氮化硅(Si3N4)的理論熱導率上限

熱管理對高集成度和高功率密度電子器件的正常運行至關(guān)重要。高性能電子器件運行時會產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效及時地將這些熱量排出，就會導致器件過熱，進而影...

2023-05-16 標簽：散熱熱管理氮化硅 1999 0

DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來電子材料領(lǐng)域的新寵

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。

2023-09-14 標簽：功率器件SAMDBA 1884 0

MEMS工藝設計中如何實現(xiàn)應力匹配？

相較于本征應力，熱應力在某些方面是可以化敵為友的。在MEMS熱敏感執(zhí)行器中，基于膜層之間的熱膨脹系數(shù)差來實現(xiàn)懸臂梁的驅(qū)動。在雙層膜形成的MEMS熱驅(qū)動器...

2024-01-02 標簽：mems熱應力氮化硅 1754 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？又是怎樣制造出來的呢？

硅，我們都知道。但是芯片制程中的硅，有的用的是單晶硅，有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大，那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)？有哪些應用？又是怎樣制造...

2023-10-26 標簽：多晶硅MOSFET單晶硅 1701 0

芯片制造和封測工藝簡述

晶圓是制作硅半導體IC所用之硅晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「硅」， IC（Integrated Circuit）廠用的硅晶片即為硅晶體，因為整片的硅...

2023-08-03 標簽：半導體IC晶圓 1643 0

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標簽：多晶硅蝕刻襯底 1394 0

汽車功率模塊中AMB陶瓷基板的作用及優(yōu)勢

氮化硅（Si3N4） 基板在各項性能方面表現(xiàn)最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級電動汽車驅(qū)動逆變器中的應用。

2023-10-23 標簽：逆變器基板功率模塊 1375 0

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

2022-02-07 標簽：半導體碳化硅電沉積 1180 0

基于微諧振器的耗散克爾孤子DKS光頻梳OFC

研究還表明，重復率的穩(wěn)定性，通過期望的分頻因子與參考激光器的重復率的穩(wěn)定性相聯(lián)系。最后，跨倍頻程耗散克爾孤子DKS的克爾誘導同步KIS，表現(xiàn)出了相反色散...

2023-12-27 標簽：激光器諧振器OFC 1089 0

介紹一種高導熱率PCB基板材料的制造方法

熱性能一直是PCB設計和制造工程師最關(guān)心的問題，而具有高導熱率的PCB基板材料在改善PCB的熱性能方面起著重要作用。

2023-08-27 標簽：PCB設計PCB基板氮化硅 897 0

Science：石墨烯，再破一個新紀錄！

超材料完美吸收器層堆疊提供共振增強，同時充當電接觸，誘導pn摻雜，從而實現(xiàn)高效快速的載流子提取。直接自由空間耦合可實現(xiàn)光功率的分布，導致超過100 mW...

2023-07-04 標簽：石墨烯光電探測器氮化硅 715 0

氮化硅在芯片制造中的核心作用

在芯片制造這一復雜且精妙的領(lǐng)域中，氮化硅（SiNx）占據(jù)著極為重要的地位，絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。從其構(gòu)成來看，氮化硅屬于無機化合物，由硅元...

2025-04-22 標簽：材料芯片制造氮化硅 409 0

LPCVD氮化硅薄膜生長的機理

可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應物中氫的含量較低。氮...

2025-02-07 標簽：芯片薄膜氮化硅 359 0