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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵芯片市場(chǎng)份額分析 氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體器件分類
中國(guó)氮化鎵芯片市場(chǎng)占據(jù)全球約 %的市場(chǎng)份額,為全球最主要的消費(fèi)市場(chǎng)之一,且增速高于全球。2021年市場(chǎng)規(guī)模約 億元,2017-2021年年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 %。
從去年開始,隨著一股席卷科技圈的環(huán)保風(fēng)潮,越來越多手機(jī)品牌相繼取消隨機(jī)附送充電器。這可把很多人搞得一頭霧水:不給充電器,這手機(jī)你讓我怎么用?雖說有些廠商...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”這句廣告語可能是很多人對(duì)快充最開始的認(rèn)識(shí),在以前很多手機(jī)廠商為實(shí)現(xiàn)手機(jī)長(zhǎng)時(shí)間續(xù)航,只會(huì)一味地增加手...
努比亞推出65W GaN Pro氮化鎵充電器 體積再減小40%
去年3月,努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器,功率達(dá)65W三口(2C1A),此后又推出了120W三口(2C1A)氮化鎵充電器、45W雙口(1A1C)氮化鎵...
這款90W氮化鎵充電器采用“第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)”,有著更加出色的擊穿能力,更高的電子遷移率和電子密度。有效降低了導(dǎo)阻帶來的發(fā)熱量,最終呈現(xiàn)出高效率和...
ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題
近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn),ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù),展示了 200 mm 硅基氮化鎵 ...
Anker新品發(fā)布會(huì)上推出多款充電周邊產(chǎn)品
10月24日下午消息,Anker安克創(chuàng)新在紐約舉辦2019年新品發(fā)布會(huì),發(fā)布了多款充電周邊產(chǎn)品。
2019-10-24 標(biāo)簽:充電器氮化鎵移動(dòng)電源 4544 0
美研究員設(shè)計(jì)出垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu),有助提升LED顯示器效率
美國(guó)羅徹斯特理工學(xué)院(Rochester Institute of Technology)的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu),有助于提高M(jìn)ic...
價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小,氮化鎵或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍”
價(jià)格下降、與Si器件價(jià)差縮小 ,氮化鎵 或成終端廠商進(jìn)入高端市場(chǎng)的“寶劍” ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵材料由于具備禁帶寬...
新氮化鎵IC將進(jìn)一步鞏固PI在市場(chǎng)上的優(yōu)勢(shì)地位
氮化鎵(GaN)作為半導(dǎo)體第三代材料,近年來高頻進(jìn)入業(yè)界視野。各大IC廠商先后涉足氮化鎵領(lǐng)域,源由氮化鎵的寬禁帶、高擊穿電壓、大熱導(dǎo)率等特性,確立了其在...
納微半導(dǎo)體新一代氮化鎵功率芯片NV6128問世,全新額定電壓650V/800V的大功率
在傳統(tǒng)硅充電器一半的體積和重量情況下,氮化鎵充電器的輸出功率和充電速度與前者相比均可提升三倍。
2021-02-19 標(biāo)簽:氮化鎵硅芯片納微半導(dǎo)體 4478 0
國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟,產(chǎn)業(yè)前景如何解讀?
電子發(fā)燒友網(wǎng)(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)的首個(gè)第三代半導(dǎo)體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請(qǐng),不出意外的話將會(huì)獲得成功上市。這對(duì)于國(guó)內(nèi)眾多三代半的功率器件...
2024-08-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 4418 0
氮化鎵功率技術(shù)大熱,Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計(jì)上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和成熟規(guī)?;纳a(chǎn)能力,近年來在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢(shì)論...
納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地
據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息,1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“蘇州納維科技”)在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。
國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體“搶跑”,縮短技術(shù)差距與大幅投資擴(kuò)產(chǎn)并舉,需注重產(chǎn)能與需求雙向平衡
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)第三代半導(dǎo)體的火熱程度勿需多言,從氮化鎵電源適配器的規(guī)模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊,再到國(guó)內(nèi)如火如荼地投資第三代半導(dǎo)體,這...
2021-12-14 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 4358 0
氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨(dú)特的特性,氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,如LED照明、電力電子、無線通信、智能家...
Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選
據(jù)悉,Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市,價(jià)格為 54.99 美元(369 RMB)。
回顧MOS-AK成都器件模型國(guó)際會(huì)議的內(nèi)容介紹
成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊(duì)在這方面所做的努力和成績(jī)。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面,Negative Capacitance FET ...
Soitec收購(gòu)EpiGaN nv,整合氮化鎵優(yōu)勢(shì)
法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵(簡(jiǎn)稱GaN)外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議,以3,000萬歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。
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