氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...

2023-10-25 標(biāo)簽：寬帶氮化鎵GaN 2003 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細(xì)的拆解報(bào)告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...

2023-10-20 標(biāo)簽：二極管充電器氮化鎵 1427 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。

2023-10-20 標(biāo)簽：充電器晶圓氮化鎵 1743 0

氮化鎵晶體管簡(jiǎn)化大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)

叉車應(yīng)用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達(dá) 900 ARMS 電機(jī)相電流。通常，每個(gè)生產(chǎn)商都有一個(gè)平臺(tái)方法，并銷售按電...

2023-10-18 標(biāo)簽：逆變器微處理器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2005 0

基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優(yōu)化設(shè)計(jì)

眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對(duì)EMI性能進(jìn)行評(píng)估以滿足EMC法規(guī)（例如EN55...

2023-10-16 標(biāo)簽：衰減器氮化鎵PFC電路 3000 0

氮化鎵能實(shí)現(xiàn)多強(qiáng)大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門話題，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車（EV）車載充電器和電動(dòng)汽車（EV）充電站等設(shè)計(jì)...

2023-10-13 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動(dòng)器FET 1018 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開關(guān) 2858 1

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標(biāo)簽：電感氮化鎵蝕刻 802 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 5060 1

為什么LED能夠發(fā)出不同顏色的光

LED（發(fā)光二極管）已經(jīng)成為了現(xiàn)代照明和電子領(lǐng)域的主力軍，因?yàn)樗鼈儾粌H具有高效能、長(zhǎng)壽命和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類...

2023-09-27 標(biāo)簽：led發(fā)光二極管氮化鎵 3511 0

干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1078 0

干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）

提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來說，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1247 0

氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)說明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管氮化鎵 9293 0

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

2023-09-27 標(biāo)簽：PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1586 0

電子元件失效分析

電子元件是電子設(shè)備和系統(tǒng)產(chǎn)品的最基本組成部分，其性能和可靠性對(duì)電子設(shè)備和系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行至關(guān)重要。

2023-09-15 標(biāo)簽：靜電放電氮化鎵紅外光譜儀 2113 0

硅基氮化鎵未來發(fā)展趨勢(shì)分析

GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標(biāo)簽：射頻無(wú)線電氮化鎵 1706 0