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國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體“搶跑”,縮短技術(shù)差距與大幅投資擴(kuò)產(chǎn)并舉,需注重產(chǎn)能與需求雙向平衡

花茶晶晶 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃晶晶 ? 2021-12-14 18:25 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)第三代半導(dǎo)體的火熱程度勿需多言,從氮化鎵電源適配器的規(guī)模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊,再到國內(nèi)如火如荼地投資第三代半導(dǎo)體,這個產(chǎn)業(yè)被廣泛地看好。那么,2021-2022年第三代半導(dǎo)體的發(fā)展形勢如何呢?在日前舉辦的2022集邦咨詢化合物半導(dǎo)體新應(yīng)用前瞻分析會上,北京大學(xué)教授、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波、集邦咨詢化合物半導(dǎo)體分析師龔瑞驕等專家介紹并分析了第三代半導(dǎo)體技術(shù)/產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀等議題。

國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體現(xiàn)狀與差距


第三代半導(dǎo)體,在國際上叫做寬禁帶半導(dǎo)體,主要以氮化鎵和碳化硅材料為主,主要應(yīng)領(lǐng)域包括光電子、射頻電子、功率電子三大方向。

沈波分析指出,射頻電子方面,第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用從軍用雷達(dá)開始,探測距離和功率密集是成正比的,而氮化鎵和砷化鎵相比,功率密度要高得多,因此它做相控陣?yán)走_(dá)有不可替代的優(yōu)勢。民用方面,在5G移動通訊等應(yīng)用上氮化鎵也以其高性能逐漸取代Si基LDMOS得到廣泛應(yīng)用。

新能源汽車、軌道交通為首的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)μ蓟韫β孰娮拥男枨蟠蠓嵘?,同時氮化鎵也在其中扮演重要角色。通用電源則是另一個對氮化鎵等功率器件需求旺盛的市場。尤其是電源適配器等已經(jīng)不斷拉升氮化鎵的使用量。

光電子仍然是第三代半導(dǎo)體當(dāng)中產(chǎn)能規(guī)模最大的應(yīng)用,包括LED照明、Mini/Micro-LED及其新型顯示應(yīng)用、深紫光固態(tài)光源等方向。半導(dǎo)體照明的節(jié)能效益已非??捎^,中國的替代率已接近40%,同時Mini/Micro-LED及其新型顯示應(yīng)用也在大力發(fā)展。

2020年功率電子的市場規(guī)模在50多億元,增長率接近90%,射頻電子在60多億元,增長率超過50%,長期來看功率電子的規(guī)模將超過射頻電子。同時,受到5G、新能源汽車、充電樁、數(shù)據(jù)中心、快充等行業(yè)的規(guī)模發(fā)展拉動,功率和射頻電子的市場規(guī)模未來有望和半導(dǎo)體照明市場并駕齊驅(qū)。

第三代半導(dǎo)體的核心技術(shù)包括在襯底、外延、芯片等環(huán)節(jié)。當(dāng)前,碳化硅襯底方面國際上6英寸襯底是主流,Cree已推出8英寸但尚未導(dǎo)入量產(chǎn)。國內(nèi)碳化硅相關(guān)企業(yè)已達(dá)30多家,4英寸碳化硅襯底已經(jīng)成熟,6英寸導(dǎo)電型襯底已經(jīng)規(guī)模產(chǎn)業(yè)化,8英寸襯底與國際還有較大差距。

碳化硅芯片方面,針對碳化硅功率電子,國際上已經(jīng)完成多次迭代,二極管發(fā)展到第五代,三極管發(fā)展到第三代,IGBT也進(jìn)入產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入前期。車規(guī)級碳化硅模塊有意法半導(dǎo)體量產(chǎn),羅姆、英飛凌、Cree等通過認(rèn)證,逐漸走向成熟。國內(nèi)碳化硅器件主要是二極管已經(jīng)量產(chǎn)出貨,碳化硅MOSFET還在量產(chǎn)導(dǎo)入前期,預(yù)計2022年工業(yè)級碳化硅MOSFET將會量產(chǎn),車規(guī)級預(yù)計在2-3年后可實現(xiàn)量產(chǎn)。

此外,650以下的氮化鎵功率電子技術(shù)已基本成熟,并實現(xiàn)了規(guī)模量產(chǎn)。但在650伏以上平面結(jié)構(gòu)的氮化鎵功率電子的可靠性依然還有問題。

半導(dǎo)體照明從光效驅(qū)動轉(zhuǎn)向成本驅(qū)動的趨勢非常明顯,無熒光粉LED照明和長波長LED技術(shù)較為活躍。Mini-LED背光已經(jīng)規(guī)模量產(chǎn),Mini -LED直接發(fā)光技術(shù)已經(jīng)可行,主要由于成本問題而沒有商業(yè)化。Micro-LED用于新型顯示則還有很長的路要走。

工業(yè)、儲能、新能源汽車將大幅拉升第三代半導(dǎo)體的市場需求


據(jù)集邦咨詢預(yù)測,隨著電動車滲透率的不斷升高以及整車架構(gòu)朝800伏方向邁進(jìn),預(yù)計2025年全球?qū)iC的需求量將會達(dá)到169萬片,其中絕大部分的應(yīng)用將會體現(xiàn)在汽車的主逆變器。受益于新能源革命,下游的光伏、儲能、新能源汽車以及工業(yè)自動化的爆發(fā),功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來了新的高景氣周期,整個功率半導(dǎo)體、分離器件和模塊的市場規(guī)模將從2020年的204億美金增長到2025年的274億美金,寬禁帶半導(dǎo)體的市場規(guī)模將從2020年的不到5%達(dá)到2025年的接近17%。

龔瑞驕指出,特斯拉引爆汽車市場的碳化硅應(yīng)用。我們預(yù)測全球的SiC功率市場規(guī)模將從2020年的6.8億美元增長到2025年的33.9億美元,其中新能源汽車將成為最主要的驅(qū)動力,SiC將在主逆變器、OBC、DCDC中取得主要的應(yīng)用,另外在車外的充電樁和光伏儲能領(lǐng)域有很大的應(yīng)用。在這兩年光伏儲能領(lǐng)域SiC會有加速的滲透。

他還表示,GaN在消費市場快速的起量,但整體還處于一個初期階段,蘋果今年推出了140瓦的GaN快充,我們也認(rèn)為GaN確實需要從消費電子做一個過渡,反復(fù)驗證它的可靠性,然后建立一個產(chǎn)能和生態(tài)的格局,方便以后推向工業(yè)級以及車規(guī)級。另外GaN整個市場規(guī)模將會從2020年的4800萬美元增長到2025年的13.2億美元。除了消費電子,它在新能源汽車、電信以及數(shù)據(jù)中心等也將有較大的成長空間。

沈波表示,中國已經(jīng)形成了完整的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,從襯底、外延到芯片都有不少機(jī)構(gòu)從事相關(guān)研發(fā)工作,并且也掌握了材料技術(shù)。但在產(chǎn)品研發(fā)上特別是高端產(chǎn)品,國內(nèi)廠商與國外差距較大。

從產(chǎn)業(yè)布局看,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要集中在長三角、京津冀、珠三角(含閩三角)等區(qū)域。京津冀以研發(fā)為主,長三角和珠三角(含閩三角)以制造為主,長三角的電子更強,珠三角在光電子領(lǐng)域有優(yōu)勢。另外、武漢、西安、合肥、成都、重慶、南昌、濟(jì)南、長沙、大連等城市也有一定規(guī)模的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

但沈波也同時認(rèn)為,如今全國范圍的第三代半導(dǎo)體投資熱潮,若都實現(xiàn)量產(chǎn),近期恐將引發(fā)一定程度產(chǎn)能過剩。如何合理利用這些產(chǎn)能,他指出,以新能源汽車為例,現(xiàn)今的年出貨量在300萬輛,但新能源汽車對碳化硅、氮化鎵器件的需求空間巨大,預(yù)期2025年年出貨量將達(dá)700萬輛,這一增長趨勢將帶動第三代半導(dǎo)體的需求量,從而逐漸的讓產(chǎn)能釋放。

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