是一種半導(dǎo)體器件，通過將一層半導(dǎo)體材料放置在兩層極性相反的材料之間而創(chuàng)建。NPN晶體管（如8050）通常在兩層負(fù)極材料之間有一層正極材料。相比之下，正負(fù)正（PNP）晶體管在兩個正極之間有一個負(fù)層
2023-02-16 18:22:30
一個1Hz的時鐘信號可否驅(qū)動led閃爍？
2014-03-29 14:05:05
1Hz。1Hz的振蕩頻率，可以配合 耳機喇叭 和 LED發(fā)光二極管，讓人真正聽到、真正看到電路的振蕩現(xiàn)象，為電子發(fā)燒友們DIY搭建自己的TTL電路有一個好的開始。振蕩電路是模擬電路中最著名的一個電路之一
2017-12-23 21:37:39
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。（達(dá)林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據(jù)由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結(jié)溫。圖2. 進(jìn)度表
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊，請各位大俠指點?。?！
2016-06-07 23:27:44
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
用?；鶚O電壓源通過電阻提供基極電流為了使晶體管成為電子開關(guān)工作，需要提供一個電壓源，并將其通過電阻與基極相連接。如果要使開關(guān)導(dǎo)通，基極電壓源通過電阻向晶體管的基極提供足夠大的電流IB就可以使得晶體管導(dǎo)
2017-03-28 15:54:24
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺計算機到EDVAC，這些計算機使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開關(guān)特性實現(xiàn)二進(jìn)制的計算。然而電子管元件有許多明顯的缺點。例如，在運行時產(chǎn)生的熱量
2021-01-13 16:23:43
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
別與三個插孔相接），萬用表即會指示出該管的放大倍數(shù)。若萬用表無hFE檔，則也可使用萬用表的R×1k檔來估測晶體管放大能力。測量PNP管時，應(yīng)將萬用表的黑表筆接晶體管的發(fā)射極E，紅表筆接晶體管的集電極C
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
紹了各種電路印制電路板的實際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機制進(jìn)行了驗證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路。如圖Z0212所示?！ ?晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
計算機等使用的數(shù)字信號中，晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合，其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數(shù)字晶體管
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
計算機等使用的數(shù)字信號中，晶體管起著切換0和1的開關(guān)作用。IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合，其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數(shù)字晶體管
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
”現(xiàn)象。這就是因輸入信號的幅值太高，晶體管進(jìn)入飽和區(qū)后，對信號失去放大作用，同時對信號產(chǎn)生限幅作用后的結(jié)果。由此可得出第一個問題的答案：隨著基極電流的增加，晶體管的工作狀態(tài)將由放大區(qū)向飽和區(qū)過渡，當(dāng)
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
=VBE2-VBE1。這里，硅晶體管根據(jù)溫度具有一定的溫度系數(shù)。約為ー2.2mV/oC。（達(dá)林頓晶體管為ー4.4mV/oC）因此，根據(jù)由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結(jié)溫。圖2. 進(jìn)度表
2019-05-09 23:12:18
集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。 晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明
2010-08-12 13:57:39
CPU上的晶體管有多少個？
2021-02-26 07:14:53
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
兩個N型半導(dǎo)體和一個P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過改變流經(jīng)第二個通道的較小電流的強度來控制通過一個通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
表親非常相似的特性，不同之處在于，對于第一個教程“公共基極”、“共發(fā)射極”和“公共集電極”中討論的三種可能配置中的任何一種，電流和電壓方向的極性（或偏置）都是相反的。由于PNP晶體管的基極端子相對于
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
TFT液晶屏里的一個像素點對應(yīng)多少個薄膜晶體管？
2021-06-19 16:02:51
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)合在一
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設(shè)計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計與制作》是“圖解實用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設(shè)計和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
。作者簡介 ：鈴木雅臣，任職于Accuphase公司，主要從事數(shù)字視聽設(shè)備設(shè)計工作。生于日本東京。著有《新·低頻/高頻電路設(shè)計入門》、《晶體管電路設(shè)計》等。目錄：第一章 概述學(xué)習(xí)晶體管電路或FET電路
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
典型GaN晶體管的核心是一個導(dǎo)電通道，它由AlGaN阻擋層和GaN緩沖層間界面上產(chǎn)生的二維電子氣形成（見圖1）。這種器件傾向在一個異質(zhì)基板上生產(chǎn)，典型的是硅或碳化硅，并具備三個電極：源極、漏極、柵極。為
2020-11-27 16:30:52
相當(dāng)高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因為晶體管通常封裝在一個器件中。另一個優(yōu)點是整個電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
寬度是不可能的?！ 〕崞穸仁?b class="flag-6" style="color: red">一個關(guān)鍵參數(shù)，因為它控制短通道行為和器件的亞閾值擺幅。亞閾值擺幅測量晶體管的效率。正是柵極電壓的變化使漏極電流增加了一個數(shù)量級?！ D1.鰭式場效應(yīng)晶體管尺寸
2023-02-24 15:25:29
10K 1LED 1JST 連接器 01x02 1測試點 1電路說明：請注意，該電路是使用 KiCAD EDA 設(shè)計的。兩個晶體管相互連接以充當(dāng)達(dá)林頓對。晶體管Q1首先放大增益，然后進(jìn)一步放大并由
2022-08-30 07:23:58
ADALM2000主動學(xué)習(xí)模塊無焊面包板一個2.2 kΩ電阻（或其他類似值）一個100 Ω電阻一個4.7 kΩ電阻兩個小信號NPN晶體管（2N3904或SSM2212）說明BJT穩(wěn)定電流源對應(yīng)的電路如圖1所示
2021-11-01 09:53:18
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對于其發(fā)射極（E）的基極（B）的負(fù)電壓將使其“打開”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個簡單
2023-02-03 09:45:56
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個問題請教于各位高手。1：開關(guān)初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關(guān)打開，點擊仿真后，點擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結(jié)晶體管有一個PN結(jié)和三個電極，一個發(fā)射極和兩個基極，所以又稱雙基極二極管。其結(jié)構(gòu)、等效電路及電路符號如下圖所示。a、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)；b、等效電路；c、電路符號它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
存儲單元”是構(gòu)成“靜態(tài)存儲器”（SRAM）的最基本單元。其中每一個BIT存儲在4個晶體管構(gòu)成的2個交叉耦合的反相器中。而另外2個晶體管作為“寫控制電路”的控制開關(guān)。 有趣的是，搭建這個電路需要嚴(yán)格對稱
2017-01-08 12:11:06
的第一個電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計過程中，有時需要“獨立”控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會
2016-08-30 01:01:44
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
場效應(yīng)管是一種放大器件元件，而晶體管是場效應(yīng)管元件它是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，它不吸收信號源電流
2012-07-11 11:36:52
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
NPN達(dá)林頓配置中，兩個晶體管的集電極連接，而第二個晶體管的基極連接到第一個晶體管的發(fā)射極。從配置中，我們看到第一個晶體管的發(fā)射極電流成為打開它的第二個晶體管的基極電流?！ ∈褂?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點
2023-02-20 16:35:09
個晶體管的偏置。我的問題是，我必須在兩個晶體管的漏極處獲得3V和60mA，在兩個晶體管的柵極處獲得一些毫伏電壓，這就是我想要的。但我得到（如下圖所示）紅色環(huán)＃2處的＃1，0v和0mA處的紅色環(huán)處的3v
2019-01-14 13:17:10
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
nf~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個正的驅(qū)動電壓時，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導(dǎo)通。之后，電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
先生，我已將一個晶體管連接到另一個晶體管。如何實現(xiàn)兩個晶體管Vds = 3V和Ids = 60mA的偏置。我使用了兩個ATF54143晶體管，并在一個晶體管X2（如圖所示）Vds = 3v（電壓差為
2018-12-27 16:09:48
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
的新HD-GIT - 性能 第一個結(jié)果：當(dāng)漏極 - 源極電壓施加到某個閾值以上時 - 取決于器件特性，對于我們在這里寫的晶體管，有點高于500V - “電流崩潰”，從應(yīng)用角度來看Rds（晶體管的on）在
2023-02-27 15:53:50
，最小化磁化電流是改進(jìn)LLC轉(zhuǎn)換器的目標(biāo)。圖 2：半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的主電流和電壓波形圖 3：不同晶體管（GaN、Si 和 SiC）的 Qoss 與 Vds 曲線LLC的另一個重要晶體管參數(shù)
2023-02-27 09:37:29
求51單片機 STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
求一個晶體管開關(guān)時間的測試搭建電路，有脈沖發(fā)生器，直流電源，示波器。
2020-03-05 22:57:43
我在設(shè)計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀電路圖的工作原理:要描繪晶體管的特性曲線，需要對被測晶體管加上兩種電壓:一是要在晶體管的集電極加上工作電壓，但這個工作電壓不是固定的直流電壓，而是一個按一定頻率變化的鋸齒波
2008-07-25 13:34:04
分別連接每個并聯(lián)晶體管，再同時與傳統(tǒng)硅晶體管的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動器連接。并聯(lián)的幾個晶體管只需要一個隔離型驅(qū)動器，例如隔離型EiceDRIVER?1EDI20N12AF，使用源極（OUT +）和漏極（OUT-
2021-01-19 16:48:15
見證者，肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年，肖克萊發(fā)明了“結(jié)型晶體管 ”。1948年7月1日，美國《紐約時報》只用了8個句子的篇幅，簡短地公開了貝爾實驗室發(fā)明晶體管的消息?！?b class="flag-6" style="color: red">一石激起千層浪”，它就像顆重磅***，在全世界電子行業(yè)“引爆”出強烈的沖擊波。電子計算機終于就要大步跨進(jìn)第二代的門檻！
2012-08-02 23:55:11
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
如何在Multisim軟件中設(shè)計一個輸出1HZ的脈沖電路，本人是新手
2019-06-04 19:14:00
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
，電路中以“{RL}”來替代負(fù)載。通過單片機的I/O來方便的控制負(fù)載通斷電，圖1所示的電路簡單明了，使用一個NPN晶體管，高電壓平通，低電平斷。但再仔細(xì)想想，好像沒有表面上的那么簡單，至少需要考慮到以下
2016-06-03 18:29:59
這個達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
1HZ時基信號電路
2009-01-13 19:22:59
2660 
這是帶有板上芯片（COB）的1Hz時鐘發(fā)生器電路。通常，為數(shù)字時鐘和計數(shù)器電路應(yīng)用產(chǎn)生1Hz時鐘的電路將IC與晶體和微調(diào)電容器等結(jié)合使用。
2022-06-07 10:43:501886 
1947年，當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產(chǎn)品的最重
2023-06-16 18:25:03374 
1947年，當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產(chǎn)品的最重
2023-07-17 09:50:46250 
[半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導(dǎo)體
2023-11-29 16:24:59193 
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