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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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恩智浦推出適用于5G網(wǎng)絡(luò)的全新高功率射頻產(chǎn)品
美國費城(IMS 2018) – 2018年6月12日 – 恩智浦半導(dǎo)體(納斯達克代碼:NXPI)擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(Si-...
USB PD3.1帶動PD快充技術(shù)重大革新!蘋果140W氮化鎵充電器帶火的市場,最新進展到哪里了?
近期,在蘋果推出新款 MacBook Pro 時,該公司還推出了一款全新的140W USB-C 充電器,該充電器隨附在16 英寸機型的包裝盒中。Appl...
直擊深圳禮品展!氮化鎵、無線充擠爆充電市場,智能穿戴、智能家居再迎破局新風(fēng)向
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷、劉靜)近期,粵港澳大灣區(qū)車展被認為是深圳會展業(yè)線下重啟的標(biāo)志,就在粵港澳大灣區(qū)車展之后,深圳禮品展也在6月15日正式開...
是時候采用氮化鎵功率器件設(shè)計DC/DC轉(zhuǎn)換器了
很多工程師提問關(guān)于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導(dǎo)體,因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個...
2019-03-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件氮化鎵 6420 0
這幾年第三代半導(dǎo)體異?;馃?,國內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2020年,GaN功率器件市場規(guī)模為4600萬美元,相比2019年增長了...
2021年6月5日,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司在蘇州汾湖高新區(qū)舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年,是全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵IDM企業(yè),...
耐威科技表示,本次“8 英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”的研制成功,使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長時可靠性的...
第三代半導(dǎo)體襯底材料供應(yīng)商 中圖科技科創(chuàng)板IPO進入已問詢狀態(tài)
4月21日,上海證券交易所網(wǎng)站顯示,廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司(簡稱“中圖科技”)科創(chuàng)板IPO進入已問詢狀態(tài)。 ? 中圖科技是一家面向藍寶石上氮化鎵...
Yole電力電子技術(shù)與市場分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會面,討論意法半導(dǎo)體...
2018-12-24 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵 6291 0
氮化鎵功率器件再升級:GaNsense?技術(shù)能帶來怎樣的改變?
相比傳統(tǒng)的硅器件,氮化鎵器件的開關(guān)速度要比硅快20倍,體積和重量更小,在一些系統(tǒng)里可以節(jié)能40%以上。同時相比于硅,氮化鎵功率器件的功率密度可以提升3倍...
2021-11-26 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 6270 0
賽微電子擬投資10億元建6-8英寸硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)線
近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8...
浙江博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工 將對“中國芯”打造提供強勁助力
4月10日,浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目正式開工。
倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點啟示
19年12月份,購買了一款 明星產(chǎn)品:倍思的雙C+A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價 268 元; 購買的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...
可在25至300攝氏度的溫度范圍內(nèi)工作的氮化鎵存儲器
在可耐高溫的下一代電子產(chǎn)品方面,Zhao和他的團隊最近在IEEE Electron Device Letters上介紹了他們研發(fā)的可在25至300攝氏度...
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中,由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施...
2023-02-06 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體制造碳化硅 6081 0
好像從我使用 iPhone 以來,蘋果給用戶附贈的就一直是祖?zhèn)鞯哪穷w5V1A超級慢充電源,好不容易 iPhone 11Pro 系列給升級成了 18W 快...
小米10系列發(fā)布會讓氮化鎵充電器一舉捧紅,成為新晉網(wǎng)紅配件。小米的入局,可以說是極大地提高了氮化鎵的關(guān)注度。
Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC
Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoS...
哪些射頻和微波技術(shù)將在2019年推動行業(yè)發(fā)展
在更高數(shù)據(jù)速率下的高功率效率: GaN具有軟壓縮特性,使其更容易預(yù)失真和線性化。因此,它更容易用于數(shù)字預(yù)失真(DPD)高效應(yīng)用。GaN能夠在多個蜂窩頻段...
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