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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)?

日前,阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)了2021年科技趨勢(shì),其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同?為何...

2021-01-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 3916 0

Veeco攜手ALLOS研發(fā)硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階...

2018-11-15 標(biāo)簽:Veeco氮化鎵 3910 0

采用 GaN 能讓你重新認(rèn)識(shí)太陽(yáng)能逆變器

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太平洋煤氣電力公司為住宅發(fā)起了于2016年7月28日星期四舉行的智能日活動(dòng)。記得在電費(fèi)最高的下午2點(diǎn)至7點(diǎn)減少用電量,節(jié)省能源。在德克薩斯和加利福尼亞都...

2017-04-26 標(biāo)簽:逆變器氮化鎵 3907 0

賀利氏專(zhuān)家等你來(lái)撩,直播探討應(yīng)用于5G產(chǎn)品的SiP封裝材料

SIP WEBINAR 系統(tǒng)級(jí)封裝線(xiàn)上研討會(huì)第三期開(kāi)播在即,行業(yè)知名系統(tǒng)級(jí)封裝大會(huì)自2020年5月,推出第一期SiP Webinar以來(lái)便受到行業(yè)內(nèi)人士...

2020-07-27 標(biāo)簽:氮化鎵5Gsip封裝 3901 0

中國(guó)保持了原有的鎵產(chǎn)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位但是尚未引起關(guān)注

倫敦羅斯基爾信息服務(wù)公司的顧問(wèn)Alexandra Feytis說(shuō),由于中國(guó)保持了原有的鎵產(chǎn)量,大多數(shù)其他國(guó)家比如德國(guó)與哈薩克斯坦的鎵產(chǎn)量已經(jīng)減少。她表示...

2019-07-25 標(biāo)簽:芯片氮化鎵5G 3899 0

氮化鎵快充研發(fā)重大突破 三大核心芯片實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)

國(guó)產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控,性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水準(zhǔn)。氮化鎵(gallium nitride,GaN)是下一代半導(dǎo)體材料,其運(yùn)...

2020-12-18 標(biāo)簽:芯片氮化鎵快充技術(shù) 3891 0

“雙碳”背景下,高轉(zhuǎn)換效率的氮化鎵應(yīng)用

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))在“雙碳”的發(fā)展趨勢(shì)下,能源轉(zhuǎn)換效率已成為各行各業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局公開(kāi)信息顯示,2020年城鄉(xiāng)居民總用電量109...

2021-12-13 標(biāo)簽:氮化鎵 3883 0

氮化鎵對(duì)“雙碳”起到什么作用

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2021-12-14 標(biāo)簽:電動(dòng)車(chē)半導(dǎo)體氮化鎵 3861 0

三安光電氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制作過(guò)程專(zhuān)利

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三安光電提出的此項(xiàng)專(zhuān)利涉及氮化鎵晶體管的制備工藝,解決了現(xiàn)有方法中常規(guī)金屬材料熱穩(wěn)定性和散熱差、工藝復(fù)雜的缺陷。

2020-03-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管氮化鎵三安光電 3856 0

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車(chē)規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作

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基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布與國(guó)際著名的為汽車(chē)行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (...

2022-05-23 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件Nexperia 3853 0

英飛凌發(fā)布2021財(cái)年第四季度及全年財(cái)報(bào),業(yè)績(jī)創(chuàng)下新紀(jì)錄

英飛凌科技股份公司公布了截至2021年9月30日的2021財(cái)年第四季度及全年業(yè)績(jī)。

2021-11-12 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵碳化硅 3852 0

日企市場(chǎng)份額占比超9成,國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多,特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱(chēng)為寬...

2023-03-27 標(biāo)簽:氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導(dǎo)體 3844 0

軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升

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現(xiàn)在,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿(mǎn)足了軍事和航空航天系統(tǒng)對(duì)更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求,這讓這兩個(gè)行...

2022-07-28 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 3833 0

氮化鎵充電頭的原理

氮化鎵充電頭的原理

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革,而隨著其中,氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么,氮化鎵充電頭的原理是什么呢?KeepTo...

2023-10-20 標(biāo)簽:氮化鎵充電頭 3826 0

英諾賽科鄒艷波:第三代半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)新賽道

隨著5G、新能源和快充等應(yīng)用的興起,第三代半導(dǎo)體材料也開(kāi)始嶄露頭角。br /?br /電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專(zhuān)題, 收到近50位國(guó)內(nèi)外半...

2020-12-25 標(biāo)簽:氮化鎵快充技術(shù)英諾賽科 3801 0

氮化鎵快充價(jià)格走勢(shì)分析 59.9元的氮化鎵充電器表現(xiàn)如何

氮化鎵充電器從最開(kāi)始量產(chǎn)至今,已過(guò)去了四年多,售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民,近日充電頭網(wǎng)發(fā)現(xiàn),聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn),65W 雙口氮化鎵...

2022-06-14 標(biāo)簽:充電器聯(lián)想氮化鎵 3773 0

是什么讓PowiGaN與眾不同?

基于PowiGaN的開(kāi)關(guān)電源IC可實(shí)現(xiàn)95%的高效率,輸出功率高達(dá)100 W。它們不僅適合大功率快速充電應(yīng)用,而且還為家電提供了無(wú)散熱片的電源解決方案,...

2020-05-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源氮化鎵 3763 0

新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度,內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaNHEMT功率管,邏輯控制電...

2022-06-21 標(biāo)簽:氮化鎵GaNGaN器件 3763 0

滿(mǎn)足全部高功率需求的氮化鎵放大器產(chǎn)品介紹

ADI提供GaN IC產(chǎn)品,滿(mǎn)足我們客戶(hù)的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率范圍的全功率放大器。

2019-06-13 標(biāo)簽:放大器功率氮化鎵 3757 0

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無(wú)刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
直流電機(jī) PID MOSFET 傳感器 人工智能 物聯(lián)網(wǎng) NXP 賽靈思
步進(jìn)電機(jī) SPWM 充電樁 IPM 機(jī)器視覺(jué) 無(wú)人機(jī) 三菱電機(jī) ST
伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國(guó)民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂(lè)鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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