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第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:老虎說芯 ? 2024-11-27 16:06 ? 次閱讀
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第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。

今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。

氮化鎵是什么?氮化鎵可以被看作是一種新型的半導(dǎo)體材料,它由鎵(Gallium)和氮(Nitrogen)元素組成。相比于第一代硅和第二代砷化鎵半導(dǎo)體,氮化鎵具有更高的電子遷移率和更寬的能帶間隙,使得它在功耗、速度和效率方面具有明顯的優(yōu)勢。

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氮化鎵原子結(jié)構(gòu)

氮化鎵的優(yōu)勢在哪里呢?氮化鎵具有極高的功率密度和高頻特性,可廣泛應(yīng)用于能源電子、通信、照明和無線電頻段等領(lǐng)域。因為氮化鎵具有優(yōu)異的電子輸運特性,所以在高功率、高頻率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。舉個例子,想象一下,氮化鎵就像是一頭勇猛無比的獵豹,瞬間爆發(fā)出極高的速度和能量,讓你的設(shè)備煥發(fā)無限活力。

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氮化鎵材料的優(yōu)勢

就像任何技術(shù)一樣,氮化鎵也有自己的劣勢,制造成本較高的問題。相比于現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料,氮化鎵的制造過程更加復(fù)雜,所需的設(shè)備和技術(shù)投入也更多,導(dǎo)致成本較高。這對于大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用來說,可能是一個需要克服的挑戰(zhàn)。但是,隨著技術(shù)的不斷進步和市場的發(fā)展,相信這個問題將在未來得到解決。

氮化鎵有很多類型,目前討論較多的是硅基氮化鎵。它是一種將氮化鎵材料直接生長在硅襯底上的技術(shù),與傳統(tǒng)的氮化鎵襯底相比,硅基氮化鎵具有一些獨特的技術(shù)特點。硅基氮化鎵可以借助現(xiàn)有的硅工藝設(shè)備和制造流程,實現(xiàn)低成本大規(guī)模制造,這使得其在市場上具有巨大的潛力。

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氮化鎵比MOS管具有很多優(yōu)勢

硅基氮化鎵的技術(shù)特點。首先,硅基氮化鎵具有優(yōu)異的晶體質(zhì)量和界面特性。硅基氮化鎵能夠提供一個平整、穩(wěn)定的基底,讓氮化鎵的生長更加完美和均勻。這使得硅基氮化鎵在高頻率應(yīng)用中具有出色的性能。

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氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計電路框圖

其次,硅基氮化鎵還具有更好的熱導(dǎo)性和耐高溫性能。eettaiwan網(wǎng)站上的一位高贊回答者表示:“硅基氮化鎵的熱導(dǎo)率比傳統(tǒng)氮化鎵襯底的熱導(dǎo)率高得多,這意味著它在高功率應(yīng)用中能更好地散熱。”這使得硅基氮化鎵在功率電子和高溫環(huán)境下的應(yīng)用具有巨大優(yōu)勢。氮化鎵的優(yōu)勢如下:

更低的導(dǎo)通電阻,從而實現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗

更快的開關(guān)以實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗

更小的電容在對器件進行充電及放電時,可實現(xiàn)更低的損耗

需要更少的功率來驅(qū)動電路

更小的器件可以減小解決方案于印刷電路板上的占板面積

更低的成本

氮化鎵的應(yīng)用場景。如能源電子領(lǐng)域,氮化鎵在高頻開關(guān)電源、太陽能逆變器和電動車充電器等方面具有廣泛的應(yīng)用。由于高功率和高效率的特性,氮化鎵能夠提供更好的功率轉(zhuǎn)換和控制能力,為能源電子領(lǐng)域帶來了新的可能性。

氮化鎵的應(yīng)用舉例

另一個應(yīng)用場景是通信領(lǐng)域,尤其是5G技術(shù)的發(fā)展。氮化鎵為“5G時代的強力引擎”。在5G無線通信中,氮化鎵能夠提供更高的頻率和更大的帶寬,使得通信速度更快、信號更穩(wěn)定。這對于實現(xiàn)高速、低延遲的無線通信具有重要意義。

此外,氮化鎵還在照明、激光器、雷達和電源管理等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域仍在不斷擴展,隨著技術(shù)的進一步成熟和成本的下降,相信它將會在更多的領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

氮化鎵的應(yīng)用舉例

綜上所述,第三代半導(dǎo)體氮化鎵作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在半導(dǎo)體領(lǐng)域引起了極大關(guān)注。其優(yōu)勢包括高功率密度、高頻率特性和寬廣的應(yīng)用范圍。然而,其制造成本仍然是一個需要解決的問題。氮化鎵在能源電子、通信、照明和無線電頻段等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用的前景。隨著技術(shù)的進一步突破和市場的需求增加,相信氮化鎵將成為推動半導(dǎo)體領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展的重要力量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:淺談第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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