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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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美國海軍陸戰(zhàn)隊與全球最大的雷達制造商諾斯洛普·格魯門（Northrop Grumman）簽訂了一份價值9.58億美元的合同。
具體來說，兩個 Type-C接口可以輸出65W功率。但是，第三個USB-A端口支持高達30W的快速充電。以下是所有端口同時使用時的快速充電容量。
當測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您...
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領域的廣泛應用，氮化鎵功率器件已經(jīng)成為了消費電子領域的新寵，應用范圍也越來越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的...
生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場，這降低了輻射復合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象，正在進行對非極性或半極性氮化鎵...
氮化鎵三孔設計：分別為功率65w全功能TYPE-C口，5W功率USB3.0口以及4K的HDMI口， 此氮化鎵擁有擴展塢功能卻并無HUB驅動芯片，C口到H...
來源：《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破，在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中...
“完美電源開關”的飄然而至,進行了超過2000萬小時的設備可靠性測試
此外，2017年是電力電子行業(yè)振奮人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1，它規(guī)范了GaN的可靠性和質量認證流程、數(shù)據(jù)資料表、參數(shù)以及...
InnoSwitch3-MX隔離式開關電源IC產(chǎn)品系列擴大陣容
InnoMux芯片組采用獨特的單級功率架構，與傳統(tǒng)設計相比，可將顯示器應用中的電源損耗降低50％，從而將恒壓和恒流LED背光驅動器設計的整體效率提高至91％。
氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子...
Smartisan 65W GaN 氮化鎵充電器首發(fā)：重量僅為 94.3g
根據(jù) @堅果手機微博消息，Smartisan 65W GaN 氮化鎵充電器，昨晚在李誕的抖音直播間首發(fā)。這款充電器目前已經(jīng)在錘子商城上架，售價 149 ...
氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別？有什么優(yōu)勢？
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強于傳統(tǒng)的硅基半導體。
Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術
新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應用；新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
2020-06-11 標簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵Nexperia 3406 0
近日，行業(yè)媒體一則消息引起了我們的關注，2021年蘋果公司將會推出基于氮化鎵功率器件的大功率USB PD快充，與目前基于硅的充電器相比，該產(chǎn)品體積更小、...
什么是氮化鎵技術 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族...
2023-02-03 標簽：氮化鎵 3397 0
在5G、電動車、電源裝置等應用的推動下，第三代半導體材料氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)需求已逐漸升溫。
基于氮化鎵場效應晶體管的EPC9144演示板具備快速轉換性能
EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達28 ...
當產(chǎn)品進入成熟周期，在制造端實現(xiàn)極致節(jié)能、極致提效、極致降本，成為中國動力電池企業(yè)提升核心競爭力及全球話語權的必經(jīng)之路。
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