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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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引言：氮化鎵作為第三代寬禁帶半導體材料的代表之一,因其優(yōu)越的性能,例如高電子遷移率、高電子飽和速率、耐高溫及高熱導率等優(yōu)點吸引了越來越多的關注,也正是因...
美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169...
MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管，實現(xiàn)射頻能量商業(yè)應用質(zhì)的飛躍
“固態(tài)射頻能量技術具有從生活消費品到工業(yè)、科學和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎設施的全方位優(yōu)勢，有望在未來撼動整個市場劃分。”MACOM市場部資深總監(jiān)Mark Murp...
基于InnoGaN ISG3201和INN040LA015A 設計的1KW DCDC電源模塊方案
繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后，英諾賽科又推出一款1000W 方案，利用氮化鎵寄生結電容小的特點，配合磁集成方案...
2023-08-05 標簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2375 0
去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵...
現(xiàn)在的充電器與幾年前的充電器相比，體積上大幅縮減，而充電速度卻實現(xiàn)了十幾倍的飛躍式提升。這其中究竟隱藏著怎樣的奧秘呢?
由于對設計、制造業(yè)者來說，資金、良率、成本、技術等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領域的考驗，因此早期多由歐美IDM業(yè)者開始發(fā)展，如今，已演變?yōu)闃I(yè)界擴大合作，加快產(chǎn)業(yè)...
2020-04-07 標簽：氮化鎵 2349 0
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。
氮化家是一種新型半導體材料，它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...
ZENDURE推出30W SuperHub氮化鎵超級擴展塢 充電器與擴展塢二合一
擴展塢的輸入接口設計在了背后，接口類型為常見的8字線輸入口，同時底部還加入了防滑墊的設計，保障擴展塢工作時的穩(wěn)定不滑動。
小米納微三度攜手，小米 65W 1A1C氮化鎵充電器發(fā)布！
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用...
紫外線指數(shù)是指當太陽在天空中的位置最高時（一般是在中午前后，即從上午十時至下午三時的時間段里），到達地球表面的太陽光線中的紫外線輻射對人體皮膚的可能損傷...
納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片，GaNSense新技術登場
增加GaNSense?技術，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護，為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
一、氮化鎵PD快充市場前景 2020年已成為氮化鎵快充爆發(fā)的一年。據(jù)統(tǒng)計，在作為消費類電子風向標的手機行業(yè)中，目前已有多家知名手機品牌先后推出了基于手機...
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 （GaN） 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場...
徐州金沙江半導體有限公司（以下簡稱金沙江半導體）據(jù)官方消息，公司在2021年被設立，項目發(fā)起人氮化鎵（的）領域的領導者，氮化鎵功率器件及其新應用為主力...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）自電動兩輪車新國標落地后，行業(yè)迎來產(chǎn)業(yè)躍遷的新機遇。據(jù)中國自行車協(xié)會統(tǒng)計，2020年電動兩輪車市場交易金額達1046億元，增...
2022-11-24 標簽：氮化鎵 2322 0
第三代半導體性價比優(yōu)勢日益凸顯 但規(guī)模商用尚需時日
? 近期，阿里巴巴達摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢，“第三代半導體迎來應用大爆發(fā)”位列第一。達摩院指出，第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)并正在打開應用市...
世界首個嵌入硅基半橋驅(qū)動芯片和一對氮化鎵晶體管的MasterGaN產(chǎn)品平臺
ST獨有的MasterGaN產(chǎn)品平臺是基于我們的經(jīng)過市場檢驗的專業(yè)知識和設計能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術而成，能夠加快節(jié)省空間、高能效的...
近年來，氮化鎵開關非常火爆，PI的InnoSwitch3內(nèi)部就集成了氮化鎵開關，在本次發(fā)布的新品中也使用了氮化鎵開關。閻金光說，氮化鎵開關導通電阻低，比...
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