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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

國(guó)外碳化硅大廠:產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張 豐富的產(chǎn)品組合

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料,憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是碳化硅功率器件與傳...

2021-11-13 標(biāo)簽:MOSFET晶圓氮化鎵 2928 0

格芯強(qiáng)化AI市場(chǎng)布局,收購(gòu)泰戈?duì)柨萍嫉壖夹g(shù)團(tuán)隊(duì)

在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向更高效、更綠色方向邁進(jìn)的背景下,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商格芯(GlobalFoundries)近日宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措——正式收購(gòu)泰...

2024-07-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵格芯 2902 0

臺(tái)積電開(kāi)發(fā)氮化鎵制程,往下一個(gè)領(lǐng)域發(fā)展

集微網(wǎng)消息,據(jù)臺(tái)灣先探投資周刊報(bào)道,隨著5G,電動(dòng)汽車(chē)時(shí)代的到來(lái),高頻高壓功率元件的需求大幅度增加,氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等半導(dǎo)體材料迎來(lái)了...

2020-03-01 標(biāo)簽:臺(tái)積電氮化鎵 2900 0

成本降低70%!國(guó)產(chǎn)高壓GaN又有新成果

成本降低70%!國(guó)產(chǎn)高壓GaN又有新成果

保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作,在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片,可開(kāi)發(fā)出650V、900V、...

2023-11-16 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 2888 0

氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)理想的電機(jī)逆變器功率損耗

氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)理想的電機(jī)逆變器功率損耗

與開(kāi)關(guān)模式電源不同,三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器通常使用低開(kāi)關(guān)頻率;只有幾萬(wàn)赫茲。大功率電機(jī)尺寸較大,具有高電感繞組;因此,即使在低開(kāi)關(guān)頻率下,電流紋波也是可以接...

2017-04-26 標(biāo)簽:逆變器氮化鎵 2873 0

全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成

近日,英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開(kāi)始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式...

2020-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 2855 0

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動(dòng)態(tài)特性實(shí)測(cè)

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動(dòng)態(tài)特性實(shí)測(cè)

在此方向上,青桐資本項(xiàng)目伙伴「量芯微半導(dǎo)體(GaNPower)」(以下簡(jiǎn)稱(chēng)「量芯微」)在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn),...

2023-07-19 標(biāo)簽:逆變器功率器件氮化鎵 2855 0

功率GaN,炙手可熱的并購(gòu)賽道?

功率GaN,炙手可熱的并購(gòu)賽道?

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)繼去年英飛凌收購(gòu)GaN Systems之后,2024年1月,另一家汽車(chē)芯片大廠瑞薩也收購(gòu)了功率GaN公司Transph...

2024-02-26 標(biāo)簽:英飛凌ST瑞薩 2848 0

探究氮化鎵在射頻電子中的應(yīng)用

近年來(lái),因?yàn)?5G 的應(yīng)用,大家對(duì)射頻氮化鎵的關(guān)注度日益提升。 小編也認(rèn)為,GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿(mǎn)足性能和小尺寸要...

2021-06-18 標(biāo)簽:RF氮化鎵GaN 2793 0

倍思發(fā)布160W氮化鎵充電器

昨日晚間,倍思召開(kāi)了 2022 年春季新品發(fā)布會(huì),帶來(lái)20余款新品,隨即倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W,新品支持最新...

2022-04-19 標(biāo)簽:充電器氮化鎵倍思 2790 0

小米上架33W氮化鎵充電器套裝

今天,小米推出了一款33W氮化鎵充電器套裝,售價(jià)79元?,F(xiàn)已開(kāi)啟預(yù)約,將于2月25日10點(diǎn)首賣(mài)。

2021-02-23 標(biāo)簽:充電器氮化鎵小米 2789 0

納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

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圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...

2022-05-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率芯片 2788 0

德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵的理由

在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里。 我們幾個(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中,進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是,話(huà)題始終圍繞著熱量,...

2019-01-01 標(biāo)簽:電子ti氮化鎵 2786 0

65W氮化鎵充電器+充電寶二合一全套解決方案!很有代表性!

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智融65W 氮化鎵 充電器+充電寶二合一全套解決方案!

2023-06-13 標(biāo)簽:芯片充電器氮化鎵 2776 0

科學(xué)家合作研發(fā)出一項(xiàng)調(diào)節(jié)LED色彩的新技術(shù)

研究團(tuán)隊(duì)描述了通過(guò)簡(jiǎn)單改變向器件提供工作電流的時(shí)間順序,對(duì)基于氮化鎵的LED進(jìn)行顏色調(diào)節(jié)的可能性。

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就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開(kāi)展“云洽談”

當(dāng)前,多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項(xiàng)目落戶(hù)桂林,如桂林光芯片半導(dǎo)體工藝平臺(tái)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目等。

2020-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵智能制造 2749 0

安世半導(dǎo)體做客唯樣直播間!高產(chǎn)能巨無(wú)霸養(yǎng)成記首度公開(kāi)!

汽車(chē)、5G、工業(yè)及電源、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)可穿戴設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)電子、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域,世界上幾乎所有相關(guān)的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)都采用Nexperia的器件。

2020-08-10 標(biāo)簽:氮化鎵電子設(shè)計(jì)安世半導(dǎo)體 2732 0

國(guó)內(nèi)氮化鎵大廠被申請(qǐng)破產(chǎn):曾規(guī)劃投資50億,年產(chǎn)36萬(wàn)片晶圓

國(guó)內(nèi)氮化鎵大廠被申請(qǐng)破產(chǎn):曾規(guī)劃投資50億,年產(chǎn)36萬(wàn)片晶圓

電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 5月8日,重慶市第五中級(jí)人民法院最新信息顯示,聚力成半導(dǎo)體被廣東中保維安保安服務(wù)有限公司申請(qǐng)破產(chǎn)清算。而在一個(gè)月前,該公司曾以“不能...

2025-05-22 標(biāo)簽:氮化鎵 2726 0

5G服務(wù)耗電巨大,氮化鎵(GaN)技術(shù)來(lái)幫忙!

實(shí)際上,似乎某些運(yùn)營(yíng)商正在考慮將收發(fā)器的數(shù)量減少到32T32R,甚至到16T16R,從而減小網(wǎng)絡(luò)容量,以降低不斷增加的功率需求。這在一定程度上是出于緩解...

2022-07-08 標(biāo)簽:氮化鎵5G 2720 0

這里將建成國(guó)際前三的氮化鎵單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地

1月24日,蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“納維科技”)總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。 項(xiàng)目占地面積超14000平方米,總建筑面積超34000平方米...

2021-01-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2707 0

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