Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標

日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發(fā)布了氮化鎵功率場效應(yīng)管（FET）的最新可靠性指標?？煽啃圆捎檬剩‵IT）來衡量，這種分析方式考慮了在應(yīng)用現(xiàn)場使用時客戶報告的故障器件數(shù)量。到目前為止，基于超過850億小時的現(xiàn)場操作進行測量，該公司全部產(chǎn)品組合的可靠性已達到平均值小于0.1 FIT的水平。這一指標在業(yè)界名類前茅，也是目前GaN電源解決方案中唯一報告的寬功率譜可靠性指標。

Transphorm在構(gòu)建其GaN平臺之初便考慮了可靠性，在寬帶隙技術(shù)剛進入市場時便深知其重要性：盡管GaN擁有比硅基晶體管更高的性能，但若非器件在實際使用中出現(xiàn)故障，客戶不會在當時選擇切換到新技術(shù)。2019年，Transphorm成為首家公布完整驗證數(shù)據(jù)集以支持其可靠性聲明的GaN制造商。自此之后，該公司定期分享其GaN可靠性成果，幫助潛在客戶在選擇半導(dǎo)體供貨商時做出明智的決策。Transphorm上一次報告其FIT率是在2022年第一季度，數(shù)值小于0.3。

今年，Transphorm在改變客戶評估GaN FET選項方面又向前邁出了一步。公司經(jīng)過考慮，將其可靠性數(shù)據(jù)分為兩類：

低功率：用于功率級別≤ 500W的應(yīng)用中的GaN器件

高功率：用于功率級別》 500W的應(yīng)用中的GaN器件

如果按功率級別類型來考察器件性能，Transphorm旗下GaN FET的可靠性指標如下，這些指標與硅基功率器件極為相近：

低功率：0.06 FIT

高功率：0.19 FIT

Transphorm業(yè)務(wù)發(fā)展與營銷高級副總裁Philip Zuk表示：“我們的高壓GaN器件適合極為廣泛的應(yīng)用，涵蓋極為廣泛的功率譜，目前為45瓦到4千瓦，隨著GaN在新市場的應(yīng)用，有可能達到10千瓦以上。這表明我們的技術(shù)具有顯著的通用性。然而，我們也意識到，僅僅報告涵蓋所有應(yīng)用類型的單一可靠性指標，可能對客戶不會有太大幫助。我們認為有必要幫助他們獲得細分度更高的數(shù)據(jù)，以適用于客戶的具體設(shè)計要求。因此，我們在低功率和高功率之間做了細分?！?/p>

跨行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商

Transphorm憑借其器件質(zhì)量和可靠性繼續(xù)保持高壓GaN的領(lǐng)導(dǎo)地位。該公司向各種終端市場發(fā)貨，如適配器、PC計算、區(qū)塊鏈、數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電力存儲等。

關(guān)于Transphorm

Transphorm， Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1，000多項，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新：設(shè)計、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。