德儀LMG5200 GaN半橋功率級

本報告對德州儀器LMG5200器件進(jìn)行詳細(xì)的逆向分析，包括器件設(shè)計、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動器的半橋氮化鎵場效應(yīng)晶...

2018-03-05 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率級 1.1萬 0

OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無線VOOC閃充 技術(shù)亮點全揭曉！

2019年9月17日，OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無線VOOC閃充。據(jù)O...

2019-09-18 標(biāo)簽：適配器OPPO氮化鎵 1.1萬 1

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品...

2018-03-12 標(biāo)簽：dc/dc德州儀器氮化鎵 1.1萬 0

小米GaN氮化鎵充電器到底采用的哪家方案

小米10系列發(fā)布會上，雷軍宣布了小米旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，最大功率65W。

2020-02-17 標(biāo)簽：充電器氮化鎵小米 1.1萬 0

氮化鎵(GaN)是什么

氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在...

2023-02-17 標(biāo)簽：氮化鎵 1.1萬 0

為何現(xiàn)在進(jìn)入氮化鎵射頻市場機(jī)會已經(jīng)不大?

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示

2019-04-26 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 1.1萬 0

欣憶電子第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目落戶廣西桂林高新區(qū) 一期總投資達(dá)16億元

近日，廣西桂林高新區(qū)管委會與位于中國臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進(jìn)會，就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目推進(jìn)開展“云洽談”。

2020-04-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.1萬 0

首發(fā)PD 3.1！140W快充終于逼蘋果用上氮化鎵

在10月19日凌晨的發(fā)布會上，蘋果公布了最新一代的Macbook Pro系列產(chǎn)品，更是在16英寸的型號中加入了140W的快充充電器。蘋果在會后證實，這款...

2021-10-21 標(biāo)簽：蘋果氮化鎵快充技術(shù) 1.0萬 0

濟(jì)寧高新區(qū)舉辦2019年第一批重大項目集中開工儀式

山大氮化鎵單晶襯底項目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學(xué)進(jìn)行產(chǎn)學(xué)研合作，將氮化鎵單晶襯底實驗室成果實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重點項目。項目總投資15億元，總建...

2019-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 1.0萬 0

維易科（VEECO）和ALLOS展示行業(yè)領(lǐng)先的200MM硅基氮化鎵性能，推動micro-LED的應(yīng)用

Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達(dá)成了一項戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光mic...

2018-02-26 標(biāo)簽：氮化鎵microled硅基氮化鎵 1.0萬 0

氮化鎵充電器Galio推出，支持最大充電器功率為120W

　　從倍思推特了解到，倍思推出了全球最小的120W氮化鎵充電器，現(xiàn)已在kickstarter眾籌。

2020-02-25 標(biāo)簽：充電器usb氮化鎵 1.0萬 0

未來的材料寵兒“碳化硅”和“氮化鎵”

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力...

2012-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 9830 0

納微GaNFast推動世界上最薄的旅行適配器

納微（Navitas）宣布GaNFast?功率IC應(yīng)用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個用于全球范圍的超薄適配器可輕松...

2018-03-06 標(biāo)簽：適配器氮化鎵納微半導(dǎo)體 9713 0

耐威科技第三代半導(dǎo)體材料制造項目正式投產(chǎn) 將打造世界級氮化鎵材料公司

9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，公司控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）投資建設(shè)...

2019-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵耐威科技 9707 0

拆解|QR架構(gòu)、功率密度0.91W/cm3的國產(chǎn)30W 氮化鎵快充

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）隨著電子設(shè)備充電功率的不斷提高，具有耐高溫 、高壓、高開關(guān)頻率的氮化鎵，在消費類快充領(lǐng)域進(jìn)入了發(fā)展的快車道。氮化鎵不僅能夠替...

2022-07-30 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù) 9416 0

5G時代氮化鎵的優(yōu)勢到底有多明顯

氮化鎵（GaN）被譽(yù)為繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，具有帶隙寬、原子鍵強(qiáng)、導(dǎo)熱率高、化學(xué)性...

2020-03-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 9288 0

安世半導(dǎo)體2020年首發(fā)氮化鎵新品，透露了哪些信息？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）最近，聞泰科技發(fā)布公告稱將進(jìn)一步收購安世剩余股權(quán)，并將增資為安世半導(dǎo)體進(jìn)行工藝升級等項目。而在年初，安世半導(dǎo)體也任命了張學(xué)...

2020-06-17 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵安世半導(dǎo)體 9201 0

氮化鎵新動態(tài)：傳感器融入芯片、導(dǎo)通電阻大幅下降

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文、李誠）氮化鎵和碳化硅一樣，不斷地挑戰(zhàn)著硅基材料的物理極限，多用于電力電子、微波射頻領(lǐng)域，在電力電子的應(yīng)用中，氮化鎵的禁帶寬度是硅基...

2021-11-16 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵納微半導(dǎo)體 9163 0