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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

無(wú)線電源傳輸線圈技術(shù)的現(xiàn)在與未來(lái)

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由美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)獨(dú)立出來(lái)的WiTricity現(xiàn)任總裁EricGiler,曾在2009年曾于TED發(fā)表題為“無(wú)線電力技術(shù)示范”的精彩演說(shuō),展示...

2017-03-21 標(biāo)簽:無(wú)線電源氮化鎵 5242 0

IEEE發(fā)布半導(dǎo)體技術(shù)路線圖,助力碳化硅和氮化鎵材料發(fā)展

近日,為了促進(jìn)寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,IEEE電力電子學(xué)會(huì)(PELS)發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體(ITRW)的國(guó)際技術(shù)路線圖。

2020-04-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 5238 0

業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC登場(chǎng)!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的

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? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)從硅產(chǎn)品、碳化硅產(chǎn)品,再到氮化鎵的功率變換開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,PI都走在行業(yè)前列。近期,PI推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)...

2024-11-18 標(biāo)簽:PI氮化鎵高耐壓 5165 1

陳小龍:碳化硅晶圓國(guó)產(chǎn)化先鋒

“創(chuàng)新從來(lái)都是九死一生”,道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上,未來(lái)還充滿了許許多多的坎坷險(xiǎn)阻,還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...

2019-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 5078 0

氮化鎵充電器選哪個(gè)比較好?

電子產(chǎn)品的廣泛使用催生了大眾對(duì)于快充的需求,而提到快充,大家一定不會(huì)陌生的就是氮化鎵充電器。只要選擇信得過(guò)的品牌、品質(zhì)和售后,優(yōu)質(zhì)的氮化鎵充電器并不難選...

2020-11-30 標(biāo)簽:充電器連接器氮化鎵 5039 0

氮化鎵功率器件:從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心邁進(jìn)

氮化鎵功率器件:從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心邁進(jìn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料得以大力發(fā)展,譬如氮化鎵功率器件在充電器和手機(jī)等消費(fèi)類電子上得到越來(lái)越多的采用。在經(jīng)...

2022-08-19 標(biāo)簽:消費(fèi)電子功率器件氮化鎵 4998 0

解密華虹宏力硅半導(dǎo)體產(chǎn)品和氮化鎵產(chǎn)品混合生產(chǎn)的專利

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集微網(wǎng)消息,現(xiàn)如今是人工智能、無(wú)人駕駛汽車、5G等高新技術(shù)的發(fā)展浪潮,在汽車電子、5G基站和智能芯片的推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料(尤其是碳化硅(SiC)與...

2020-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵無(wú)人駕駛 4964 0

Nexperia宣布推出新一代氮化鎵技術(shù);中芯國(guó)際回復(fù)首輪問(wèn)詢…

據(jù)有關(guān)媒體報(bào)道,近段時(shí)間內(nèi),包括蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科、AMD等在內(nèi),都紛紛向臺(tái)積電大幅追加第四季度的7nm訂單。第四季度是個(gè)耐人尋味的時(shí)間點(diǎn),因?yàn)槊婪?月...

2020-06-09 標(biāo)簽:中芯國(guó)際氮化鎵Nexperia 4946 0

氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別?

氮化鎵充電器什么意思?氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么? 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵(GaN)材料制造的充電器。GaN是一種新...

2023-11-21 標(biāo)簽:充電器氮化鎵GaN 4923 0

采用氮化鎵材料的電子器件在無(wú)橋PFC電路中的應(yīng)用(1)

采用氮化鎵材料的電子器件在無(wú)橋PFC電路中的應(yīng)用(1)

氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(三)TI氮化鎵器件在無(wú)橋PFC設(shè)計(jì)中的應(yīng)用(上)

2019-04-03 標(biāo)簽:tipfc氮化鎵 4921 0

國(guó)外廠商推出00W氮化鎵充電器,約合人民幣480元

  2月2日消息報(bào)道,國(guó)外廠商推出了一款名為HyperJuice的100W氮化鎵充電器,2A2C,外觀只有一副紙牌大小,電源效率達(dá)到了95%。

2020-02-03 標(biāo)簽:電源充電器氮化鎵 4890 0

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區(qū)別在哪里?

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...

2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 4866 0

是否有其他可能引發(fā)功率GaN市場(chǎng)爆炸的殺手級(jí)應(yīng)用呢?

市場(chǎng)在引入新技術(shù)時(shí),成本是需要考慮的關(guān)鍵因素之一,但目前成本不是GaN的優(yōu)勢(shì)。GaN器件的主要競(jìng)爭(zhēng)者是硅基MOSFET,后者已經(jīng)上市多年,提供非常具有競(jìng)...

2018-12-24 標(biāo)簽:電源適配器氮化鎵 4844 0

氮化鎵功率器件的技術(shù)路線

氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng),能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-01-29 標(biāo)簽:氮化鎵功率器 4836 0

晶電進(jìn)一步跨入5G通訊商機(jī),宣布與砷化鎵廠環(huán)宇-KY合作

晶電進(jìn)一步跨入5G通訊商機(jī),宣布與砷化鎵廠環(huán)宇-KY合作

環(huán)宇-KY董事長(zhǎng)黃大倫表示,公司目前在加州以4吋廠為主,由于產(chǎn)能不足,需要6吋廠的加入,主要看好未來(lái)5G基地臺(tái)布建的需求以及VCSEL手機(jī)臉部識(shí)別市場(chǎng),...

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WBG功率器件的設(shè)計(jì)考慮

WBG功率器件的設(shè)計(jì)考慮

1.2 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)考慮

2019-04-08 標(biāo)簽:ti功率器件氮化鎵 4773 0

支持PD3.0,30W標(biāo)準(zhǔn)續(xù)航蘋(píng)果15充電頭解決方案

支持PD3.0,30W標(biāo)準(zhǔn)續(xù)航蘋(píng)果15充電頭解決方案

近期,展嶸再次給電源適配器開(kāi)發(fā)了新的方案,支持PD3.0的30W氮化鎵充電頭,一共有兩個(gè)接口:A+C。該方案使用的是主控合封氮化鎵SW1123+同步SW...

2023-09-18 標(biāo)簽:蘋(píng)果氮化鎵pd3.0 4770 0

淺談Sub-6 GHz和毫米波技術(shù)

MIMO代表“多輸入多輸出”,是一種用于無(wú)線通信的天線技術(shù),它使用多個(gè)天線來(lái)發(fā)送和接收信號(hào)。

2021-02-12 標(biāo)簽:接收器無(wú)線通信RF 4719 0

江蘇蘇州英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目傳來(lái)新進(jìn)展

此外,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理王培仁表示,按照規(guī)劃,項(xiàng)目開(kāi)工兩年內(nèi)將建成8英寸第三代化合物半導(dǎo)體硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)線,投產(chǎn)后三年將實(shí)現(xiàn)年...

2020-11-05 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體功率器件 4688 0

英諾賽科IPO!三年?duì)I收超7億累計(jì)虧損67億,開(kāi)拓海外市場(chǎng)

英諾賽科IPO!三年?duì)I收超7億累計(jì)虧損67億,開(kāi)拓海外市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書(shū),正式開(kāi)始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開(kāi)招股書(shū)后,終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了...

2024-06-17 標(biāo)簽:ipo氮化鎵英諾賽科 4665 0

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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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