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標(biāo)簽 > 氮化硅
氮化硅基板是一種新型的材料,具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅(SI3N4)陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。
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在選擇陶瓷基板材料時(shí),還需要考慮其對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響。不同的陶瓷基板材料具有不同的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,這會(huì)影響到電路的傳輸特性和性能穩(wěn)定性。因此,需要根據(jù)...
用磷酸揭示氮化硅對(duì)二氧化硅的選擇性蝕刻機(jī)理
關(guān)鍵詞:氮化硅,二氧化硅,磷酸,選擇性蝕刻,密度泛函理論,焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲(chǔ)密度,我們?nèi)A...
中國第3代半導(dǎo)體半導(dǎo)體理想封裝材料——高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題
2022年9月,威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模,高導(dǎo)熱...
一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路(光子芯片)技術(shù)
近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路(光子芯片)技術(shù),得到了創(chuàng)紀(jì)錄的...
如何提高氮化硅的實(shí)際熱導(dǎo)率實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的問題解決
綜合上述研究可發(fā)現(xiàn),雖然燒結(jié)方式不一樣,但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實(shí)現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時(shí),需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素,因...
羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機(jī)械強(qiáng)度比其它陶瓷高,所以新款curamik? 基板能夠幫...
2012-08-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片羅杰斯陶瓷基板 3731 0
簡(jiǎn)析新型氮化硅光子集成電路實(shí)現(xiàn)極低的光學(xué)損耗
據(jù)報(bào)道,光子集成電路(PIC)通常采用硅襯底,大自然中有豐富的硅原料,硅的光學(xué)性能也很好。但是,基于硅材料的光子集成電路無法實(shí)現(xiàn)所需的各項(xiàng)功能,因此出現(xiàn)...
如今高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板因其優(yōu)異的機(jī)械性能和高導(dǎo)熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件,適用于復(fù)雜和極端環(huán)境中的應(yīng)用。在這里,我們概述了制備高導(dǎo)熱...
瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)基礎(chǔ)科學(xué)學(xué)院的Tobias Kippenberg教授帶領(lǐng)的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造光子集成電路的新技術(shù)...
國科光芯實(shí)現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm(1550 nm波長(zhǎng))級(jí)別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代,國科光芯(海寧)科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱:國科光芯)在國內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)了傳...
國科光芯:專注氮化硅硅光技術(shù),探索硅光產(chǎn)業(yè)發(fā)展新路徑
第三,我們確實(shí)在今年上半年全面升級(jí)了發(fā)展戰(zhàn)略、使命及愿景。正如剛剛在介紹國科光芯的發(fā)展里程碑話題里提到的,基于激光雷達(dá)這幾年的深度研究,以及參考國際上硅...
眾所周知,半導(dǎo)體器件運(yùn)行產(chǎn)生時(shí)的熱量是導(dǎo)致半導(dǎo)體器件失效的關(guān)鍵因素,而電絕緣基板的導(dǎo)熱性是整個(gè)半導(dǎo)體器件散熱最為關(guān)鍵的。此外,由于顛簸、振動(dòng)等復(fù)雜的機(jī)械...
氮化硅陶瓷基板的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)和未來前景
氮化硅基板是一種新型的材料,具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求,正因?yàn)槿绱怂估ìF(xiàn)正全力...
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊,國產(chǎn)新能源汽車開啟性能狂飆模式
新能源電動(dòng)汽車爆發(fā)式增長(zhǎng)的勢(shì)頭不可阻擋,氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊,對(duì)提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項(xiàng)性能尤為重要。
隨著電子器件特別是第三代半導(dǎo)體的興起和應(yīng)用,半導(dǎo)體器件越來越小型化、集成化、多功能化,對(duì)襯底封裝性能提出了更高的要求。陶瓷基板具有高導(dǎo)熱性和耐熱性、低熱...
氮化硅(Si?N?)薄膜是一種高性能介質(zhì)材料,在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅,還具備對(duì)...
介質(zhì)超構(gòu)表面的CMOS兼容制備工藝的進(jìn)展
超構(gòu)表面為納米光子器件賦予了更高的自由度與靈活度,使實(shí)用的微納米光子器件的實(shí)現(xiàn)成為可能。
2023-07-27 標(biāo)簽:帶通濾波器光刻機(jī)CMOS技術(shù) 2145 0
石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效
石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代? 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效 石英坩堝在單晶硅行業(yè)的應(yīng)用 目前,國內(nèi)拉制半導(dǎo)體單晶硅...
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊,提升新能源汽車性能優(yōu)勢(shì)
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊,提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)
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