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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無(wú)鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET

2011-03-18 標(biāo)簽:FET氮化鎵宜普 2533 0

氮化鎵和MMIC及射頻SoC推動(dòng)5G無(wú)線更快發(fā)展

在半導(dǎo)體層面上,硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開(kāi)啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門,其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低,與LDMOS相當(dāng),遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。

2018-11-24 標(biāo)簽:射頻無(wú)線氮化鎵 2522 0

第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦

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大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...

2021-12-23 標(biāo)簽:中國(guó)芯SiC氮化鎵 2518 0

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案

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2022年4月19日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技(Diodes)AP3306、APR34...

2022-04-19 標(biāo)簽:大聯(lián)大電源適配器氮化鎵 2514 0

鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域?

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中國(guó)對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制,短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮,遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶,推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲,國(guó)外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。

2023-07-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 2498 0

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo)

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc...

2023-02-03 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 2492 0

Anker新推出的240W臺(tái)式USB-C充電器可以為16英寸MacBook Pro快速充電

該系列還包括對(duì)去年P(guān)owerCore 24K電池組的更新 —— 現(xiàn)在有了更大的27650mAh電池組。新的250瓦Anker Prime充電除了更強(qiáng)大之...

2023-08-03 標(biāo)簽:充電器氮化鎵Anker 2474 0

?國(guó)內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線正式投產(chǎn)

由于技術(shù)門檻較高,只有國(guó)際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問(wèn)題, 2020年9月,颶芯科技正式簽約入駐北部生態(tài)新...

2023-04-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器氮化鎵 2458 0

羅姆進(jìn)軍650V氮化鎵,發(fā)布EcoGaN Power Stage IC!集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器

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2023-07-27 標(biāo)簽:氮化鎵羅姆 2457 0

羅姆第4代SiC MOSFET,三大優(yōu)勢(shì)凸顯!

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2023-03-10 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵羅姆 2445 0

電友X21氮化鎵充電器

現(xiàn)在手機(jī)的充電速度越來(lái)越快,同時(shí)配套充電器的體積也越來(lái)越大,好在氮化鎵充電器逐漸普及,大大縮小了充電器的體積,而且適用范圍也越來(lái)越廣,隨著技術(shù)的成熟,今...

2020-11-09 標(biāo)簽:充電器氮化鎵快充技術(shù) 2442 0

氮化鎵對(duì)比普通充電器有哪些優(yōu)勢(shì)

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體發(fā)光二極管激光二極管 2440 0

納微半導(dǎo)體:氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用

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早前,納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品,踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí),納微也不斷開(kāi)發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)...

2023-08-01 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅 2440 0

65W氮化鎵(GaN)充電頭PD快充方案

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65W快充是目前快充市場(chǎng)出貨的主流規(guī)格;氮化鎵具有高可靠性,能夠承受短時(shí)間過(guò)壓;將GaN用于充電器的整流管后,能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗,提升開(kāi)關(guān)頻率,附...

2023-04-20 標(biāo)簽:充電器PD氮化鎵 2438 0

天科合達(dá)談八英寸SiC

本實(shí)驗(yàn)通過(guò)以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長(zhǎng)的起始點(diǎn),采用物理氣相傳輸(physical...

2023-01-17 標(biāo)簽:SiC氮化鎵 2422 0

半導(dǎo)體“黑科技”:氮化鎵(GaN)是何物?

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氮化鎵(GaN)被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料,今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了...

2023-11-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 2418 0

三安半導(dǎo)體獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8,107.43萬(wàn)元

2月2日,三安光電發(fā)布公告稱,全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”)獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8,107.43萬(wàn)元。 公告顯示,根據(jù)三安光電...

2021-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2412 0

納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克,以股票代碼NVTS上市交易

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氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(“納微”)的股票,正式開(kāi)始在納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易,股票代碼為“NVTS”。

2021-10-21 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2409 0

在日本政府推行新能源車鼓勵(lì)政策下,日本廠商正在積極擴(kuò)產(chǎn)備戰(zhàn)

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對(duì)于技術(shù)的追求以及資本推動(dòng)下,日本在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域一直擁有強(qiáng)大的實(shí)力。據(jù)悉,目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國(guó)、日本三個(gè)國(guó)家和地區(qū)提供,他們憑借先...

2021-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 2406 0

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