氮化鎵充電器原理 氮化鎵充電器原理圖

隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運(yùn)行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半...

2023-11-24 標(biāo)簽：充電器氮化鎵電磁波 7489 0

SIC比SI有什么優(yōu)勢(shì)？碳化硅優(yōu)勢(shì)的實(shí)際應(yīng)用

SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...

2023-11-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器IGBT 2588 0

深入了解 GaN 技術(shù)

深入了解 GaN 技術(shù)

2023-12-06 標(biāo)簽：柵極氮化鎵GaN 6525 0

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

2023-12-01 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率密度 677 0

基于氮化鎵的分容水冷一體機(jī)解決方案

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過(guò)繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無(wú)法正常使用，因此需要化成分容設(shè)備激活內(nèi)部的活性物質(zhì)，...

2023-11-22 標(biāo)簽：鋰電池DC-DC氮化鎵 1104 0

大面積燒結(jié)的進(jìn)步提高了功率模塊的性能

以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高，碳化...

2023-11-21 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率模塊 1283 0

淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFETIGBT氮化鎵 936 0

使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案...

2023-11-16 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 9321 0

南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案

功率密度的大幅提升離不開(kāi)第三代半導(dǎo)體的助力，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運(yùn)行，且具有更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...

2023-11-15 標(biāo)簽：MOS功率器件氮化鎵 467 0

一文解析氮化嫁技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈

氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...

2023-11-14 標(biāo)簽：新能源汽車射頻功率器件 849 0

廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

近日，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展，相關(guān)成果以“Green Vertical-C...

2023-11-10 標(biāo)簽：激光器氮化鎵VCSEL 1021 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開(kāi)關(guān)中，如電源、電機(jī)控制、工廠自動(dòng)化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 2289 0

氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-11-06 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 1.2萬(wàn) 0

一文詳解PowiGaN、硅和SiC性能比較

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開(kāi)關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...

2023-11-02 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵GaN 1017 0

什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

GaN近期為何這么火？如果再有人這么問(wèn)你，你可以這樣回答：因?yàn)槲覀冸x不開(kāi)電源。

2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)氮化鎵 6136 0

預(yù)匹配氮化鎵功放管參考應(yīng)用電路

基于D1A32 GaN器件設(shè)計(jì)的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...

2023-11-02 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵GaN 632 0

小米140W氮化鎵充電器拆解評(píng)測(cè)

PFC開(kāi)關(guān)管來(lái)自納微，型號(hào)NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及高精度無(wú)損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...

2023-10-31 標(biāo)簽：充電器DC-DC氮化鎵 2342 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...

2023-10-25 標(biāo)簽：寬帶氮化鎵GaN 1888 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細(xì)的拆解報(bào)告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...

2023-10-20 標(biāo)簽：二極管充電器氮化鎵 1309 0