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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)？氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別？

氮化鎵充電器什么意思？氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)？氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么？氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵（GaN）材料制造的充電器。GaN是一種新...

2023-11-21 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 GaN 4923 0

GaN氮化鎵的4種封裝解決方案

GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn)，與硅晶圓相比在封裝過(guò)程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過(guò)程最易出現(xiàn)的問(wèn)題。同時(shí)，Ga...

2023-11-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝氮化鎵 1817 0

氮化鎵帶來(lái)電源管理變革的3大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。　　氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，...

2023-11-18 標(biāo)簽：電源氮化鎵 GaN 736 0

智佳能第三代氮化鎵分容水冷一體機(jī)降本增效領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)多輪的產(chǎn)能狂飆后，擴(kuò)張?jiān)鏊龠M(jìn)入調(diào)整期。但新能源動(dòng)儲(chǔ)賽道發(fā)展大勢(shì)仍為全球共識(shí)，或?qū)⑷匀皇俏磥?lái)增速較快的行業(yè)之一。

2023-11-17 標(biāo)簽：新能源氮化鎵鋰電 1744 0

成本降低70%！國(guó)產(chǎn)高壓GaN又有新成果

保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可開(kāi)發(fā)出650V、900V、...

2023-11-16 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 2884 0

內(nèi)匹配寬帶氮化鎵芯片系列介紹

◎產(chǎn)品特性: 工作頻率: 2. 0^~ 6. 0GHz 飽和輸出功率: Pout ≥50dBm 功率增益: Gain≥8. 0dB (type) ...

2023-11-16 標(biāo)簽：芯片功率管氮化鎵 1059 0

中國(guó)氮化嫁（GaN）代表企業(yè)及業(yè)務(wù)

第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導(dǎo)體材料，興起于二十世紀(jì)五十年代，帶動(dòng)了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)電子、...

2023-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3232 0

芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會(huì)上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用的850V Cynthus?系...

2023-11-14 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 GaN 1182 0

?GaN先驅(qū)尋求被收購(gòu)

“在2024財(cái)年第二季度，我們看到了強(qiáng)勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)，同時(shí)，毛利率同比增長(zhǎng)了近一倍。我們對(duì)產(chǎn)品線的持續(xù)增長(zhǎng)和設(shè)計(jì)勝利感到高興，大功率設(shè)計(jì)的成...

2023-11-12 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 1096 0

Micro OLED：有望主導(dǎo)VR和AR

Micro LED的高亮度、高可靠性、以及超低功耗的超緊湊外形對(duì)AR而言具有主要優(yōu)勢(shì)。但同時(shí)，Micro LED的效率隨著芯片尺寸的縮小而下降。三星的研...

2023-11-10 標(biāo)簽：顯示器 OLED Ar 937 0

氮化鎵芯片到底是怎么做的呢？

氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展...

2023-11-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1824 0

氮化鎵（GAN)有什么優(yōu)越性

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有...

2023-11-09 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 1561 0

氮化鎵給生活帶來(lái)怎樣的便利

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。

2023-11-08 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 866 0

功率半導(dǎo)體商納微半導(dǎo)體明天發(fā)布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)召開(kāi)電話會(huì)議

? ?納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）將于美東時(shí)間2023年11月9日星期四股市收市后，公布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。納微半導(dǎo)體管理層將召開(kāi)電...

2023-11-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 663 0

氮化鎵的技術(shù)日漸壯大

氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵材料的帶隙寬度更大，能夠承受更高的電壓和溫度，同時(shí)具有更高...

2023-11-07 標(biāo)簽：led 電源適配器氮化鎵 638 0

GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？

GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？GaN驅(qū)動(dòng)電路有哪些設(shè)計(jì)技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電...

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應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)？

GaN為何物？應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢(shì)？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導(dǎo)體材料...

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南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)蒞臨國(guó)星半導(dǎo)體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片

? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局局長(zhǎng)薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長(zhǎng)熊惠芬，科技成果轉(zhuǎn)化股股...

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納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導(dǎo)...

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納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

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2023-11-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 OLED屏氮化鎵 1755 0

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