群雄逐鹿！2021 GaN產(chǎn)業(yè)熱門事件盤點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限，成為了市場(chǎng)的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場(chǎng)快速起量的同時(shí)，還在...

2022-01-19 標(biāo)簽：氮化鎵GaN硅基氮化鎵 2704 0

基于氮化鎵光電集成芯片的微型光纖曲率傳感器

近些年，輕量化、低成本和小型化的曲率傳感器在呼吸監(jiān)測(cè)、關(guān)節(jié)角度評(píng)估和運(yùn)動(dòng)頻率測(cè)量等人體運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)領(lǐng)域廣受關(guān)注。尤其是基于光纖的曲率傳感器，因其成本低、耐腐...

2023-01-05 標(biāo)簽：傳感器led氮化鎵 2692 0

智融65W超薄快充方案介紹

充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到了智融推出的65W餅干氮化鎵快充方案，這款方案采用了智融推出的初級(jí)主控芯片和降壓協(xié)議芯片，為固定電壓輸出，搭配二次降壓電路實(shí)現(xiàn)多口快充，...

2022-07-05 標(biāo)簽：芯片控制器氮化鎵 2690 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時(shí)代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 2682 0

意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵晶體管的VIPer器件介紹

VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...

2022-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵viper 2660 0

RF GaN領(lǐng)導(dǎo)廠商及新入局者的戰(zhàn)略和技術(shù)路線

Knowmade分析師檢索、篩選并分析了全球范圍內(nèi)截至2020年8月公布的6300多項(xiàng)專利，包括了500多個(gè)不同專利申請(qǐng)人提交的3000多個(gè)發(fā)明專利家族...

2020-12-02 標(biāo)簽：射頻氮化鎵RF電路 2655 0

燦光電將投資35億元生產(chǎn)Mini/Micro

9月4日，聚燦光電發(fā)布關(guān)于子公司簽署《投資合同書》的公告，將總投資35億元生產(chǎn)Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片等產(chǎn)品。 公告顯示，聚燦光電...

2020-09-14 標(biāo)簽：led氮化鎵砷化鎵 2653 0

紫米33W氮化鎵充電器延遲上架

日前，紫米公司發(fā)布致歉公告，表示ZMI 33W氮化鎵充電器，因不可抗力原因?qū)е聼o法如期上市，具體日期待定中，更新進(jìn)度會(huì)及時(shí)告與大家，望理解體諒。

2021-03-08 標(biāo)簽：充電器連接器氮化鎵 2641 0

介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況

Micro LED新型顯示具有巨大市場(chǎng)前景，也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對(duì)推動(dòng)Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。

2023-04-26 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵GaN 2640 0

中微公司氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會(huì)，并受邀發(fā)表主題演講，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...

2022-08-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 2626 0

氮化鎵在航天領(lǐng)域的需求

上周日，問天實(shí)驗(yàn)艙由長(zhǎng)征5號(hào)B遙三運(yùn)載火箭送上太空，并與中國(guó)空間站天和核心艙順利完成對(duì)接。而除了將問天實(shí)驗(yàn)艙這個(gè)當(dāng)今世界上現(xiàn)役最大的單體載人航天艙段送上...

2022-08-01 標(biāo)簽：氮化鎵衛(wèi)星系統(tǒng)空間站 2612 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2586 0

GaN（氮化鎵）——支持60W PD快充的雙口充電器

對(duì)于經(jīng)常有出差需求的筆者來說，Macbook是必須隨身攜帶的，至于手機(jī)自然也是不可或缺的機(jī)不離身，有時(shí)還會(huì)擔(dān)心行程時(shí)間太久遠(yuǎn)，帶上HiFi播放器一路上聽...

2021-01-24 標(biāo)簽：充電器macbook氮化鎵 2557 0

碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵的區(qū)別在哪里？

硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米。 硅基氮化鎵器件...

2023-02-12 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 2556 0

氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎？

氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎？ 當(dāng)涉及到驅(qū)動(dòng)氮化鎵（GaN）MOS管時(shí)，需要考慮多個(gè)因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常...

2023-11-22 標(biāo)簽：MOS管氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 2556 0

氮化鎵射頻開關(guān)在高功率射頻設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

然而，一個(gè)諧波濾波器需要一個(gè)保護(hù)帶，以達(dá)到對(duì)帶內(nèi)頻率低端的二次諧波的最小抑制要求。例如，如圖2所示，第一個(gè)頻段不能是30至60MHz，或一個(gè)倍頻程，因?yàn)?..

2022-09-20 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵射頻開關(guān) 2544 0