔：是的`
2020-04-25 15:21:35
日本創(chuàng)深紫外線發(fā)光二極管輸出功率紀(jì)錄
2019-03-18 06:49:46
很久，對(duì)于輕度摻雜或者重度摻雜的半導(dǎo)體，無(wú)論是N型半導(dǎo)體或者P型半導(dǎo)體，其本質(zhì)也是呈現(xiàn)電中性的，那為什么會(huì)有N或者P型半導(dǎo)體的說(shuō)法，其中的空穴或者電子導(dǎo)電，與其對(duì)應(yīng)的電子或者空穴卻沒(méi)有移動(dòng)形成電流
2024-02-21 21:39:24
推出了連續(xù)波1000 W以上光功率的藍(lán)色激光系統(tǒng)。日本島津也報(bào)道了應(yīng)用于水下通信的光WiFi系統(tǒng)?！ ∪?、前景與挑戰(zhàn) 隨著襯底、外延和器件的制備和封裝技術(shù)的進(jìn)步，特別是采用導(dǎo)電透明氧化物為激光器光腔
2020-11-27 16:32:53
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
知道是幾次干涉，就能正確估計(jì)。對(duì)其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式計(jì)算出(d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄時(shí)，看不到干涉色，但可利用Si
2019-08-16 11:09:49
物半導(dǎo)體在光電子器件中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,例如制作液晶顯示器、紫外光探測(cè)器都要用到p型寬帶隙氧化物半導(dǎo)體。目前這類(lèi)氧化物研究主要包括P型ZnO[1]與P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物[2]-[8]。在這類(lèi)氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明導(dǎo)電性以外,最近又報(bào)道了它的高溫?zé)犭娞厝南螺d
2010-04-24 09:00:59
的獨(dú)特性意味著，幾乎所有這些材料都不能用作半導(dǎo)體。不過(guò)，透明導(dǎo)電氧化物氧化鎵（Ga2O3）是一個(gè)特例。這種晶體的帶隙近5電子伏特，如果說(shuō)氮化鎵（3.4eV）與它的差距為1英里，那么硅（1.1eV）與它的差距
2023-02-27 15:46:36
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣(mài)銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
前工序圖形轉(zhuǎn)換技術(shù)：主要包括光刻、刻蝕等技術(shù)薄膜制備技術(shù)：主要包括外延、氧化、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積(如濺射、蒸發(fā)) 等摻雜技術(shù)：主要包括擴(kuò)散和離子注入等技術(shù) 后工序劃片封裝測(cè)試?yán)匣Y選 :
2018-11-26 16:16:13
采用靜電力自組裝和原位化學(xué)氧化聚合相結(jié)合的方法制備了聚吡咯/納米二氧化鈦(PPy/TiO2)復(fù)合薄膜，并進(jìn)行了表面電阻測(cè)試及紫外–可見(jiàn)光譜分析、原子力顯微鏡分析。利用平面叉
2009-05-12 21:38:27
17 摘要：應(yīng)用等離子體浸沒(méi)離子注入與沉積方法合成了磷摻雜的類(lèi)金剛石（diamond like carbon，DLC）薄膜。結(jié)構(gòu)分析表明磷以微米級(jí)島狀結(jié)構(gòu)分散于DLC薄膜表層，P 的摻雜增加了DLC 薄膜
2009-05-16 01:56:2429 紫外、深紫外非線性光學(xué)晶體的發(fā)展趨勢(shì)
本文將系統(tǒng)地闡述可產(chǎn)生深紫外諧波光輸出的非線性光學(xué)晶體是如何被發(fā)現(xiàn)的，這些晶體的基本線性、非線性光學(xué)性質(zhì)
2010-02-26 16:36:3727 熱壁外延（HWE）在導(dǎo)電玻璃上生長(zhǎng)GaAs薄膜引 言 目前，太陽(yáng)電池應(yīng)用最大的障礙就是成本高，世界商品化生產(chǎn)的太陽(yáng)電池主要是單晶硅、多晶硅和非晶硅電池
2009-02-23 21:30:571108 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類(lèi)型
2009-03-09 13:23:416889
高電導(dǎo)透明單壁碳納米管薄膜成功應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管
透明導(dǎo)電的氧化銦錫（ITO）薄膜目前已廣泛應(yīng)用于平板顯示、太陽(yáng)能電池
2009-12-11 21:17:53690 
啟用PowerFill外延硅工藝的電源設(shè)備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-23 08:35:54539 ASM啟用功新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PowerFill是一個(gè)精
2010-01-23 09:32:32796 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-25 09:17:05525 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:291820 日本創(chuàng)深紫外線發(fā)光二極管輸出功率紀(jì)錄
日本理化學(xué)研究所和科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)日前公布，他們的一個(gè)研究小組開(kāi)發(fā)的波長(zhǎng)為250
2010-03-02 09:23:07797 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 據(jù)日本媒體報(bào)道，同和(DOWA)控股的子公司——同和電子生產(chǎn)的發(fā)光波長(zhǎng)為300n～350nm的深紫外LED芯片達(dá)到了實(shí)用水平，現(xiàn)已開(kāi)
2010-07-23 15:23:411242 阱（MQW）。在p型GaN材料上再鍍上一層ITO膜（氧化銦錫），該金屬氧化物透明導(dǎo)電膜作為透明電極，其作用是增強(qiáng)電極出光亮度以及隔離芯片中發(fā)射的對(duì)人類(lèi)有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線等［6］。LED的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。 清華大學(xué)的張賢鵬等人［8］采用基于Cl2/Ar/BCl3氣體的感應(yīng)耦合
2017-10-19 14:22:318 概述了透明導(dǎo)電薄膜的分類(lèi)以及ITO薄膜的基本特性，綜述了ITO薄膜主要的制備技術(shù)及其研究的進(jìn)展，并指出了不同制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)。最后對(duì)ITO薄膜的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。 可見(jiàn)光透過(guò)率高而又有導(dǎo)電性的薄膜
2017-11-03 10:13:4224 太湖縣裕田光電顯示有限公司生產(chǎn)的275nm波段深紫外LED，采用3535陶瓷支架封裝3mW深紫外LED
2018-02-01 16:16:5525 最近幾年來(lái)國(guó)內(nèi)外的研究者分別在低溫制備的設(shè)備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設(shè)計(jì)和制備工藝方面進(jìn)行了深入的研究。
2018-02-02 16:22:048874 深紫外發(fā)光二極管規(guī)范
2018-04-02 17:21:2413 元石盛石墨烯薄膜產(chǎn)業(yè)有限公司可以生產(chǎn)150萬(wàn)平米級(jí)的石墨烯透明導(dǎo)電膜，二期工程投產(chǎn)后可以達(dá)到1200萬(wàn)平米級(jí)。膜也得到了多家企業(yè)的認(rèn)可，如有需要請(qǐng)致電15340406242，小王。公司網(wǎng)址www.firstene.com。
2018-05-09 12:19:07397 降低氧化物的厚度到奈米等級(jí)可改善氧化物的脆性，然而厚度降低必然也會(huì)降低導(dǎo)電度，將導(dǎo)電度極佳的金屬薄膜夾到氧化物中，就有機(jī)會(huì)在一定的可撓度下，維持可應(yīng)用的光穿透率與導(dǎo)電度。DMD結(jié)構(gòu)材料尚包括ZnS/Ag/WO3；MoOx/Au/MoOx。
2018-05-11 11:48:348773 
來(lái)自美國(guó)普渡大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出了一種全新的可導(dǎo)電玻璃狀透明聚合物薄膜材料，該材料易于大規(guī)模制造，成本低于氧化銦錫薄膜導(dǎo)電材料，導(dǎo)電性優(yōu)于普通聚合物。
2018-06-15 11:44:005592 日前，日亞化（Nichia）宣布推出新型深紫外LED，零件號(hào)NCSU334A。
2019-04-24 14:29:461898 深紫外LED可以廣泛應(yīng)用于殺毒、消菌、印刷和通信等領(lǐng)域。最近，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心與北京大學(xué)納米化學(xué)研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團(tuán)隊(duì)合作，開(kāi)發(fā)出了石墨烯／藍(lán)寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預(yù)處理改性石墨烯，促進(jìn)AlN薄膜生長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)深紫外LED的新策略。
2019-04-25 09:35:531433 深紫外LED可以廣泛應(yīng)用于殺毒、消菌、印刷和通信等領(lǐng)域，國(guó)際水俁公約的提出，促使深紫外LED的全面應(yīng)用更是迫在眉睫，但是商業(yè)化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴(yán)重限制了深紫外LED的應(yīng)用。
2019-04-26 10:22:497293 
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心與北京大學(xué)納米化學(xué)研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團(tuán)隊(duì)合作，開(kāi)發(fā)出了石墨烯/藍(lán)寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預(yù)處理改性石墨烯，促進(jìn)AlN薄膜生長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)深紫外LED的新策略。
2019-04-26 11:06:262919 
深紫外LED可以廣泛應(yīng)用于殺毒、消菌、印刷和通信等領(lǐng)域，國(guó)際水俁公約的提出，促使深紫外LED的全面應(yīng)用更是迫在眉睫，但是商業(yè)化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴(yán)重限制了深紫外LED的應(yīng)用。
2019-04-29 14:12:127024 
據(jù)山西長(zhǎng)治市發(fā)改委消息，年產(chǎn)3000萬(wàn)顆紫外LED芯片的中科潞安深紫外LED項(xiàng)目近日正式投產(chǎn)。這是全球首條大功率量產(chǎn)化紫外LED芯片生產(chǎn)線，標(biāo)志著長(zhǎng)治市LED產(chǎn)業(yè)闊步向千億級(jí)目標(biāo)挺進(jìn)。它的投產(chǎn)，使長(zhǎng)治市的LED產(chǎn)業(yè)步入集群化、高端化的新階段，也意味著山西省有了國(guó)際化、開(kāi)放式的紫外光電產(chǎn)業(yè)集群。
2019-07-19 15:29:252954 據(jù)山西長(zhǎng)治市發(fā)改委消息，年產(chǎn)3000萬(wàn)顆紫外LED芯片的中科潞安深紫外LED項(xiàng)目近日正式投產(chǎn)。
2019-07-23 10:17:584814 在國(guó)內(nèi)，政府相關(guān)單位正積極在環(huán)境衛(wèi)生防護(hù)上有效率地進(jìn)行防疫工作，針對(duì)人員出入進(jìn)行管控以及公共場(chǎng)所環(huán)境衛(wèi)生的加強(qiáng)。近期，人們對(duì)于自身周?chē)熬蛹疑系男l(wèi)生安全防護(hù)更加謹(jǐn)慎，任何關(guān)于紫外線殺菌以及消毒的產(chǎn)品皆趨之若鶩，因此人們對(duì)UVC深紫外給予高度重視，為深紫外產(chǎn)業(yè)提供了一個(gè)很好的發(fā)展機(jī)遇。
2020-03-07 14:12:251089 當(dāng)前，紫外殺菌技術(shù)有兩大技術(shù)產(chǎn)品形成明顯對(duì)比：低氣壓紫外殺菌汞燈產(chǎn)品和深紫外LED產(chǎn)品。
2020-03-13 10:23:18868 一場(chǎng)疫情，讓深紫外LED殺菌燈從專(zhuān)業(yè)場(chǎng)所走入公眾的視野。嗅覺(jué)靈敏的企業(yè)家們紛紛開(kāi)足馬力，推出深紫外殺菌燈新品搶占市場(chǎng)份額。隨著技術(shù)精進(jìn)、市場(chǎng)擴(kuò)容和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，使得紫外LED的市場(chǎng)前景越來(lái)越廣闊。
2020-04-06 15:07:002573 來(lái)自美國(guó)密歇根大學(xué)的Emmanouil Kioupakis教授利用第一性原理計(jì)算，從薄膜和晶格匹配襯底兩種應(yīng)用考慮出發(fā)，研究了砷化硼異質(zhì)結(jié)相關(guān)性能，包括應(yīng)變對(duì)于能帶及載流子遷移率的影響，砷化硼與其他光電半導(dǎo)體的界面接觸等特性。
2020-05-07 16:18:226488 
這是世界上首次證明經(jīng)具有強(qiáng)殺菌效果的222nm深紫外線直接和重復(fù)地照射不會(huì)導(dǎo)致皮膚癌，表明了波長(zhǎng)為222nm的深紫外線對(duì)人體眼睛和皮膚是安全的。鑒于此，此技術(shù)有望廣泛用于醫(yī)療機(jī)構(gòu)和日常生活等場(chǎng)所的殺菌消毒。
2020-05-15 16:14:5313226 什么是深紫外線？ 紫外線是太陽(yáng)放出的波長(zhǎng)為100-400nm的電磁波總稱(chēng)，人類(lèi)肉眼不可見(jiàn)。根據(jù)紫外線的波長(zhǎng)，通常將紫外線分為A、B、C三類(lèi)，即近紫外線(UVA)，遠(yuǎn)紫外線(UVB)和超短紫外
2020-06-27 09:47:003033 什么是深紫外線？ 紫外線是太陽(yáng)放出的波長(zhǎng)為100-400nm的電磁波總稱(chēng)，人類(lèi)肉眼不可見(jiàn)。根據(jù)紫外線的波長(zhǎng)，通常將紫外線分為A、B、C三類(lèi)，即近紫外線(UVA)，遠(yuǎn)紫外線(UVB)和超短紫外
2020-07-11 11:23:571624 昨（30）日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）宣布推出Prismo HiT3? MOCVD設(shè)備，主要用于深紫外LED量產(chǎn)。
2020-07-31 11:34:282373 日前，木林森發(fā)布公告稱(chēng)，為推進(jìn)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，進(jìn)一步發(fā)展深紫外殺菌領(lǐng)域，提升產(chǎn)業(yè)鏈的穩(wěn)定性、競(jìng)爭(zhēng)力及把控能力，擬增資至芯半導(dǎo)體（杭州）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“至芯半導(dǎo)體”），通過(guò)加大對(duì)深紫外線殺菌產(chǎn)業(yè)的投資，進(jìn)一步深化布局深紫外半導(dǎo)體芯片業(yè)務(wù)，形成上下游產(chǎn)業(yè)鏈一體化。
2020-08-12 09:45:572097 
中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心先進(jìn)材料與結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室A05組長(zhǎng)期致力于碳納米結(jié)構(gòu)的制備、物性與應(yīng)用基礎(chǔ)研究。該課題組研究人員發(fā)展出一種新的連續(xù)直接制備大面積自支撐的透明導(dǎo)電碳納米管（CNT）薄膜的方法——吹脹氣溶膠法（BACVD）
2020-10-13 14:17:133050 
創(chuàng)鴻新智能的深紫外LED測(cè)溫消毒筆采用Nordic的nRF52810 SoC將消毒時(shí)間和溫度數(shù)據(jù)發(fā)送到應(yīng)用程序。 ? *總部位于深圳的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)解決方案供應(yīng)商創(chuàng)鴻新智能科技有限公司選擇
2021-01-08 15:45:432163 ）上的深紫外LED（DUV LED）的計(jì)算模型。研究發(fā)現(xiàn)：NPSS能夠提高DUV LED中橫向傳播的TM極性光的光提取效率，但會(huì)抑制偏向垂直傳播的TE極性光的光提取效率（如圖1所示）。造成這種現(xiàn)象的原因是，當(dāng)DUV LED中采用NPSS結(jié)構(gòu)時(shí)，NPSS會(huì)把部分橫向傳播的光散
2021-02-23 11:01:28463 
本周《漲知識(shí)啦》主要給大家介紹的是深紫外發(fā)光二極管中的電流擁擠效應(yīng)。目前深紫外發(fā)光二極管（DUV LED）主要采用倒裝結(jié)構(gòu)來(lái)降低紫外光自吸收的問(wèn)題，所以芯片的p-型電極焊盤(pán)和n-型電極焊盤(pán)只能制備
2021-04-07 12:15:00850 
納米Si薄膜場(chǎng)發(fā)射壓力傳感器研究設(shè)計(jì)。
2021-03-23 14:52:2111 近日，國(guó)家納米科學(xué)中心研究員孫連峰課題組與研究員謝黎明課題組合作，設(shè)計(jì)制備出一種三維鈣鈦礦——一維氧化鋅（CsPbBr3-ZnO）p-n異質(zhì)結(jié)。這種異質(zhì)結(jié)表現(xiàn)出優(yōu)異的整流特性（整流比~10?）。
2021-04-06 11:34:253196 取得了快速發(fā)展，主要體現(xiàn)在光效和可靠性不斷提高，這一方面得益于芯片制造過(guò)程中氮化物材料外延和摻雜技術(shù)的進(jìn)步，另一方面歸功于深紫外LED封裝技術(shù)的發(fā)展。但是與波長(zhǎng)較長(zhǎng)的近紫外和藍(lán)光LED相比，深紫外LED的光效和可靠性仍有很大提升空間。 近日，華中科技大學(xué)彭洋博士、陳明祥教授和羅小兵教
2021-05-17 14:13:495829 TCO(透明導(dǎo)電層)的原理及其應(yīng)用發(fā)展資料(安徽理士電源技術(shù)有限公司怎么樣)-什么是透明導(dǎo)電薄膜?>在可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有可接受之透光度以flat panel display而言→透光
2021-09-23 11:17:264 ，這種腐蝕與玻璃中氧化錫層的分層有關(guān)，這是由于氧化錫與玻璃界面附近的鈉積累以及水分從邊緣進(jìn)入PV模塊引起的。通過(guò)改變氧化錫的生長(zhǎng)條件或通過(guò)使用氧化鋅作為透明的導(dǎo)電性氧化物電極，可以顯著降低薄膜光伏組件中的這種腐蝕。
2022-01-17 13:27:47589 
摘要 透明導(dǎo)電氧化物(TCOs)作為薄膜硅(Si)太陽(yáng)能電池的前電極起著重要作用，因?yàn)樗鼈兛梢蕴峁┕鈱W(xué)散射，從而改善器件內(nèi)部的光子吸收。本文報(bào)道了摻雜鋁氧化鋅(氧化鋅：Al或AZO)薄膜的表面紋理
2022-01-20 13:54:59289 
的磷酸和氫氧化鉀溶液中，氮化鎵上可以觀察到氧化鎵的形成。這歸因于兩步反應(yīng)過(guò)程并且在此過(guò)程中，紫外線照射可以增強(qiáng)氮化鎵的氧化溶解。 實(shí)驗(yàn)中，我們使用深紫外紫外光照射來(lái)研究不同酸堿度電解質(zhì)中的濕法蝕刻過(guò)程。因此，我們能夠首次在PEC蝕
2022-01-24 16:30:31948 
控制外延層的摻雜類(lèi)型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。
2022-04-11 13:44:444805 BOPET薄膜是很多柔性顯示屏中多種功能膜的基膜或底膜，其中最常用的手機(jī)面板屏幕觸控核心ITO薄膜(銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜)，就是以BOPET薄膜為基材，在膜表面涂布導(dǎo)電材料銦錫氧化物制備，但是ITO的脆性不適用于柔性屏幕的應(yīng)用。
2022-08-31 09:40:473996 全球?qū)部臻g和家庭環(huán)境的消毒殺菌需求與日俱增，深紫外LED正成為科技“新觸角”，廣泛應(yīng)用于物流、交通、醫(yī)療、教育等多個(gè)重點(diǎn)行業(yè)，從事深紫外LED的玩家逐漸增多。
2022-09-20 11:47:441173 
通過(guò)圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長(zhǎng)，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長(zhǎng)外延層。這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)。
2022-09-30 15:00:385893 二維半導(dǎo)體薄膜在任意表面的異質(zhì)外延技術(shù) 上海超級(jí)計(jì)算中心用戶北京大學(xué)陳基研究員與合作者提出了一種在不同晶體對(duì)稱(chēng)性、不同晶格常數(shù)和三維架構(gòu)基底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體2H-MoTe2薄膜的通用合成技術(shù)
2022-10-19 20:20:571531 
依次對(duì)單晶壓電薄膜異質(zhì)襯底制備、聲波器件仿真、聲表面波與板波濾波器技術(shù)的研究進(jìn)展進(jìn)行介紹與分析，并對(duì)未來(lái)聲波濾波器的發(fā)展做出展望。
2022-11-01 09:59:282352 碳納米管具有優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，碳納米管導(dǎo)電薄膜具有通電加熱快速升溫、斷電快速將的特點(diǎn)。紅外和遠(yuǎn)紅外輻射，發(fā)熱效率高，傳熱快，重復(fù)穩(wěn)定性好，性能穩(wěn)定，是非常好的加熱導(dǎo)熱材料之一。
2022-11-21 10:01:141788 在這項(xiàng)工作中，研究人員基于1 μm波段激光的高效四次諧波和五次諧波產(chǎn)生，同時(shí)展示了260和210 nm兩個(gè)波段的高峰值功率皮秒深紫外激光源。在263.2和210.5 nm均實(shí)現(xiàn)了超過(guò)GW水平的峰值功率輸出
2023-01-10 14:01:55401 作者通過(guò)退火和濃鹽酸處理去除制備出的MWCNT薄膜的不導(dǎo)電的無(wú)定形碳和金屬氧化物，從而有效的提升了薄膜的導(dǎo)電性。然后為了MXCNT擁有更致密的結(jié)構(gòu)和更高的結(jié)晶度，作者采用CSA進(jìn)行了進(jìn)一步處理。
2023-01-31 09:43:48684 以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿?，越?lái)越得到國(guó)內(nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:29568 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱(chēng)外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092828 
在硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池（SHJ）中，pn結(jié)由兩種不同形貌的硅形成，即一種是n型晶體硅（c-Si），另一種是p摻雜（III族）元素摻雜）非晶硅（a-Si）。許多研究人員報(bào)告稱(chēng)，改變摻雜水平、層數(shù)并添加其他材料層以實(shí)現(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效率。
2023-06-13 10:58:22657 
的發(fā)明歷史 自發(fā)現(xiàn)電性質(zhì)以來(lái)，人們一直在探索和研發(fā)導(dǎo)電材料。20世紀(jì)50年代，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)現(xiàn)了導(dǎo)電聚合物薄膜，并于1977年獲得了專(zhuān)利。隨著科技的進(jìn)步，導(dǎo)電聚合物薄膜逐漸被替代，金屬氧化物薄膜逐漸成為主流。目前，
2023-06-30 15:38:36959 金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進(jìn)展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個(gè)方面對(duì)異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進(jìn)行了闡述。
2023-07-12 15:22:23845 
液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長(zhǎng)領(lǐng)域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測(cè)器研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:20734 
用于深紫外線傳感應(yīng)用的GaN型紫外線傳感器。
與Si型紫外線傳感器相比，新產(chǎn)品對(duì)UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。
通過(guò)使用GaN,產(chǎn)品的靈敏度是Si型UV傳感器的三倍。
2023-08-11 11:50:40261 
氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-17 14:24:16412 
實(shí)現(xiàn)深紫外光通信的一個(gè)關(guān)鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實(shí)現(xiàn)，但汞燈的調(diào)制帶寬非常小，這嚴(yán)重影響了深紫光通信的傳輸速率。
2023-09-05 11:13:00484 
由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽(yáng)能電池，因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電
2023-09-21 08:36:22407 
深紫外光電探測(cè)器在導(dǎo)彈預(yù)警、臭氧層監(jiān)測(cè)、火焰探測(cè)等軍事和民用領(lǐng)域均有著廣泛的應(yīng)用。
2023-10-09 18:16:12388 
在異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)中，ITO薄膜對(duì)其性能的影響是非常重要且直接的，ITO薄膜自身的優(yōu)劣與制備ITO薄膜過(guò)程的順利往往能直接決定異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的后期生產(chǎn)過(guò)程以及實(shí)際應(yīng)用是否科學(xué)有效
2023-10-16 18:28:09703 、H1N1流感病毒、金黃色葡萄球菌的有效殺滅。研究的發(fā)現(xiàn)對(duì)人類(lèi)社會(huì)在寒冷條件下使用深紫外光子消毒具有重要意義。
2023-10-17 15:22:23878 
通過(guò)有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長(zhǎng)的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
異質(zhì)結(jié)電池的性能與其結(jié)構(gòu)和工藝有著密切關(guān)系。其中，薄膜厚度是一個(gè)重要的參數(shù)，它直接影響了異質(zhì)結(jié)電池的光電轉(zhuǎn)換率。因此，研究薄膜厚度對(duì)異質(zhì)結(jié)電池光電轉(zhuǎn)換率的影響，對(duì)于優(yōu)化設(shè)計(jì)和提高效率具有重要的意義
2023-12-12 08:33:34200
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