氮化鎵充電器與普通充電器有什么區(qū)別

重度依賴手機(jī)已經(jīng)成為一種社會(huì)常態(tài)，很多人每天打開屏幕的次數(shù)不下百次。這讓無數(shù)人患上了“電量焦慮”，插上充電器的那一刻才能得以平息。雖然每天都在用充電器，...

2019-11-19 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 27.6萬 0

氮化鎵十大龍頭企業(yè)

今天我們一起學(xué)習(xí)一下關(guān)于氮化鎵龍頭企業(yè)到達(dá)有哪些呢？首先氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中...

2020-11-20 標(biāo)簽：氮化鎵三安光電耐威科技 10.7萬 0

氮化鎵跟普通充電器有什么區(qū)別

1、氮化鎵是什么？ 是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...

2021-07-10 標(biāo)簽：氮化鎵 9.5萬 0

氮化鎵充電器是什么_氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性，在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...

2020-04-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 8.1萬 0

氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”...

2020-11-20 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 6.2萬 0

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,或成5G時(shí)代的最大受益者之一

GaN器件則以高性能特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于通信、國防等領(lǐng)域，在5G 時(shí)代需求將迎來爆發(fā)式增長。

2019-06-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 5.7萬 0

中國積極布局第三代半導(dǎo)體材料！國內(nèi)都有哪些氮化鎵的供應(yīng)商？

Yole Developpement功率電子暨化合物半導(dǎo)體事業(yè)單位經(jīng)理PierricGueguen認(rèn)為，碳化硅主要適用于600V以上的高功率應(yīng)用，氮化鎵...

2019-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.6萬 0

帶你走進(jìn)神奇的氮化鎵！

氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好...

2019-03-12 標(biāo)簽：氮化鎵 3.6萬 0

小米發(fā)布GaN充電器，2020年將是GaN的起飛之年

2月13日，小米舉辦的小米10線上發(fā)布會(huì)上，除了手機(jī)，還發(fā)布了一款氮化鎵功率器件的65W充電器。近期更是傳言蘋果也將推出65W的GaN充電器。如果再有蘋...

2020-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅小米 2.4萬 0

氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別 氮化鎵芯片國內(nèi)三巨頭

氮化鎵是目前全球最快功率開關(guān)器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。

2023-02-05 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵開關(guān)器件 2.2萬 0

氮化鎵充電器拆解

ANKER GaN技術(shù)充電器的第一款產(chǎn)品正式在國內(nèi)上市，名叫ANKER PowerPort Atom PD 1，它支持USB PD快充，最大輸出達(dá)30W...

2020-04-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 2.1萬 0

氮化鎵充電器的主要優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

　　第三代半導(dǎo)體具有較高的熱導(dǎo)率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等，適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件，可用于衛(wèi)星、汽車、雷達(dá)、工業(yè)、...

2023-02-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體氮化鎵 2.0萬 0

氮化鎵應(yīng)用風(fēng)口,全球氮化鎵知名企業(yè)

與硅或者其他三五價(jià)器件相比，氮化鎵速度更快。GaN可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。對于既定功率水平，GaN具有體積小的優(yōu)勢。有了更小的器件，就可以減小器件電容，...

2018-11-30 標(biāo)簽：氮化鎵激光雷達(dá)5G 1.9萬 0

盤點(diǎn)國內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商

眾所周知，我國現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件，自然也受到了重點(diǎn)關(guān)注。

2019-02-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.9萬 0

投資3億元,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成

迎接5G無線通信對氮化鎵射頻芯片的市場需求，打造國產(chǎn)射頻芯片新品牌。

2019-05-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵能訊 1.9萬 0

投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國除了在硅基方面進(jìn)行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共...

2020-08-17 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 1.9萬 1