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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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本文小編分享一篇文章,本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用,本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用,并介紹了原子層鍍膜技...
隨著電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源的不斷普及,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來(lái)顯著增長(zhǎng),并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加,以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...
2024-10-15 標(biāo)簽:封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 621 0
英諾賽科 2KW 48V 雙向ACDC儲(chǔ)能電源方案
2KW 48V雙向ACDC儲(chǔ)能模塊采用All GaN解決方案,包括前端AC-DC無(wú)橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉(zhuǎn)換器,可實(shí)現(xiàn)單雙向工作。...
2024-10-12 標(biāo)簽:氮化鎵英諾賽科第三代半導(dǎo)體 1183 0
分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用
如今,以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用,它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力,以及更大的電子飽和漂移速率等特點(diǎn)。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...
針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合,為了滿(mǎn)足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個(gè)更先進(jìn),并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 3952 0
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對(duì)兩者優(yōu)勢(shì)的比較: 氮化鎵(GaN)...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 2616 0
引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 1800 0
目前市場(chǎng)已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn),助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中,變壓器為最重要元件,而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料,這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間,具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì),使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...
2024-08-15 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 2767 0
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢(shì)
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來(lái)在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì),...
如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應(yīng)和Trapping效應(yīng)模型參數(shù)?
氮化鎵(GaN)技術(shù)在5G基站、衛(wèi)星通信、國(guó)防系統(tǒng)和其他應(yīng)用中的迅速普及提高了晶體管建模的門(mén)檻。
氮化鎵快充電源ic U8722DE優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率
氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路
2024-05-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵電源IC 1234 0
聚焦大功率氮化鎵(GaN)器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問(wèn)題
熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題,其中的各種規(guī)則、縮略語(yǔ)和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測(cè)的神秘領(lǐng)域;
氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開(kāi)發(fā)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢(shì)也推動(dòng)...
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì),如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí),這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì),因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)...
在5G和新能源汽車(chē)等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足5G和新能源汽車(chē)的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半...
一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)—U8722
氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù),在充電速度、安全性做到了突破。
2024-04-09 標(biāo)簽:充電器氮化鎵驅(qū)動(dòng)電流 993 0
led發(fā)光的顏色由什么決定 LED的發(fā)光原理
LED的發(fā)光過(guò)程主要包括載流子注入和復(fù)合兩個(gè)步驟。當(dāng)外加電壓施加在LED的正向偏置端時(shí),電流通過(guò)LED的正向偏置結(jié)并注入到半導(dǎo)體材料中。
2024-03-22 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體材料氮化鎵 3635 0
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