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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...
隨著第三代半導(dǎo)體材料的逐步應(yīng)用，對頻率要求更高，據(jù)我們了解理想頻率應(yīng)達(dá)到300KHz以上。對磁芯來說，您認(rèn)為頻率應(yīng)達(dá)到多少才會滿足需求？對磁芯的選材有什么要求？
用于高分辨率激光雷達(dá)的氮化鎵HEMT電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
激光雷達(dá)（LiDAR）基于通過將光束照射到物體上并準(zhǔn)確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發(fā)射光掃過真實(shí)世界的場景，可以收集三維信息以供計算機(jī)系統(tǒng)...
2023-05-06 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)氮化鎵激光雷達(dá) 1191 0
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...
前不久，來自瑞典的研究人員就設(shè)計并測試了第一個木制晶體管。團(tuán)隊發(fā)表了一篇題為“木材電化學(xué)晶體管中的電流調(diào)制”的論文，討論了他們最近開發(fā)的木材電化學(xué)晶體管...
面對社會和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計成功的關(guān)鍵。
氮化鎵（GaN）的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下...
X射線衍射法是根據(jù)X射線衍射原理來精確測定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和應(yīng)力的檢測方法，測試方法簡單、方便、測試結(jié)果準(zhǔn)確，可以準(zhǔn)確判斷材料結(jié)晶質(zhì)量好壞，因此是一種非常...
什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...
納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點(diǎn)，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)...
2023-04-25 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 532 0
氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢
本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計，概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用，并簡單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計中，相較于硅基器件所帶來的優(yōu)勢。
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因為在同等導(dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
LED屏的七大分類方式 關(guān)于LED屏的16個小知識
雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成，256級灰度的雙基色顯示屏可顯示65，536種顏色（雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色）。全彩色LED顯示屏由紅...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。
在現(xiàn)代汽車中，增加的重量和更寬的前輪胎使無輔助轉(zhuǎn)向變得不切實(shí)際，因為對操作員的阻力增加。因此，幾年前，采用了電動助力轉(zhuǎn)向。一開始，對駕駛員的輔助是通過液...
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
氮化鎵（GaN）是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體，其開關(guān)速度比硅元件快20倍，并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動器的PFC和轉(zhuǎn)換器級中使用GaN開關(guān)...
2023-04-04 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動器 2362 0
幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...
2023-04-03 標(biāo)簽：驅(qū)動器PCB設(shè)計氮化鎵 1037 0
銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，...
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